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AI、大數據高速增長 半導體新材料“鈷”趁勢崛起

時間:2017-12-28

來源:網絡轉載

導語:隨著人工智能(AI)和大數據高速增長,擴大了高速運算需求量,進一步推動半導體產品向高效能,低功耗發展。半導體新材料“鈷”趁勢崛起,并且每天將產生爆量的千億筆數據。

隨著人工智能(AI)和大數據高速增長,擴大了高速運算需求量,進一步推動半導體產品向高效能,低功耗發展。半導體新材料“鈷”趁勢崛起,并且每天將產生爆量的千億筆數據。

人工智能(AI)及大數據興起,促使半導體不斷朝高效、體積小、低功耗發展。為此,應用材料(AppliedMaterials)以全新材料「鈷」取代銅,降低個位數奈米半導體導線制程電阻,使導線的導電性更佳和功耗更低,且讓芯片體積得以更小,進一步推動摩爾定律可延伸至7奈米,甚至到5奈米及3奈米以下的先進制程中。

應用材料公司集團副總裁暨臺灣區總裁余定陸表示,以數據處理、儲存與運算以及相互鏈接為例,未來智能城市、智能工廠、智能車、智能飛機、社群網絡等,每天將產生爆量的千億筆數據,可想而知須要提出創新的解決方案來解決運算的問題。

余定陸說,海量數據為云端及終端裝置帶進更多創新,而為滿足高速運算需求,半導體制程也變得愈加復雜;要維持高效能且將芯片體積持續縮小,半導體材料勢將會跟著演進。

據悉,當半導體金屬沉積制程進入7奈米以下技術節點時,鏈接芯片中數十億個晶體管的導線電路將漸漸成為技術瓶頸。原因在于,一方面要擴增芯片上晶體管的數量,而一方面又要追求系統整合芯片封裝,以縮小導線進而增加晶體管密度。

然而,當導線的截面積減少,表示導電區域的體積也減少,這會造成電阻增加,進而阻礙最佳效能的實現。此一阻容遲滯的瓶頸有賴在阻障層、內襯層微縮制程進行更多的創新,以利在更狹小的空間中改善導電特性。為此,應材便利用「鈷」取代傳統銅材料。

另一方面,當芯片制程到達10奈米以下之后,必須使導線內非常薄的薄膜處在控制良好的環境下。因此,該公司除了用鈷取代銅做為導線新材料,降低電阻之外,還透過旗下的金屬化系統--Endura平臺,在關鍵的阻障層與種晶層進行沉積,推進先進制程導線技術發展。

同時,該系統還具備多功能模塊化布局功能,能支持最多八個制程反應室,方便半導體廠能將物理氣相沉積、化學氣相沉積和原子層沉積制程技術同時整合在同一平臺上,運用單一整合程序來制造復雜的薄膜堆棧結構。

綜上所述,半導體制程因大數據、AI的興起,變得日趨復雜,因此材料工程的創新十分重要。應材指出,該公司不僅持續精進金屬沉積制程,同時也采用創新材料,加速實現半導體先進制程高效運算與低功耗之目標。

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