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雷軍:小米自研澎湃芯片又有重要進展

時間：2022-07-05

來源：21ic

導語：具體來說，澎湃P1作為業界首個諧振充電芯片，擁有自適應開關頻率的4:1超高效率架構，諧振拓撲效率高達97.5%，非諧振拓撲效率為96.8%，熱損耗直線下降 30% 。

       今天，小米創辦人、小米集團董事長兼CEO雷軍提到了小米自研澎湃芯片。雷軍表示，澎湃芯片家族一直在堅定持續地往前走，這次又有了新進展，很快會向大家匯報。

　　自從澎湃芯片誕生以來，這個系列先后發布了澎湃S1、澎湃C1、澎湃P1等多款芯片，其中S1是手機處理器，C1是影像芯片，P1是充電芯片。

　　其中P1由小米12 Pro首發搭載，雷軍稱“P1填補了行業空白”。

　　具體來說，澎湃P1作為業界首個諧振充電芯片，擁有自適應開關頻率的4:1超高效率架構，諧振拓撲效率高達97.5%，非諧振拓撲效率為96.8%，熱損耗直線下降 30% 。

　　同時，澎湃P1也是小米充電效率最高的4:1充電芯片，可做到0.83W/mm2超高功率密度，LDMOS也達到業界領先超低1.18mΩmm2 RSP。

　　在P1的助力下，小米12 Pro實現了單電芯120W超級秒充。相比之前小米10至尊版上的120W快充，小米12 Pro的單電芯120W秒充方案速度更快、更節省內部空間。

　　這次小米即將帶來小米12 Pro的升級版，名為小米12S Pro，該機支持120W有線閃充，預計同樣會用到澎湃P1芯片，新品會在7月4日登場。

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