長江存儲成立后，中國大陸在這個階段于半導體的宏觀布局重新成形。但是為什么挑由存儲器入手？這是個關鍵選擇。尤其是在臺灣的DRAM產業甫因規模經濟不足導致研發無法完全自主而緩緩淡出之際，這樣的選擇需要一番辯證。進口替代當然是原因之一，但不是全部。
回歸基本面來看。半導體之所以為高科技是因為有摩爾定律，容許其不斷的制程微縮，而其經濟效益也高度依賴摩爾定律。DRAM在很長的一段時間里是半導體業的驅策技術(drivingtechnology)，也就是說DRAM的制程領導其它的半導體制程前進。半導體的先行者AT&T、Intel都曾投入這產業，日本90年代的半導體霸業、臺灣、韓國的半導體產業崛起，都與DRAM息息相關。如果不健忘的話，臺灣的DUV、CMP、12寸廠等先進技術都是由DRAM廠率先引入。
在2000年初后，邏輯與NAND的制程進展相繼超越DRAM，DRAM失去了其驅策技術的地位。邏輯制程持續往平面微縮的方向前進，能見度到3納米，還有3、4個世代可行；NAND往3D堆疊走，這個方向能走多遠尚未可知，但是短時間內碰不到物理極限，是比較技術面可克服的問題。邏輯的平面制程微縮與NAND的3D堆疊同時是未來半導體業的驅策技術，中國大陸作為后發者選擇最近才興起、后面發展道路長的驅策技術投入，是比較合理的做法。至于DRAM，已于20納米久滯，雖然仍有機會繼續緩慢推進到10納米，但其制程技術主要是針對DRAM，很難嘉惠于其它產品，戰略性比較不足。
所以中國大陸選擇3DNAND重新出發，3D的制程技術還有機會應用到其它產品，譬如3DMRAM。至于研發的規模經濟，由其所投資相應的生產規模來看，如果有盈余的話，是有機會支撐持續的自主研發的。剩下來的問題是NAND的技術靈不靈？中國大陸NAND的技術授權引入研發已有好幾年了，以前的表現頗有波折，就連二維平面NAND的生產也稱不上順利。現在要當成主要的產品并結合3D制程，恐是個有點高風險的選擇！
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