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三星官宣3nm芯片已量產，反超臺積電

時間：2022-07-04

來源：電子創新網

導語：一方面，臺積電正在計劃于2025年實現2nm芯片的量產，這意味著三星方面需要加緊新技術的研發工作，以防在下一代新技術上被臺積電反超。

       今天，三星電子在官網宣布，公司位于韓國的華城工廠已經開始大規模生產3nm制程半導體芯片，是全球首家量產3nm芯片的公司。

       這意味著，在新一代芯片工藝的節點上，三星成功實現了對臺積電的彎道超車，搶先拿下了3nm芯片市場。

　　根據三星官方介紹，在3nm芯片上，其放棄了之前的FinFET架構，采用了新的GAA晶體管架構，大幅改善了芯片的功耗表現。

　　與5nm相比，新開發的3nm工藝能夠降低45%的功耗，減少16%的面積，并同時提升23%的性能。

　　不過，雖然在3nm工藝上三星拔得頭籌，但這并不代表三星在芯片代工市場上就能夠一帆風順。

　　一方面，臺積電正在計劃于2025年實現2nm芯片的量產，這意味著三星方面需要加緊新技術的研發工作，以防在下一代新技術上被臺積電反超。

　　另一方面，由于4nm制程芯片的功耗問題，高通等重要客戶對三星的3nm制程工藝目前都保持觀望態度，不敢隨意進行嘗試。

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