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恒憶為嵌入式市場推出業界首款65納米NOR存儲產品

時間:2008-11-14

來源:中國傳動網

導語:恒憶公司最近推出的65納米NOR存儲產品,特別為滿足嵌入式市場對代碼和數據可靠性嚴格要求而設計的安全性更高的新型高密度存儲器系列產品,可為機頂盒、電信設備和其他嵌入式產品制造商提供快速可編程功能

  嵌入式閃存已被廣泛應用到各種消費電子產品、工業應用、個人電腦和有線通訊設備中。隨著嵌入式系統中多媒體功能和聯網功能的提升,對代碼存儲容量、速度和安全性的需求也不斷上升。恒憶(Numonyx)公司最近推出的Numonyx Axcell M29EW閃存是業界首款65納米NOR存儲產品,特別為滿足嵌入式市場對代碼和數據可靠性嚴格要求而設計的安全性更高的新型高密度存儲器系列產品,可為機頂盒、電信設備和其他嵌入式產品制造商提供快速可編程功能。   “恒憶公司集中了兩大業內領導者意法半導體(ST)和英特爾(Intel)的優勢。意法半導體在串行NOR閃存上一直保持著市場第一的地位,英特爾在全球高容量的并行NOR閃存上全球排名第一。這些優勢使得新的29系列并行NOR閃存Numonyx Axcell M29EW把目前密度在4Mb~128Mb范圍的恒憶行業標準閃存系列產品(M29)擴展到更高的256Mb~2Gb范圍,以便為整個嵌入式NOR閃存市場提供完整的解決方案?!?恒憶公司嵌入式產品業務部副總裁兼總經理Glen Hawk表示。 [align=center] 圖1:恒憶公司嵌入式產品業務部副總裁兼總經理Glen Hawk在介紹新產品[/align]   針對嵌入式應用這個高速增長的多元化市場,Numonyx Axcell M29EW閃存提供用戶可選的增值特性,大幅提高采用此產品各種應用的性能,并為客戶提供了范圍廣泛的配置、性能和安全級別選擇。   編程速度快和安全性高是Numonyx Axcell M29EW的兩個主要優勢?,F在嵌入式應用的數據數量非常大,而且制造商在用閃存進行代碼或者數據儲存的過程中需要編程,Numonyx Axcell M29EW大幅提高了編程速度,使得制造商能提高編程效率,加快產品上市進程,并降低總體成本。這款新存儲器的速度接近每秒1.5MB,擁有全芯片編程優勢,速度是典型競爭產品的11倍。舉例來說,應用Numonyx Axcell M29EW編程,256Mb的編碼大約需要23秒,而其他競爭產品需要4.2分鐘,這對生產時間和成本的節約是顯而易見的。   隨著嵌入式系統的不斷發展,它們的存儲器子系統越來越需要安全解決方案。Numonyx Axcell M29EW的密碼訪問安全技術使得它擁有以下功能模塊:(1)讀訪問保護——用來防止設計IP被復制,解鎖讀訪問保護需要一個64位密碼;(2)修改訪問保護——禁止代碼和數據被惡意修改,禁止黑客和非法軟件覆蓋或者擦除代碼和數據;(3)永久修改保護——禁止修改代碼和數據,主要用于存儲引導和初始化代碼,一旦設成永久修改保護,則永遠不能在修改。這些安全技術使得系統制造商無論是自己制造還是由合同商代為制造,都能夠保護存儲在產品上的知識產權。 [align=center] 圖2:Numonyx Axcell M29EW是多個嵌入式市場的最佳選擇[/align]   在行業標準(JEDEC)覆蓋面積和命令集的基礎上,Numonyx Axcell M29EW系列產品擁有廣泛的行業支持和設計靈活性等優勢,讓嵌入式客戶能夠在各種密度上擴展存儲器子系統。Numonyx Axcell M29EW是恒憶公司計劃于2009年推出的65納米系列產品中的第一款,這個系列包括主要的并行和串行NOR嵌入式產品。256Mb Numonyx Axcell M29EW樣品目前已經可以提供,批量生產將于下個季度開始。恒憶計劃在2009年向市場推出更高密度的產品。   恒憶的行業標準閃存(M29)系列包括多款產品,它們在性能、易用性和可靠性上擁有巨大的優勢,可以滿足嵌入式產品設計的苛刻要求。Numonyx StrataFlash嵌入式存儲器(P30/P33)支持脈沖的高密度、高性能代碼與數據解決方案。嵌入式閃存(J3 vD)繼續為傳統設計提供廣泛的密度選擇。借助低針數接口和更小的封裝,行業標準的恒憶串行閃存(M25)可以為DTV、DVD、PC、調制解調器和打印機等各種設備簡化電路板設計并節約電路板空間。   “恒憶在嵌入式存儲市場占有大約20%的市場份額,我們的下一個目標就是獲得另外的80%市場份額。”Glen Hawk表示。他預測2008年嵌入式存儲市場規模為52億美元,其中15億美元屬于嵌入式NAND閃寸,37億美元屬于嵌入式NOR閃存,后者的主要應用領域包括固話通訊、消費電子、計算機、汽車、工業等。 [align=center] 圖3:2008年嵌入式存儲市場的機會[/align]   恒憶提供全面的存儲器方案,包括NOR閃存、NAND閃存、手機RAM和相變存儲器(PCM)。全新的非易失性存儲器PCM結合了NOR、NAND、RAM的優良特性,在單個存儲芯片上提供具備更多的特性,將給應用領域帶來很多新功能,并在速度、持久性和功耗方面也有很大改進。“現在開發出來的PCM樣品非常成功,目前支持128Mb,現有的用戶都是來自多元的、不同的領域?!?Glen Hawk介紹道,“預計在65nm、45nm上,NOR閃存技術仍會得到穩定發展,但到了32nm,更多客戶將傾向使用PCM技術,而非NOR技術,因為PCM技術可以提供更高的可靠性、更強的性能以及更有競爭力的價格?!?
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