【中國傳動網 市場分析】 三星的最近兩年資本支出為468億美元，幾乎與英特爾和臺積電近兩年合起來的484億美元資本支出一致。

ICInsights在本月早些時候發布的2018年11月更新版McCleanReports2018中，修正了對半導體行業總資本支出的預測，并公布了對單個公司半導體資本支出的預測。

預計三星將在2018年再次擁有所有IC供應商的最大資本支出預算。在2017年為半導體資本支出投入242億美元后，ICInsights預測三星的支出將略微下滑，但今年仍將保持在的226億美元的強勁水平。如果達到這個數額，三星的兩年半導體資本支出將達到驚人的468億美元。

如圖所示，從2010年開始，三星的半導體資本支出就超過了100億美元。到2016年為止，平均每年為120億美元。然而，繼2016年支出僅113億美元后，三星2017年的半導體資本支出預算增加了一倍以上，達到了驚人的242億美元。今年也繼續保持著令人驚嘆的資本支出。

ICInsights認為，三星近兩年的大規模支出將在未來產生深遠的影響。已經造成的影響是3DNAND閃存市場的產能過剩。這種產能過剩的情況不僅歸因于三星對3DNAND閃存的巨額支出，還來自競爭對手（例如SK海力士，美光，東芝，英特爾等）的資本投入，這些競爭對手試圖跟上這個細分市場的步伐。

隨著DRAM和NAND閃存市場在2018年前三季度出現強勁增長，SK海力士今年的資本支出也增加。在今年第一季度，SK海力士曾表示，計劃今年將其資本支出增加“至少30％”。在11月的更新中，ICInsights則預測SK海力士的半導體資本支出將增長58％。

SK海力士今年增加的資本支出主要集中在兩個大型內存晶圓廠，韓國清州的3DNAND閃存晶圓廠，以及中國無錫大型DRAM晶圓廠的擴建。清州工廠將在今年年底完工，無錫工廠也比原始的2019年初開始日期提早幾個月，將在今年年底完成，

ICInsights預計，今年半導體行業的資本支出總額將增長15％至1071億美元，這是半導體行業首次實現年度行業資本支出超過1000億美元。繼今年全行業增長之后，預計2019年的半導體資本支出將下降12％。

鑒于目前內存市場的疲軟預計至少會延續到明年上半年，2019年，三大內存供應商三星、SK海力士和美光的總資本支出預計將從今年的454億美元下降至375億美元，降幅達到了17％。

總體而言，預計今年占半導體行業總支出的66％的前五大IC供應商預計將在2019年削減14％的資本支出，而其余的半導體行業公司將下降7％。