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英特爾怒懟三星臺積電:我比你們領先三年!

時間:2017-09-22

來源:網絡轉載

導語:過去幾個月來,三星、臺積電都在不斷宣布10納米甚至7納米制程上的量產進展,與此對應的是,英特爾10納米工藝制程的量產計劃卻一直沒有落地,這讓英特爾一度遭遇外界質疑。

過去幾個月來,三星、臺積電都在不斷宣布10納米甚至7納米制程上的量產進展,與此對應的是,英特爾10納米工藝制程的量產計劃卻一直沒有落地,這讓英特爾一度遭遇外界質疑。

但就在9月19日,英特爾終于拋出了王炸。

在北京的"英特爾精尖制造日"現場,英特爾一口氣對外首次展示了10納米Cannonlake、10納米Arm測試芯片、22納米FFL、14納米展訊SC9861G-IA和14納米展訊SC9853I這5款晶圓,對外批露了相關芯片的量產計劃,并首次對外詳細揭密了自身在下一代制程上的多項前沿技術儲備。

會上,英特爾更以少見的強勢態度,狠懟"友商"三星和臺積電。

"目前,友商10納米芯片的晶體管密度,只相當于我們14納米芯片的密度。"英特爾公司制造、運營與銷售集團總裁StacyJ.Smith說,"我們領先了友商整整3年。"

事實上,早在今年3月,英特爾就已在舊金山講述過同樣觀點。但在中國這個關鍵市場再次重申,并展示10納米晶圓,這被業界視為英特爾發起全面反攻,并加速拓展芯片代工市場的信號。

【摩爾定律不死】

晶體管的制程工藝,多年來一直遵循摩爾定律,即當價格不變時,集成電路上可容納的晶體管數量,以及消費者每花一元錢能獲得的芯片性能,每隔18-24個月便會增加一倍。

但近幾年來,摩爾定律還能維持多久,已經成為業界討論最多的問題。甚至很多分析者認為,摩爾定律即將失效。

其原因在于,我們目前使用的主流芯片制程已經達到14納米制程,并正在向10納米發展。而在7納米以后,晶體管的縮小就將接近物理極限,一旦晶體管進一步降低,就有可能產生量子隧穿效應,為芯片制造帶來巨大挑戰。

這意味著,如果物理學上沒有重大突破,要進一步增加晶體管的密度,就將變得極為困難。

去年,勞倫斯伯克利國家實驗室的一個科研團隊曾宣稱,通過由納米碳管和二硫化鉬(MoS2)的替代材料和技術,已能將晶體管制程的物理極限縮減到1納米。不過,這一研究目前也還停留在初級階段。

但英特爾卻依然堅定表態:摩爾定律不死。

"誠然,有一天我們可能會達到物理極限,但目前還看不到終點,而摩爾定律在任何可預見的未來都不會終結。"StacyJ.Smith說。

(StacyJ.Smith)

為什么摩爾定律不會失效?

英特爾的答案是,用制程技術之外的"黑科技",來抵消制程技術放緩帶來的影響。

比如,應變硅、高K金屬柵極、自校準通道、鰭式場效應(FinFET)晶體管等技術,都曾在不同的制程階段,為縮小晶片面積、提升晶體管密度起到巨大作用。

這樣,雖然每一代制程節點之間的時間在延長,但通過超微縮等前沿技術,英特爾可以加速推進晶體管密度的提升,從而確保芯片的性能持續提升和成本持續下降。

(本文資料配圖均來自英特爾官方資料)

現在,通過超微縮技術,14納米和10納米的晶體管密度,都能比以往的制程技術分別提升2.5倍和2.7倍。

這意味著,英特爾能讓10納米芯片的面積縮小到7.6平方毫米,較14納米芯片縮小了57%,并可以在每平方毫米的面積里,容納超過1億個晶體管。

"如果按單個晶體管成本計算,我們的價格下跌速度,甚至還要略快于歷史水平。"StacyJ.Smith說。

根據Intel的工藝路線圖,10納米制程節點將包括10nm、10nm+、10nm++三個小迭代,其后就將轉向7納米制程,并且5納米和3納米也已經在規劃中。

在這些階段,英特爾正對多項前沿技術進行研究和布局,9月18日披露的技術包括:

(1)納米線晶體管:納米線結構可改進通道靜電,進一步實現晶體管柵極長度的微縮。

(2)III-V材料(如砷化鎵和磷化銦):可以改進載流子遷移率,讓晶體管在更低電壓和更低的有功功耗下運行。

(3)硅晶片的3D堆疊:可以在更小的面積內,實現不同的技術混裝集成。

(4)高密度內存:包括易失性和非易失性存儲技術

(5)高密度互聯:將包括新的材料和圖案成形技術。

(6)極紫外(EUV)光刻:將在現有的193納米波長工具基礎上,進一步微縮為13.5納米波長

(7)自旋電子(BeyondCMOS):在CMOS到達微縮極限后,繼續提高密度和降低功耗。

(8)神經元計算:采用不同的處理器設計和架構,以更高的能效執行某些計算功能。

【10納米落地,怒懟三星臺積電】

技術密集、資金密集的芯片業,注定是一個寡頭競爭的天下。

經過多年廝殺,半導體行業中有能力制造最先進芯片的公司已經屈指可數。在10年前,有18家公司擁有自己的晶圓廠,但現在,這個數字已經減少到英特爾、三星、臺積電、格羅方德4家。

"其中,只有3家在投資開發規模量產型的制程技術,只有2家公司真正有一體化的器件生產能力。"StacyJ.Smith說。

今年以來,三星和臺積電都給英特爾帶來了巨大壓力。

就在9月11日,臺積電聯合ARM、Xilinx等公司,發布了全球首顆7納米芯片,并宣布該芯片將于2018年正式量產。此前它的10納米芯片,已于去年就已經宣布量產;而5納米芯片則計劃于2019年開始風險試產。

三星也在去年就宣布10納米芯片量產,計劃于今年內年風險試產8納米芯片,明年內實現7納米芯片的商業化。此外,它在6、5、4納米的制程也都已有規劃。

它們的制程工藝,真的已經趕超英特爾了嗎?

9月19日,在"英特爾精尖制造日"現場,英特爾中國全球副總裁兼中國區總裁楊旭對此的回應是:

"老虎不發威,當我們是病貓!"

在英特爾看來,友商們都是在玩數字游戲。

""業界現在有一種趨勢,對自己節點的命名制造混淆概念,即使晶體管的密度并沒有提升,但仍繼續為其采用新一代制程節點命名。"StacyJ.Smith說。

英特爾認為,下面這個已被業界廣泛使用的公式,可用于任何制造商的任何芯片晶片,明確、一致地測量晶體管密度,并為芯片設計者和客戶提供關鍵信息,準確比較不同制造商的制程,從而改變制程節點命名的亂象。

英特爾表示,如果從按照這個公式的比較,英特爾的芯片性能遠遠領先于競爭對手。

比如,在14納米制程上,英特爾認為自己"領先了3年"。

而在10納米制造上,英特爾也表示,自己"領先了整整一代"。

比如,英特爾宣稱,自己的10納米工藝采用第三代FinFET(鰭式場效應晶體管)技術和超微縮技術,擁有全球最密集的晶體管和金屬間距,最小柵極間距從70納米縮小至54納米,最小金屬間距從52納米縮小至36納米,邏輯晶體管密度可達到每平方毫米1.008億個。

這個數據,較業界其他的"10納米"高了差不多1倍。

"相比其他友商的'10納米',英特爾的10納米技術領先了整整一代。"英特爾技術與制造事業部制程架構與集成總監MarkBohr說。

【爭奪代工市場,爭奪中國市場】

一向不評論友商的英特爾,為何此次突然發威?

一個重要的原因,在于英特爾正在大舉殺入芯片代工市場,這意味著它將與三星和臺積電產生更激烈的直接對抗。

在2016年,臺積電在全球晶圓代工的市占率為50.6%,其后依次是格羅方德9.6%,聯電8.1%,三星以7.9%排名第四,但去年以來一直不斷擴大產能,并已宣稱將全力擴大代工業務規模,"目標市場第二"。

而英特爾生產的芯片,過去主要都是自用,代工業務從2013年才在小范圍內啟動。

盡管如此,英特爾在這個市場依然雄心勃勃。

"目前,英特爾的代工廠完全有能力支持客戶的大規模生產需求,市場也有很多的機會。"英特爾公司技術與制造事業部副總裁、晶圓代工業務聯席總經理ZaneBall說。

英特爾瞄準的,是利潤更豐厚,自身也更具比較優勢的高端晶圓代工市場。

自2010年以來,高端晶圓代工市場復合增長率達14%,2016年市場規模已達到230億美元,同時市場規模還將不斷增長。

其中,中國將成為一個極為關鍵的主要市場。

受益于國家扶持和市場增長,中國芯片產業正在迎來井噴。據全球芯片設備行業協會SEMI估算,2017年中國在晶圓代工廠領域的整體支出(包括建筑與設備)將由2016年的35億美元增長至54億美元,增幅達54%,而在2018年,這一數字將有望達到86億美元。

ZaneBall表示,58.5%的半導體消費發生于中國,但中國無圓晶廠全球占比為25%,這意味著一個巨大的機會。

而且,從市場上來看,由于英特爾不像臺積電只做代工,也不像高通、AMD、華為等只做設計,它既懂設計又有工廠,所以代工業務受到限制,與很多競爭對手難以達成合作。在這方面,來自中國的大量客戶卻沒有這個顧慮。

"我們要進入專業晶圓代工,還要在中國大有所為。"ZaneBall說。

"建造并裝備一家頂尖晶圓廠所需要的投資,至少需要100億美元。過去5年,我們已經投資了500億美元,在全球都有頂尖的晶圓廠和封裝測試廠,這讓我們有更高的良率,有足夠的產能來應對市場不斷變化的需求,而且可以更快,以更低成本調整生產。"StacySmith說,這些都將為英特爾的代工業務提供強大的、獨特的競爭力。

目前,英特爾的技術與制造集團員工已超過3萬人,制造廠房面積則達到400萬平方英尺,每秒可以生產100億晶體管,是全球少數可以做高尖端晶圓代工的廠商。

而在中國,英特爾的員工也超過7000人,自2004年以來的協議投資超過130億美元。

下一步,英特爾的代工業務將瞄準兩個細分市場。一個是網絡基礎設施,包括網絡處理器、FPGA(可編程芯片);另一個是移動和物聯網設備。

目前,英特爾代工業務將開放22納米、14納米和10納米技術,并提供包括完整的行業標準IP組合,經過認證的電子設計自動化(EDA)工具流等系統支持。其中:

14/10納米低功耗和高性能移動平臺旨在支持客戶在旗艦/主流移動產品細分市場推出最高性能、最低功耗的智能手機、平板電腦和消費設備。

22FFL(FinFET低功耗)平臺則將為入門級智能手機、物聯網設備、連接解決方案、可穿戴設備和車載系統帶來最低功耗與卓越性能。

值得注意的是,英特爾的代工業務是由一個生態系統內的不同企業共同完成。

比如,中國本土的展訊,就是英特爾在14納米和22納米領域的重要合作伙伴。展訊的SC9861G-IA和SC9853I兩款14納米芯片,均是使用英特爾的低功耗平臺制造而成。

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