韓媒etnews4日報導，業(yè)界消息證實，SK海力士第四代72層的3DNAND進入量產(chǎn)，主要用于移動裝置，并已交貨給客戶。SK海力士4月份才宣布研發(fā)出72層3DNAND，3個月內(nèi)就進入量產(chǎn)，速度極為驚人。一般研發(fā)成功之后，快的話要6個月，慢的話要一年以上，才會開始量產(chǎn)。以三星電子為例，該公司2016年8月研發(fā)出64層3DNAND，今年6月才宣布量產(chǎn)，大約花了10個月時間。

據(jù)傳SK海力士不只量產(chǎn)，生產(chǎn)效能也極佳，該公司72層3DNAND生產(chǎn)率提高30%，與三星64層3DNAND近似，而且達到“黃金良率”（goldenyield），比美三星。不只如此，新品采用SKHynix自家的控制器和韌體（firmware），不再對外采購，可提高毛利。專家稱，如此一來，SKHynix的競爭優(yōu)勢逼近三星。

SK海力士是NANDFlash的第四大廠，市占率落后三星電子、東芝、WesternDigital（WD）。不過目前東芝和WD為了東芝記憶體業(yè)務出售案，鬧得不可開交，倘若SK海力士掌握72層3DNAND技術，可趁勢奪取客戶，改寫NAND市場版圖。

投180億擴充芯片市場，有意而為之？

在SK海力士挑戰(zhàn)的消息傳出之后，韓國三星電子有限公司本周二表示，計劃在韓國投資至少21.4萬億韓元（約合186.3億美元），以鞏固其在內(nèi)存芯片和下一代智能手機領域的領先地位。這家營收居位全球第一位的存儲芯片制造商表示，到2021年，該公司在平澤市的新NAND工廠總計投入將達到14.4萬億韓元，其中的6萬億韓元將用于建造一條新的半導體生產(chǎn)線，但未對時間或產(chǎn)品加以詳細說明。

由于市場對長期數(shù)據(jù)存儲芯片的需求不斷增長，該公司還將在中國西安的NAND工廠增設一條生產(chǎn)線，但沒有設定投資金額或時間框架。

外界普遍預計，三星和其他內(nèi)存生產(chǎn)商將在2017年實現(xiàn)利潤創(chuàng)紀錄，因為智能手機和服務器的性能不斷提高，從而導致價格上漲。行業(yè)消息人士和分析師表示，由于高端存儲產(chǎn)品的普及，NAND芯片的短缺問題更為嚴重。

一些分析師表示，三星的生產(chǎn)技術至少要比東芝和SK海力士（SKHynixInc）等競爭對手領先一年。三星每年在半導體領域的投資超過100億美元，幫助其保持領先優(yōu)勢。分析師表示，最新投資旨在拉大這一差距。

近年來，三星、東芝和SK海力士已投入了數(shù)百億美元來推動NAND閃存的生產(chǎn)，但分析師和業(yè)內(nèi)人士表示，由于新設備在2017年無法提供有意義的供應，短缺可能至少持續(xù)到明年。

一些分析師表示，這種額外的產(chǎn)能可能會在2018年初造成輕微的供應過剩，但隨著智能手機制造商選擇更大的內(nèi)部存儲，價格崩潰的現(xiàn)象不太可能發(fā)生。市場對用于云計算和虛擬現(xiàn)實應用程序的高端服務器存儲的需求也將繼續(xù)增長。

“我相信，2020年之前，NAND市場環(huán)境將繼續(xù)利好供應商，”HMC投資分析師GregRoh表示。他說，任何供應過剩的問題都將是暫時的，而且僅限于季節(jié)性較弱的時期。

三星表示，對韓國的投資是為了響應新總統(tǒng)文在寅的號召，將在2021年創(chuàng)造多達44萬個就業(yè)機會，并將有助于提振經(jīng)濟。

該公司周二還表示，三星顯示器公司計劃在韓國新成立一家企業(yè)，生產(chǎn)有機發(fā)光二極管顯示器，投資約1萬億韓元。

中國的長江存儲也是未來的挑戰(zhàn)？

三星前有強敵，在后面也有追兵。自從紫光和武漢新芯合作打造閃存產(chǎn)業(yè)，并拉攏了高啟全來負責全新的長江存儲以后，中國存儲產(chǎn)業(yè)獲得了突飛猛進的進步。這無疑會給三星帶來壓力。

在今年四月份，高啟全接受媒體采訪時表示，公司現(xiàn)已投入3DNAND研發(fā)，2017年底提供32層3DNAND的樣本，將是公司技術自主的里程碑，之后從事64層技術，待該技術成熟后，長江存儲才會投入3DNAND量產(chǎn)，屆時與三星電子(SamsungElectronics)、SK海力士(SKHynix)、東芝(Toshiba)等國際大廠的技術差距會縮短至一代左右。

再者，長江存儲也考慮自己開發(fā)DRAM技術，可能的切入點是18/20納米制程，無論是3DNAND或是DRAM，一定要自己掌握核心技術，不會再走過去臺灣技術授權的老路！

高啟全表示，無論是DRAM或3DNAND技術，最好的合作伙伴是美光，但現(xiàn)在政治氣氛不對，美國對大陸半導體產(chǎn)業(yè)的積極度有被威脅之感，因此洽談的時間會再延長，但美光1年來全球DRAM市占率從28%掉到18%，不快加入長江存儲的陣營一起奮斗，未來只會更辛苦。

長江存儲分為武漢和南京12寸廠兩大據(jù)點，各自單月產(chǎn)能都是30萬片規(guī)劃，外界對于這樣的產(chǎn)能規(guī)模，以及何時量產(chǎn)都有很多疑問，他強調(diào)，12寸廠規(guī)劃不會是虛晃一招，但技術沒成熟前也絕對不會冒然投產(chǎn)，長江存儲的內(nèi)存規(guī)劃是有計劃、慢慢做，千秋大業(yè)是急不得，我們也不會去打亂市場的行情。

高啟全指出，這樣的12寸產(chǎn)能規(guī)模將會成為對抗三星電子(SamsungElectroncis)的充裕子彈和最佳利器，歡迎美光加入，現(xiàn)在南韓控制全球DRAM市占高達80%、NANDFlash高達60%，不出幾年的時間，南韓就會掌握全球90%的內(nèi)存芯片，這是全世界都該害怕的事情，三星是全球科技業(yè)的威脅。

他進一步表示，一定要有人扮演在全球平衡三星的勢力，對臺灣亦有利，以大陸有計劃的布局可扮演此角色，且只有大陸才有這個資源投入，長江存儲就是基于這個出發(fā)點而誕生，也是大基金唯一真正投資的內(nèi)存陣營。

他強調(diào)，3DNAND和DRAM技術絕對在大陸自主開發(fā)，技術不成熟時不會冒然投產(chǎn)，另外，我們不會再走回過去臺灣技術授權的失敗老路，發(fā)展自有技術同時，侵犯別人專利會付錢，且長存已累積多個3DNAND專利，別人用到也要付費，唯有合法來源取得技術，持續(xù)前進，才能吸引到全球人才，打造國際級的規(guī)格。