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ASML中國：讓摩爾定律重煥光彩，1nm不是難事

時間：2022-05-19

來源：21ic

導語：ASML自信滿滿地指出“在元件方面，目前的技術創新足夠將芯片的制程推進至至少1納米節點，包括gate-all-around FETs(環繞柵極晶體管)，nanosheet FETs，forksheet FETs以及complementary FETs”。

       5月16日是聯合國教科文組織定義的“國際光日”，ASML中國官方在一篇微信推送中寫道“創新，讓摩爾定律重煥光彩”。

　　ASML中國強調，過去15年，摩爾定律依然生效且狀況良好，未來十年甚至更長時間內將繼續保持勢頭。

　　ASML自信滿滿地指出“在元件方面，目前的技術創新足夠將芯片的制程推進至至少1納米節點，包括gate-all-around FETs(環繞柵極晶體管)，nanosheet FETs，forksheet FETs以及complementary FETs”。

　　此外，光刻系統分辨率的改進(預計每6年左右縮小2倍)和邊緣放置誤差(EPE)對精度的衡量也將進一步推動芯片尺寸縮小的實現。

　　據了解，納米之后將進入埃米時代，臺積電、Intel等都制定了雄心勃勃的埃米工藝早期路線圖。也許，技術創新之所以彌足珍貴，內核要義就在于不會被困難打倒。

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