傳動網 > 新聞頻道 > 技術前沿 > 資訊詳情

長江存儲全球首創三維閃存研發技術:I/O速度看齊DDR4

時間:2018-08-09

來源:網絡轉載

導語:談到NAND閃存,或者說以它為代表的SSD產品,多數人對速度的理解集中在像是SATA3/PCIe3.0等外部接口上,但其實閃存芯片也有內部接口,LGA/BGA都有引腳,所以就有引腳帶寬,即I/O接口速度的概念,一定程度上可理解為內頻。

【長江存儲全球首創三維閃存研發技術:I/O速度看齊DDR4】談到NAND閃存,或者說以它為代表的SSD產品,多數人對速度的理解集中在像是SATA3/PCIe3.0等外部接口上,但其實閃存芯片也有內部接口,LGA/BGA都有引腳,所以就有引腳帶寬,即I/O接口速度的概念,一定程度上可理解為內頻。

今晨結束的FlashMemorySummit(閃存技術峰會)的首日Keynote上,長江存儲(YangtzeMemoryTechnology,YMTC)壓軸出場,介紹了新的3DNAND架構Xtacking。

長江存儲稱,數據產生的能力和貯存能力的增長是嚴重不對等的,2020年左右將產生47ZB(澤字節,470萬億億比特),2025會是162ZB。雖然多數數據可能是垃圾,但存儲公司沒有選擇性,其唯一目標就是盡可能多地保存下來。

長江存儲將NAND閃存的三大挑戰劃歸為I/O接口速度、容量密度和上市時機,此次的Xtacking首要是提高I/O接口速度,且順帶保證了3DNAND多層堆疊可達到更高容量以及減少上市周期。

當前,NAND閃存主要沿用兩種I/O接口標準,分別是Intel/索尼/SK海力士/群聯/西數/美光主推的ONFi,去年12月發布的最新ONFi4.1規范中,I/O接口速度最大1200MT/s(1.2Gbps)。

第二種標準是三星/東芝主推的Toggle?DDR,I/O速度最高1.4Gbps。不過,大多數NAND供應商僅能供應1.0Gbps或更低的I/O速度。

此次,Xtacking將I/O接口的速度提升到了3Gbps,實現與DRAMDDR4的I/O速度相當。

那么長江存儲是如何實現的呢?

據長江存儲CEO楊士寧博士介紹,Xtacking,可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨立加工。當兩片晶圓各自完工后,Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數百萬根金屬VIA(VerticalInterconnectAccesses,垂直互聯通道)將二者鍵合接通電路,而且只增加了有限的成本。

官方稱,傳統3DNAND架構中,外圍電路約占芯片面積的20~30%,降低了芯片的存儲密度。隨著3DNAND技術堆疊到128層甚至更高,外圍電路可能會占到芯片整體面積的50%以上。Xtacking技術將外圍電路置于存儲單元之上,從而實現比傳統3DNAND更高的存儲密度(長江的64層密度僅比競品96層低10~20%)。

在NAND獲取到更高的I/O接口速度及更多的操作功能的同時,產品開發時間可縮短三個月,生產周期可縮短20%,從而大幅縮短3DNAND產品的上市時間。

應用

長江存儲稱,已成功將Xtacking技術應用于其第二代3DNAND產品的開發。該產品預計于2019年進入量產,現場給出的最高工藝節點是14nm。

 

中傳動網版權與免責聲明:

凡本網注明[來源:中國傳動網]的所有文字、圖片、音視和視頻文件,版權均為中國傳動網(www.hysjfh.com)獨家所有。如需轉載請與0755-82949061聯系。任何媒體、網站或個人轉載使用時須注明來源“中國傳動網”,違反者本網將追究其法律責任。

本網轉載并注明其他來源的稿件,均來自互聯網或業內投稿人士,版權屬于原版權人。轉載請保留稿件來源及作者,禁止擅自篡改,違者自負版權法律責任。

如涉及作品內容、版權等問題,請在作品發表之日起一周內與本網聯系,否則視為放棄相關權利。

關注伺服與運動控制公眾號獲取更多資訊

關注直驅與傳動公眾號獲取更多資訊

關注中國傳動網公眾號獲取更多資訊

最新新聞
查看更多資訊

熱搜詞
  • 運動控制
  • 伺服系統
  • 機器視覺
  • 機械傳動
  • 編碼器
  • 直驅系統
  • 工業電源
  • 電力電子
  • 工業互聯
  • 高壓變頻器
  • 中低壓變頻器
  • 傳感器
  • 人機界面
  • PLC
  • 電氣聯接
  • 工業機器人
  • 低壓電器
  • 機柜
回頂部
點贊 0
取消 0