隨著5G時代的到來，網絡傳播速度將會得到極大幅度的提升，5G速度為何如此之快？正是因為它擁有一顆非常強大的心臟，而這顆心臟依賴的就是一片薄如紙的碳化硅晶片。

碳化硅晶片

強大性能

作為目前全球最先進的第三代半導體材料，雖然從外表看只是個小圓片，但碳化硅晶片是制造耐高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的不二之選。除5G通信外，在國防、航空航天、新能源汽車、智能電網和通訊基站等領域，也有著廣闊的應用前景。

核心科技

除了功能強大，碳化硅晶片之所以如此珍貴的另一個更為重要的原因，是碳化硅單晶制備工藝十分復雜。其中，高穩定性的長晶工藝技術是其核心，原來只有美國等少數發達國家掌握。而中國近年來在碳化硅晶片領域奮力追趕，從基本原理研究逐漸掌握了碳化硅單晶制備技術，并一步一步走向了產業化。

從長期依賴進口、被國外“卡脖子”，到掌握批量生產技術、實現完全自主供應。近年來，中國的碳化硅研制與生產成效卓著，中國電科（山西）碳化硅材料產業基地可謂功不可沒。目前該基地可生產4英寸高純半絕緣4H-SiC單晶襯底、6英寸高純半絕緣4H-SiC單晶襯底、6英寸N型4H-SiC單晶襯底、莫桑晶體。

高效產能

中國電科（山西）碳化硅材料產業基地是全國最大的碳化硅生產基地。由中國電子十一院設計，2019年開始建設，2020年3月正式投產。該項目產能預計可達到：N型晶片18萬片/年；高純晶片6萬片/年（其中：6英寸片5萬片/年，4英寸片1萬片/年），均為第三代半導體碳化硅產品。

這樣功能強大的碳化硅晶片，對研發環境有著極為嚴苛的要求。由于碳化硅具有十分穩定的特性，所以在一些惡劣環境下仍可穩定工作。也正是因為穩定的化學特性，碳化硅生產的技術門檻非常高。而設備的配套產品和功能元器件需要滿足長期、穩定、可靠使用的要求，同時具備節能效果。因此，具有連續工作高穩定性和良好精度保持性就成為該項目的考察重點。

40余臺變頻器，釋放強大性能

丹佛斯變頻器憑借其穩定的性能及節能的特點成功應用于該碳化硅基地項目的空調及風機系統。目前共有40余臺丹佛斯VLT? AutomationDrive FC300變頻器，功率7.5KW~315KW，自投產至今運行正常。

丹佛斯變頻器在碳化硅單晶技術研發過程中發揮哪些重要作用呢？

丹佛斯VLT變頻器在此項目中，主要應用于工藝冷卻水系統（簡稱：PCW），對碳化硅生產環節中最重要工藝設備——單晶生長爐進行冷卻，丹佛斯變頻器對工藝冷卻水的流量、流速、壓力、溫度、濕度精準把控，保護核心動力，有效避免因設備問題造成損失。另外，丹佛斯變頻器應用于空調系統，因其具備性能穩定、控制精確的特點，為輔助單晶生長爐穩定運行提供可靠環境條件。

那么丹佛斯VLT? AutomationDrive FC300變頻器還有哪些應用優勢呢？ 

高級監控，精確控制

使用增強型高級應用監控功能可以跟蹤風扇、泵和壓縮機的狀態，這意味著可以延長使用壽命、降低維修成本以及減少停機時間。

惡劣環境穩定運行

丹佛斯變頻器在最高50°C環境溫度時無降容，而超過50°C時則自動降容，從而能在極端環境條件下繼續降容，保持穩定運行。

高效節能

變頻驅動是控制風扇和泵機長期運行的有效方式，每年節約成本約為變頻器成本的5%-10%。因此，丹佛斯變頻器能保證最大正常運行時間和最低成本。

在碳化硅單晶制備技術成功研發的背后，是丹佛斯與中國電科在半導體材料領域的一次成功合作。丹佛斯變頻器為技術研發提供穩定的環境條件，自投入生產以來，全部設備平穩運行，保障技術研發過程的順利進行。

丹佛斯變頻器強大性能深受客戶的認可和信任，為此丹佛斯將繼續努力前行，為大家帶來更多功能強大的產品，提供更加優質的解決方案及服務，與廣大合作伙伴一道為中國尖端技術的發展貢獻力量！

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關于中國電科（山西）碳化硅材料產業基地

中國電科（山西）碳化硅材料產業基地，一期項目建筑面積2.7萬平方米，能容納600臺碳化硅單晶生產爐和18萬片N型晶片的加工檢測能力，可形成7.5萬片的碳化硅晶片產能，項目投產后將成為中國前三、世界前十的碳化硅生產企業，可實現年產值10億元。