2017年，十億美元資本支出俱樂部成員將增長到15家。今年，頂級半導體企業的資本支出將會占到整個行業總支出的83%。

ICInsights最新公布了一份報告，該報告主要包括2017年最新的IC市場預測，對于2017年第一季度半導體產業市場的一些觀點，全球前25名的半導體供應商的看法，以及與之相關的資本支出的預測更新。

圖一顯示了從2007年到2017年“十億美元俱樂部”的變化情況。總的來說，2017年，預計將會有15家半導體公司的資本支出超過十億美元，這一數字在2016年為11家，2013年只有8家。

據預測，2017年，隨著對快速增長的汽車半導體市場的投入增長，英飛凌和瑞薩在今年的資本支出將會超過十億美元，正式步入“十億美元俱樂部”。“十億美元俱樂部”今年新晉的成員還可能包括ST和Nanya。

此外，ICInsights相信，隨著中國廠商對新工廠投入的不斷增長，在不久的未來，將會有一些中國廠商步入主要資本支出企業的行列。

通過圖一，我們不難發現，15家主要資本支出廠商中，有4家是純晶圓代工廠，而這15家公司的資本支出的總額也非常驚人。據預計，15家企業的總資本支出占到了2017年整個半導體產業總支出的83%。

其中，2017年，英特爾、三星、格羅方德和SKHynix預計將會增加其資本支出，為資本支出增長的主要源頭。

其中，與2016年相比，三星將會增加32億美元資本支出，英特爾將會增加23億7500萬美元資本支出，格羅方德將會增加8億6500萬美元，SKHynix則為8億1200萬美元。這四家公司的資本支出總計為72億5200萬美元，而2017年半導體行業總的資本支出總增長僅為80億2100萬美元，四家公司的總投資已經占據了預測的90%。

從產品角度來看，DRAM/SRAM預計將會是今年最大的資本支出增長點，會有31%的增長。來自于DRAMASP的報告顯示，從2016年第三季度開始，DRAM廠商就已經開始加大對于這一方面的支出。另一方面，2016年Flashmemory（146億美元）的資本支出也明顯高于DRAM（85億美元）。

總而言之，ICInsights認為，在2016年和2017年，廠商對于Flashmemory技術的資本支出主要以3DNAND技術為主，而不是平面存儲技術。韓國廠商對于3DNAND技術的資本支出將會在2017年迎來大幅上漲，尤其是在三星的韓國工廠建成之后。