新的高數值孔徑極紫外(High-NA EUV)光刻機用于在手機、筆記本電腦、汽車和智能音箱等設備中的計算機芯片上制造更先進的微型集成電路。EUV是“極紫外線”的縮寫，這是阿斯麥光刻機使用的光的波長。
臺積電研發高級副總裁米玉杰在硅谷舉行的臺積電技術研討會上表示：“臺積電將在2024年引入高數值孔徑EUV光刻機，以開發相關的基礎設施和客戶所需的曝光解決方案，繼續推進創新。”
高數值孔徑EUV光刻機是第二代EUV光刻工具，可以用于制造尺寸更小、速度更快的芯片。米玉杰沒有透露，臺積電計劃何時將該設備用于芯片量產。此前臺積電的競爭對手英特爾表示，將成為首家引入該設備的公司，并在2025年之前將其用于量產。
英特爾正在進軍芯片代工業務，該公司將與臺積電爭奪芯片設計公司客戶。
臺積電負責業務發展的高級副總裁Kevin Zhang則表示，臺積電到2024年還不會準備好使用新光刻機，新光刻機將主要用于與合作伙伴一起的研究。
參加此次研討會的TechInsights芯片經濟學家丹·哈切森(Dan Hutcheson)表示：“臺積電到2024年擁有新的光刻機，意味著他們將更快地獲得最先進的技術。”“高數值孔徑EUV是下一項重要技術創新，將確保臺積電的芯片技術處于領先地位。”
本周四，臺積電還公布了2納米芯片技術的更多細節。該公司表示，這類芯片仍將按原計劃，于2025年進入量產。此外臺積電表示，已經花15年時間研究所謂的“納米片”晶體管技術，以提高芯片的速度和能效，并將在2納米芯片中首次使用這種技術。
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