2018年12月24日,專注于引入新品的全球電子元器件授權分銷商貿澤電子(MouserElectronics)即日起備貨TexasInstruments(TI)的LMG3410R070600V70m?氮化鎵(GaN)功率級產品。LMG3410R070具有超低的輸入和輸出電容,支持高功率密度電動機應用的新要求,適合的應用包括工業級和消費級電源。此款高性能GaN功率級產品支持的電流、溫度、電壓和開關頻率比硅晶體管更高,同時還可減少高達80%的開關損耗。
貿澤電子供應的TILMG3410R070GaN功率級產品集成有柵極驅動器和穩定可靠的保護功能,可提供比硅MOSFET和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)更出色的性能。該器件具有零共源極電感、25至100V/ns可由用戶調整的壓擺率以及適合兆赫級作業的20ns傳播延遲。這款穩定可靠的IC提供過電流保護,支持超過150V/ns壓擺率的抗擾性、過熱保護以及瞬態過電壓抗擾性,且所有供電軌皆具備過電壓鎖定保護功能。LMG3410R070功率級產品采用尺寸小巧的8mm×8mmQFN封裝,無需外部保護元件,有助于簡化設計和布局流程。
功能強大的LMG3410R070很適合搭配KEMETElectronics的KC-LINK表面貼裝電容器使用。KC-LINK電容器經過特別設計,具有極低的有效串聯電阻和熱阻,可幫助裝置承受高頻率、高電壓DC鏈路應用的應力,從而滿足TILMG3410R070IC等快速開關半導體的需求。
TILMG3410R070功率級產品提供優異的功率密度,有助于實現totem-polePFC之類的高效拓撲,幫助電源縮小高達50%的尺寸。LMG3410R070IC適合的應用包括多級轉換器、太陽能逆變器、高電壓電池充電器和不間斷電源。
有關如何將TILMG3410R070GaN功率級產品與KEMETKC-LINK電容器搭配以實現GaN電源解決方案效率最大化,請訪問eng.info.mouser.com/kemet-ti-gan-solutions。
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