【持續漲價被終端廠商投訴，韓國三星、海力士、美光科技三大存儲芯片巨頭被調查】因持續漲價被終端廠商投訴、歷經發改委兩次約談之后，針對韓國三星、海力士，美國美光科技三大存儲芯片巨頭的反壟斷調查終于啟動。

2018年5月31日，中國反壟斷機構派出多個工作小組，分別對三星、海力士、美光三家公司位于北京、上海、深圳的辦公室展開“突襲調查”和現場取證，標志著中國反壟斷機構正式對三家企業展開立案調查。目前，三星已經公開回應稱“正在協助調查”。

三星、海力士、美光是全球三大存儲芯片巨頭，在DRAM、NAND兩大產品線中占據全球絕大多數市場份額。2016，因行業技術更迭、企業生產線換代，全球存儲芯片市場出現近年來罕見的供不應求，并于2016年Q3全面進入漲價通道。其后漲價帶來的成本壓力傳遞至手機、固態硬盤、內存條等消費級產品。

時至今日，多位業內人士告訴21世紀經濟報道記者，“幾大巨頭產能都已經能滿足市場，供求已經平衡，甚至供過于求。漲價幅度雖然比以前小了，但價格卻降不下來。”至今，漲價周期已持續兩年。

2017年12月，因終端企業持續投訴，發改委關注到“DRAM行業價格的飆升”，發改委約談三星，并表示將會更多關注由行業“價格操縱”行為引發的問題。2018年兩會之后，發改委、商務部、工商總局的反壟斷部門合并到新成立的市場監督總局反壟斷局。5月份，反壟斷部門就持續漲價問題約談美光。

根據海關數據，2017年中國進口存儲器889.21億美元，同比2016年的637.14億美元增長了39.56%。存儲產品的持續漲價給中國產業造成了高成本負荷。

目前，三星已經公開回應稱“正在協助調查”。

漲價改變行業格局

2017年，全球DRAM、NAND市場分別增長74%、46%，達到722億美元、538億美元，三星、海力士、美光三巨頭成為最大的受益者。根據IHSMarkit此前發布數據，在DRAM市場，三星、海力士、美光市場份額分別為44.5%、27.9%、22.9%，三家合計占比95.3%；在NAND市場，三星、海力士、美光市場份額分別為39%、10.5%、11.3%，合計60.8%。

因存儲市場暴漲，全球半導體排名發生較大變化。2017年，三星半導體業務收入暴漲50%，以超過600億美元的收入首次超越Intel登上全球第一的寶座。與此同時，海力士、美光也水漲船高，分別從第四名、第六名躍居第三、第四名。根據Gartner數據，海力士、美光收入分別增長了79%、78%。

2016年Q1-2018年Q1的漲價區間中，三星存儲芯片業務收入從79.4萬億韓元增至173.3萬億韓元，增長118%；海力士收入從3.65萬億韓元增至8.72萬億韓元，增幅139%；而美光收入則從29.3億美元增至73.5億美元，增長151%。

同期，三星股價從2016年初的2.5萬韓元增至如今的5萬韓元，海力士則從3萬韓元漲至9萬韓元，美光每股股價則從14美元飆升至58美元，漲幅314%。

值得一提的是，在存儲芯片瘋狂漲價期間，美國一家律所開始就這一現象展開調查。在中國反壟斷部門約談、調查三巨頭期間，美國律所HagensBerman于2018年4月27日在美國加州北部地區法院向美光、三星、海力士發起反壟斷集體訴訟。

該律所稱調查顯示，DRAM制造商協商同意通過限制DRAM的供應來提高DRAM的價格。2017年，DRAM每比特價格上漲47%，是30年來最大漲幅，其中4GBDRAM產品價格上漲了130%。早在2006年，HagensBerman就曾經代理過類似DRAM反壟斷訴訟，并為其代理人贏得了3億美元和解費用。

在1999-2002年的全球互聯網危機期間，三星、海力士、英飛凌、爾必達、美光5家DRAM企業曾達成價格協議，控制全球DRAM市場價格。當時，美國Dell、HP、蘋果、IBM等計算機公司直接承受漲價帶來的成本壓力。2002年，美國司法部開始起訴上述公司，并于2005-2006年間做出總計7.29億美元的違法處罰以及壟斷收入罰款。

“逆周期”殺手锏

而今天，中國企業因存儲芯片漲價受到的影響遠超美國當年的電腦企業。2017年，國內所有旗艦手機普遍漲價200-300元，而內存條在2017年漲價幅度高達300%-400%。

財報顯示，2017財年，美光在中國收入103億美元，占其總收入51%。海力士2017年在中國收入10萬億韓元，占其總收入33.5%。同時，三星在中國收入31.6萬億韓元，占其總收入23.3%。其中，三星中國半導體、上海三星半導體兩大公司2017年收入總計28.7萬億韓元，約253.9億美元。

2017年，受益于存儲芯片漲價，韓國向中國大陸出口機電類產品總額達到738億美元，同比增長了24.7%。

不過，相比于現階段中國電子制造業承受的漲價壓力，更值得關注的是接下來的中國存儲產業面臨的全球競爭。

在上世紀90年代，日本存儲芯片曾經占據全球50%的市場份額。但是，三星通過三次“逆勢擴張”成功將日本企業趕下神壇。80年代中期、90年代末，三星總是在DRAM市場下滑期間增加投資、擴充產能，不斷壓低行業價格、蠶食日本企業的市場份額。2008年金融危機期間，DRAM顆粒價格跌幅超過80%，而此時三星卻將2007年總利潤的118%用于DRAM擴產，加劇價格下跌造成行業虧損，這直接加速了日后爾必達的破產，并奠定了三星的霸主地位。

2015、2016年間，三星在半導體業務投入資金分別為14.7萬億、13.1萬億韓元，占總Capex比均超過50%。而2017年，三星半導體業務資本支出飆升至27.3萬億韓元，約242億美元。財報顯示，相比于2016年Q1，三星半導體在2018年Q1的產能提升了339%。

目前，已經有多家分析機構預測DARM、NAND市場將供過于求。而此時，海力士預計2018年資本開支115億美元。雖然三星并未公布2018年資本計劃，但其Q1資本開支仍然保持上漲趨勢。

形勢與此前三星的幾次逆勢擴張相似。這對中國的NAND、DRAM產業而言并不樂觀，這意味著，當中國兩座DRAM、一座NAND工廠在進入規模量產階段之后，將直接面臨嚴酷的價格競爭。顯然，在2017年賺足了漲價利潤的國際巨頭，對價格戰的承受能力遠超中國企業。

而除了價格戰之外，中國企業還可能面臨訴訟戰、供應控制等等競爭手段，據知情人士透露，美光科技已經與半導體設備商達成排他性協議，限制向福建晉華供應半導體設備。

日前，手機中國聯盟秘書長老杳發文呼吁：“作為全球最大的電子產品制造基地，中國需要更強有力的市場監督機構保證公平、公正的市場競爭秩序。”

根據財報統計，2016、2017年，三家公司在中國與半導體相關業務收入總計分別達到321億美元、446.8億美元。

根據《反壟斷法》、《反價格壟斷規定》，經營者存在價格壟斷行為的，按照《反壟斷法》第四十六、第四十七、第四十九條進行處罰，處以上一年度銷售額1%-10%的罰款，且需要考慮違法行為的持續時間。以此計算，如果裁定三大巨頭存在價格壟斷行為，那么罰款額或許在4.4億美元-44億美元、8億美元-80億美元之間。

需要指出，美國司法部對DRAM價格壟斷的罰款為銷售收入的20%，而相比之下，國內近年來諸如浙江保險、吉林水泥等價格壟斷案件中，處罰比例僅為銷售收入的1%。

對于毛利率高達60%的存儲芯片產業，1%的處罰相比于壟斷行為帶來的利潤，微不足道。

2.紫光大舉投資半導體被日本高度關注

大陸紫光集團旗下存儲器廠，長江存儲科技，在2018年4月11日舉辦半導體設備安裝典禮，26日公布國家主席習近平訪視生產線的新聞，據日本經濟新聞(Nikkei)網站報導，這顯示大陸對于關鍵半導體產品與技術受制于外國的高度關注，但日本同樣也對大陸的半導體投資抱持高度關注。大陸關注的原因，在于長江存儲這次安裝的生產設備，是3DNAND快閃存儲器生產設備，預定在2018年內展開32層3DNAND快閃存儲器生產，這進度雖然比韓國電子巨擘三星電子(SamsungElectronics)要晚4年，但至少是大陸擺脫完全依賴海外廠商生產NAND快閃存儲器的關鍵一步。

而日本關注的原因，據日經記者在2018年5月21日的現場采訪，3棟工廠的首棟正在加緊趕工，每天約有1,000人出入，其中包括不少日本半導體設備業者，也有從美國矽谷、日本、臺灣、與韓國挖角的半導體產業人才，凸顯大陸的雄心，也讓日本擔心人才與技術外流的問題。在紫光的計劃中，長江存儲武漢廠已經投資相當于3兆日圓(約275億美元)，在2025年以前還要進行1,000億美元以上的投資，等到2025年，武漢廠的3DNAND快閃存儲器產能，將達目前世界最大NAND快閃存儲器工廠、日本東芝存儲器(TMC)四日市工廠的1.5倍，每月100萬片。

雖然先進半導體生產不是買了設備就能馬上出貨，還需要不少調整改進產品良率，更何況長江存儲科技引進的技術，已經落后于國際主要NAND快閃存儲器廠商，但有規模遠大于東芝存儲器的投資計劃，還有10年時間與大量挖角的人才，日本少數仍具國際競爭力的半導體產品，NAND快閃存儲器，勢將危殆。至于專利障礙問題，紫光集團現在積極透過海外購并與出資的方式，希望獲得合作對象，購并美光(MicronTechnology)雖為美國政府阻擋，但紫光仍與美光及英特爾(Intel)進行技術合作討論，希望借此獲得若干專利使用權，現在為回避美國與大陸的貿易戰問題，動作較小，但據日經報導，仍持續推動。

3.無晶圓廠商增長強勁新興科技再促半導體產業升級；

近日，科技產業調研機構Technavio發布的一份報告顯示，受新興前沿科技需求推動，全球無晶圓（fabless）IC市場將繼續保持強勁的增速，2018至2022年復合年增長率將達7.9%。

上世紀80年代早期，典型的半導體廠商均需要自己完成包括研發IC設計程序、設計和制造相關設備、進行封裝和測試在內的全部工作。

“那時，產業還未達到1微米制程的節點。隨著產業的發展，工藝尺寸持續縮小，集成也愈發復雜，IDM模式的成本在呈指數型增長。”市場調研機構StrategyAnalyticsRF和無線組件研究服務總監ChrisTaylor對記者表示。

半導體制造業規模經濟性的特征因此愈發明顯，高昂的投資成本已使得眾多廠商無力擴張。在此背景下，只進行硬件芯片的電路設計，設計之后再交由晶圓代工廠制造為成品，并負責銷售產品的無晶圓運營模式開始興起，垂直分工模式走向繁榮。

無晶圓模式增勢延續

在Taylor看來，晶圓代工廠商臺積電（TSMC）在1987年的成立是無晶圓模式發展的重要里程碑。Taylor認為：“如今，對于一個半導體廠商來說，自己完成全部流程已變得不可能。即便是英特爾這樣的巨頭，也需部分委托于一些代工廠，且設計軟件和制造設備均依賴于第三方。”

輕裝上陣的優勢促成了無晶圓廠商的繁榮。半導體行業分析機構ICInsights數據顯示，2000年至2016年間，全球無晶圓廠商增速低于IDM廠商的情況只在2010年和2015年出現過兩次。

2003年，高通（Qualcomm）憑借當年24億美元的營收，成為了第一家進入全球半導體廠商20強的純IC設計公司，無晶圓廠商正式開始在半導體產業占據重要地位。而到2018年第一季度，業界已有博通、高通、英偉達、蘋果等4家無晶圓廠商營收排名進入前15，此外，從事代工的臺積電更是位列第三。

營收在2017年位列無晶圓廠商之首的高通是該模式的代表廠商之一，這一模式的成功在其身上已被證明。

在成立之初的1985年，高通公司正聚焦于蜂窩系統的發展，以及與之相應的核心標準制定。“那時，公司有基礎設施部門、芯片業務部門、研發部門和手機業務部門，確實曾是一個垂直一體化的企業，這有助于我們對產業科技標準的制定。”高通公司一位發言人在采訪中對21世紀經濟報道記者表示。

不過隨著該領域標準的發展，我們意識到垂直一體化已并非必要。所以，我們出售了其余部門，成為了一家更聚焦的半導體公司，同時也成為了該產業的核心基礎研發引擎。”他說。

東亞在晶圓代工領域占據著重要地位，這也顯示出了代工模式下的全球分工。據集邦咨詢（TrendForce）5月24日更新的數據，2018年第一季度全球前10大晶圓代工廠商中，中國臺灣、中國大陸、韓國三地的廠商合計占據7席，市占率高達83.6%。

“重要的是我們所設計的產品能滿足客戶未來的需求，這也取決于代工廠商能夠提供何種程度的幫助，保證我們的出貨量，并平衡各業務部門的產能。”上述高通發言人表示，

“全球化的分工已是我們戰略的一部分，目前來看這十分有效。”

不過在2017年，無晶圓廠商增長又一次落后于了IDM廠商，盡管這一年前者營收首次突破了1000億美元。但ICInsights指出，這實際上更多源于近年存儲市場的這波漲價潮——存儲廠商多采用IDM模式。以DRAM為例：2017年全球IC市場增速達25%，不計DRAM的增速則僅為16%。

集邦咨詢拓墣產業研究院研究經理林建宏對記者指出，IDM和無晶圓模式的取舍往往與廠商自身產品及規模有關，若產品的銷售規模仍在高速增長，IDM模式也能有良好的增長動能，如今的DRAM和NAND閃存均是例證。

前沿科技帶動產業增長

Technavio認為，隨著物聯網設備對互通性的需求的增加和聯網設備的興起，IC廠商需要合作對開源平臺進行開發，以設置相應的IoT設備之間的互通標準和要求。此外，該報告還強調了汽車工業對無晶圓廠商增長的驅動。

“汽車市場預計將在預測時間段內持續增長。受此影響，能夠支持部分或高度自動化，直至全自動駕駛的半導體集成電路的需求將顯著增長。”一位Technavio分析師表示。

而仍以高通為例，其崛起同樣與技術革新有著分不開的聯系。伴隨著蜂窩網絡技術在90年代初的發展，移動通話開始普及，且通話質量也正在提升。但彼時，高通已開始著手于移動數據網絡的應用。

“大概是自1993年起，我們開始將PC領域的一些IP應用到蜂窩網絡中，并將部分互聯網協議引入蜂窩網絡的標準中。”上述高通發言人對21世紀經濟報道記者表示，“盡管當時互聯網的發展進程明顯快于移動網絡，但我們在那時就已完成了基礎設計布局。我們看好移動網絡的未來，所有人都會擁有手機，并通過手機接入移動網絡，這會成為一個趨勢。”

引領了多次“G”升級的高通，自2008年首次進入全球10大半導體廠商之列后便再未缺席。2017年，高通營收在全球半導體廠商（不含晶圓代工）中位列第6，而仍在等待審批，以完成來自高通的收購的恩智浦（NXP）排名則為第10。

不過，在5G、物聯網、人工智能等前沿科技所領跑的“第四次科技革命”中，高通公司的新“遠景”正在向其賴以成功的“手機”之外拓展。

“我們認為，未來幾乎所有終端都會具有連接性、智能化，而這很大一部分將脫胎于智能手機行業。我們在該領域的經驗和核心技術已使得我們處于一個有利位置。”高通方面表示。

這在高通對待5G、物聯網和人工智能的態度上都得到了體現。高通方面介紹稱，在物聯網趨勢下，隨著越來越多的設備趨向智能化、聯網化，應用場景也會愈發具體化，因此也會出現面向不同垂直領域的定制化芯片。

此外，高通方面認為，4G向5G的升級已不再局限于手機通訊和數據傳輸的提升。工業物聯網、消費電子、醫療保健等產業都將是5G的應用場景，這也就需要除手機廠商、網絡運營商、基礎設施廠商和半導體廠商外，有更多的產業參與其定義。5G將成為一個不只局限于滿足手機行業的更加靈活的網絡架構。21世紀經濟報道

4.國家制造業創新中心落戶復旦張江校區聚焦集成電路研發

位于復旦大學張江校區里的國家集成電路創新中心，在今年1月份已獲批上海市集成電路制造業創新中心。幾天前，由工信部、中科院、中國工程院等單位專家出席的論證會上，一致通過了該中心“升格”為國家制造業創新中心的建設方案。

一流平臺：產學研攜手攻關

復旦大學微電子學院執行院長張衛教授說，中心依托上海集成電路制造創新中心有限公司，采用“公司+聯盟”的產學研一體化方式，由復旦大學牽頭，聯合行業龍頭企業中芯國際、華虹集團等，建立集成電路產業鏈上下游協同機制，以行業協同創新模式組建。上海集成電路制造創新中心有限公司是由復旦大學、中芯國際和上海華虹集團共同出資組建的實體公司。其中，中芯國際是中國內地規模最大、技術最先進的集成電路晶圓代工企業，也是世界先進集成電路晶圓代工企業之一。華虹集團是國家“909”工程的成果與載體，是以集成電路制造業務為核心的多業務平臺共同發展的集成電路產業集團。復旦大學的微電子學科，源于謝希德先生等在上世紀50年代創辦的半導體物理專業，在國內外享有盛譽，擁有國內高校唯一一家集成電路設計領域國家重點實驗室——“專用集成電路與系統國家重點實驗室”。

創新成果：快速低耗存儲器

張江校區里的一幢三層小樓、28名專職“勇士”，這就是這個國家級中心目前的家底，近年來硬是憑著一股闖勁，已經取得了重要創新成果。張衛院長說：“我們研發的半浮柵器件，是一種全新原理的微電子基礎器件，它巧妙地將隧穿場效應晶體管（TEET）和浮柵晶體管相結合，構建成了一種全新原理的微電子器件，我們把它命名為半浮柵晶體管(Semi-FloatingGateTransistor，簡稱SFGT)。它的優點是速度快、功耗低。這項成果得到了國際同行的廣泛關注，評價這項成果時將它稱為‘晶體管中的混合動力賽車登場了’。”美國一家技術咨詢公司對這項成果給出的評價是：“半浮柵晶體管能夠解決動態隨機存儲器(DRAM)芯片面臨的技術問題，有潛在的技術能力來替代DRAM。”

此外，半浮柵晶體管還可應用于CPU芯片的緩存。現有緩存通常采用6個晶體管構成的SRAM結構，集成度低、占用面積大。如果采用半浮柵晶體管，則面積能縮小為原來的20%。SFGT還可以應用于圖像傳感器芯片(APS)，提高填充因子，使圖像傳感器芯片的分辨率和靈敏度得到顯著提升。

研發目標：3納米集成電路

現在，張衛教授的心里頗為踏實，由復旦大學牽頭組建的國家集成電路創新中心，能夠充分發揮高校和科研院所資源共享的優勢，為產業界合作搭建共性技術研發平臺；可以更好地匯聚高端人才，開展源頭創新，掌握核心技術，從而增強集成電路領域的國際合作能力，為我國集成電路產業技術提升提供服務，并為產業發展提供人才支撐。

“我們是一個中立的、公共的共性技術研發平臺，跟企業的研發中心不一樣。企業研發中心主要是做目標產品技術的研發，我們這個中心是瞄準集成電路的關鍵共性技術，突出共性技術研發能力、行業服務與成果轉化的能力。”張衛說，共性技術研發工作目前主要集中在5納米及以下集成電路的共性技術，聚焦新器件新工藝研發，目的是解決我國集成電路主流技術方向選擇和可靠技術來源問題，支持高端芯片在國內制造企業實現生產。“中心目前正在開展納米線圍柵器件、半浮柵晶體管等新器件和新工藝的研發，到2022年年底，將系統地開展集成技術研發，打通5納米集成電路關鍵工藝，并開展3納米前瞻技術的研發，建成具有國際影響力的集成電路先進技術創新中心。”張衛介紹說，復旦大學在張江校區已規劃了建設約2.9萬平方米的微納電子樓，未來將用于這個國家集成電路創新中心，爭取三年里打造一支由180名專職科研人員組成的集成電路研發“第一方陣”。

5.華虹半導體現破頂傳公司冀月產4萬芯片

華虹半導體(19.9,0.08,0.40%)（01347）現升1.92%，報20.2元；成交約114萬股，涉資2305萬元．盤中高見20.55元破頂。

恒指現報30923，上升430點，主板成交184.99億元。

據聞華虹計劃將無钖生產線擴大產能，到2020年月產可達4萬芯片．公司早前獲麥格理維持跑贏大市評級，目標價23元。