傳感新品

　　【Terranet聯合奔馳推出超快速ADAS傳感器】

　　近日，針對安全問題的駕駛輔助軟件開發商Terranet AB在STARTUP AUTOBAHN展會上與梅賽德斯-奔馳聯合展示了其專利的3D VoxelFlow傳感器技術。

　　VoxelFlow采用高速傳感器技術，能夠掃描車輛周圍半徑為40米的區域并在短至3毫秒內做出反應。使自動駕駛（AD）和ADAS能夠快速、準確地理解和解讀前方的情況，增強了現有的雷達、激光雷達和攝像頭系統。

　　通過奔馳和Terranet的聯合項目，VoxelFlow傳感器數據被輸入到奔馳導航系統“LiveMap”的安全地圖中，該地圖會實時更新。兩種技術結合在一起可以動態感知移動的物體，并隨后識別事件和危險點。

　　Terranet與戴姆勒（Daimler）之間的合作旨在極大地改善整體導航體驗，并使道路更安全。

　　【三菱電機推出80x60像素熱敏二極管紅外傳感器】

　　近日，三菱電機宣布其紅外（MelDIR）傳感器產品線將于7月1日推出具有寬視場（FoV）和高視野的新型熱傳感器。

　　該新型MelDIR傳感器有著80x60像素分辨率，適用于安全，供暖，通風和空調（HVAC），人數統計，智能建筑和熱掃描儀等應用。此外，還可以準確地區分人類和其他熱源，并能夠識別人類的特定行為，例如步行，跑步或舉手。

　　與傳統的80x32像素MelDIR相比，新型MelDIR傳感器檢測面積大2-4倍，并且100mK或0.1oC的熱分辨率相似。幀速率也提高了一倍，并針對周圍區域優化了靈敏度校正，可提供出色的熱圖像。

　　【研究人員開發出一體式皮膚貼片傳感器】

　　最近，加利福尼亞大學的工程師宣布開發出一種傳感器皮膚貼片，該貼片具有靈活性并能夠讀取多種刺激行為的數據。比如，戴在脖子上的新傳感器可以同時監測血壓和心率，同時還可以記錄皮膚汗液中的乳酸，酒精和咖啡因。

　　新型傳感器的拉伸能力使其可以隨皮膚移動和變形，這對于其可靠性至關重要。此外，與皮膚一起移動的彈性傳感器比傳統傳感器舒適得多。因此，它的應用范圍擴展到了外部醫院，以及慢性病患者的家中。

　　該傳感器使用簡單的絲網印刷方法在彈性聚合物上創建電極。葡萄糖傳感器通過在兩個電極之間施加電流來工作，并且該電流使人體釋放組織液（即細胞之間的液）。生成的液體包含與血液中的含量成比例的葡萄糖，因此傳感器可以確定人體中的葡萄糖量。

傳感動態

　　【索尼收購英特爾專利，以用于圖像傳感器的設計中】

　　2020年底，有報道稱索尼獲得了多項英特爾專利。一家知識產權分析博客LexisNexis公布了其對這些專利的分析。

　　"相應的重新分配文件列出了35個擁有活躍的美國專利的簡單專利族。從附圖中可以看到，該產品組合包含各種技術，例如封裝，半導體工藝，系統，計算機內存和圖像投影。令人驚訝的是，有幾張首頁圖紙指向了全能柵極晶體管（GAA）技術，這是預期的下一個晶體管技術。

　　這一發現是始料未及的。索尼在先進的CMOS晶體管技術方面并不活躍，比如GAA，或者說至少鮮為人知。

　　有10個專利系列即將用于全能晶體管，而3個專利系列則涉及finFET晶體管。從表面上看，所描述的結構和方法甚至與文獻中公布的柵極全繞結構相似。

　　索尼憑借少量但強大的GAA產品組合排名第六。投資組合規模（簡單專利家族的數量）和投資組合強度（專利資產指數）之間的差異非常明顯：投資組合強度是投資組合規模的10倍以上。由于專利資產指數是競爭影響力與投資組合規模的乘積，因此該比率表明了通過PatentSight競爭影響力衡量的索尼全能專利的高平均質量。”

　　BusinessKorea認為，英特爾GAA專利將用于未來索尼圖像傳感器的設計中。

　　【華為公開“屏下指紋”相關專利，可延長指紋提示區域顯示器件使用壽命】

　　3月13日，華為技術有限公司公開了“屏下指紋”技術的相關專利。

　　在專利簡要中，華為介紹新專利為“一種指紋提示圖案的顯示方法、屏下指紋的解鎖方法和裝置”。專利申請日為2019年9月11日，公開號為CN112487845A。專利摘要顯示，本申請提供的指紋提示圖案的顯示方法有利于提高指紋提示區域顯示器件的使用壽命。

　　【三星演示3nm MBCFET芯片：采用納米片結構制造晶體管】

　　3月13日，三星電子和臺積電目前都計劃開展3nm制程工藝研發。據外媒TomsHardware消息，三星在IEEE國際固態電路會議（ISSCC）上，三星工程師分享了即將推出的3nm GAE MBCFET芯片的制造細節。

　　GAAFET晶體管（閘極全環場效晶體管）從構造上有兩種形態，是目前FinFET的升級版。三星表示傳統的GAAFET工藝采用三層納米線來構造晶體管，柵極比較薄；而三星MBCFET工藝使用納米片構造晶體管，三星已經為MBCFET注冊了商標。三星表示，這兩種方式都可以實現3nm，但取決于具體設計。