近日業內傳出消息稱，美光科技正在解散150人左右規模的上海研發中心，并挑選40多位核心研發人員提供技術移民美國的資格。

　　有業界人士分析稱，美光解散DRAM設計團隊很有可能是出于防止技術外泄的考慮，并將產品的設計和研發收攏至大陸以外的地區。

　　對此，美光 回應，這次人事調整僅針對該設計中心的 DRAM 設計部門，約有百余名員工受到影響。

　　報導指出，多位美光前員工與在職員工表示，美光此次并非解散整個上海研發中心，僅僅解散DRAM設計部門，該部門總人數超過100人。

　　通過美光員工證實，上海DRAM設計團隊將在今年內完成解散，公司提供技術移民美國資格的消息屬實，部分核心員工將可攜帶家屬一同移民美國，但目前無法確定有多少員工會選擇移民。

　　一名美光前員工透露：“美光的DRAM設計團隊此前有一大波人員流失至國內的本土IC設計公司和存儲大廠。”

　　因此，有半導體行業內人士分析，美光解散DRAM設計團隊很有可能是出于防止技術外泄的考慮，雖然目前國內的DRAM企業數量相對較少，但未來幾年有可能涌現出新的幾家DRAM制造商，且現有DRAM企業也正求才若渴，美光此舉或是想將產品的設計和研發收攏至中國大陸以外地區。加上美光十分重視知識產權保護，因此有可能提前進行部署。

　　值得一提的是，此前美光就曾以專利侵權及竊取商業機密為由起訴了聯電和福建晉華。

　　2016 年5 月，聯電與福建晉華簽署了合作協議。依據該協議，聯電與晉華共同開發兩代動態隨機存取記憶體(DRAM) 制程。協議中所開發的DRAM 制程并非最新技術，而是與2012 年已用于量產技術相似的舊技術。

　　然而，有3 位參與DRAM 合作案的臺灣美光前員工，卻違反與聯電簽訂的雇傭合約與聲明書，攜帶前公司信息進入聯電并于工作中參考，又將機密資料轉移給晉華，美光因此在臺灣起訴聯電，同年又在美國對聯電、晉華提起訴訟，隨后美國司法部開始調查。

　　2020年10 月28 日，聯電對竊取美光商業機密一案認罪，遭美國司法部處以6，000 萬美元罰金。

　　聯電當時指出，在與美國司法部的和解協議中，美國司法部同意撤銷對聯電原來包括共謀實施經濟間諜活動、共謀竊取多項美光營業秘密和專利有關等指控。聯電承認侵害一項營業秘密，同意支付美國政府6，000 萬美元的罰金，并在3 年自主管理的緩刑期間內與美國司法部合作。

　　2021年11月，聯電和美光宣布達成全球和解協議，雙方將各自撤回向對方提出的訴訟，同時聯電將向美光一次支付金額保密的和解金，雙方將共創商業合作機會。

　　美光科技表示，其為創新記憶體和儲存空間解決方案的業界領導者，擁有超過40 年技術引領與創新經驗及總數超過47，000 件的全球專利，積極大幅投資于先進研發及制造。該公司持續推動對于數據經濟至關重要的各項創新，對于智慧財產權的保護則是公司保持競爭力的重要基石。

　　市場調研公司Counterpoint的報告顯示，目前在全球市占率中，三星(41.5%)與SK海力士(29.3%)、美光(23.4%)便掌握全球九成份額。反觀國內DRAM企業相對少，目前國內專注于DRAM存儲芯片的合肥長鑫雖然已有所突破，但與國際大廠仍有很大差距。