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中國半導體成效驚人 包攬近兩年過半全球新增產能

時間：2016-06-14

來源：網絡轉載

導語：據統計，今年全球半導體產能投資金額上看360億美元，較去年成長1.5%，明年更將成長13%至407億美元，其中多數將用于投資3D NAND 快閃存儲器與10 納米晶圓廠。

中國砸銀彈扶植半導體進度、成效驚人，國際半導體設備材料產業協會（SemiconductorEquipmentandMaterialsInternational，SEMI）上周五發布最新報告指出，今明兩年全球新增的半導體產能，預估有超過一半都將來自中國。

據SEMI表示，全球2016-2017年共將興建17座半導體廠，當中有10座設在中國，其中兩座生產存儲器、晶圓代工四座、剩余四座規模較小，主要生產類比式芯片、微機電系統（MicroElectroMechanicalSystems）與LED等。對照日、韓同期間僅新增一座存儲器產線。

全球半導體投資不分海內外均向中國集中，這是中國傾國家之力發展半導體所創造的結果。中芯國際（SMIC）、武漢新芯（XMCLimited）目前都在蓋新廠，英特爾與臺積電在大陸也有大規模投資計劃正在進行。

據統計，今年全球半導體產能投資金額上看360億美元，較去年成長1.5%，明年更將成長13%至407億美元，其中多數將用于投資3DNAND快閃存儲器與10納米晶圓廠。

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