近期，長江存儲和中科院微電子研究所聯合承擔的3DNANDFlash存儲器研發項目取得新進展，向產業化道路邁出關鍵一步。業內人士表示，國內廠商積極開展存儲芯片相關研發和產業化工作，并取得了階段性進展。政策支持之下，隨著技術等逐漸成熟，行業發展將迎來拐點。在此背景下，上市公司紛紛發力拓展存儲芯片業務。

基本依賴進口

存儲芯片作為集成電路的三大品類之一，目前廣泛應用于內存、消費電子、智能終端和固態存儲硬盤等領域，其銷售額占整個芯片產業的比重超過25%，反映了一個國家或地區的半導體發展水平。

賽迪顧問數據顯示，2014年中國存儲芯片市場規模達到2465.5億元，占國內集成電路市場份額的23.7%。但存儲芯片基本依靠進口，每年進口存儲芯片的金額高達600億美元。無論是NANDFlash還是DRAM，國產存儲芯片市場比例較小。

賽迪智庫集成電路研究所所長霍雨濤表示，國內存儲芯片已經取得了一些進展，但總體看仍處于起步階段。無論是DRAM還是NANDFlash等領域，核心技術、專利等仍主要掌握在三星、東芝、SK海力士、美光、SanDisk、Intel等海外廠商手中。

霍雨濤認為，國產存儲芯片要想取得更大的進展，需要合理規劃和統籌布局，做好長期持續大投入的準備；要聚焦核心技術和人才，立足自主研發，完善產業生態；要抓住計算和存儲產業深度融合帶來的機遇。

上市公司發力

面對國產存儲芯片的現狀，不少公司開始發力。

以兆易創新為例，公司擬以發行股份及支付現金的方式收購北京矽成100%股權。北京矽成100%股權的交易價格暫定為65億元。公司表示，上市公司與標的公司均主要從事集成電路存儲芯片及其衍生產品的研發、技術支持和銷售，交易完成后可以形成良好的規模效應。本次交易將為上市公司引進存儲芯片研發設計領域的優秀研發人員以及國際化管理團隊，為上市公司國際化縱深發展注入動力。

長江存儲和中科院微電子研究所聯合承擔的3DNANDFlash存儲器研發項目取得新進展，32層3DNANDFlash芯片順利通過電學特性等各項指標測試，達到預期要求，實現了工藝器件和電路設計的整套技術驗證，向產業化道路邁出關鍵一步。

紫光集團宣布投資約2063億元在南京建設半導體產業基地，一期建成后，將是中國規模最大的芯片制造工廠，月產量將達10萬片。

據悉，紫光南京半導體產業基地已于近日開工建設，主要產品為3DNANDFlash、DRAM存儲芯片等，占地面積約1500畝。項目一期投資約687.67億元。

霍雨濤表示，國產存儲芯片發展面臨巨大的機遇與挑戰。國內廠商積極開展存儲芯片相關研發和產業化工作，并取得了階段性進展。隨著資金、政策、人員等各種條件的成熟，行業發展拐點已經來臨。

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