近期，科達半導體再次發布了IGBT新產品，這次推出的新產品包括三大類共5款：1、KDG25N120W、KDG40N120W單管兩款;2、KDG40N120H1單管一款;3、KDG25R12KE3、KDG40R12KT3模塊兩款。
KDG25N120W、KDG40N120W單管產品
主要針對逆變控制領域(逆變焊機等)研制的芯片，封裝形式為TO-247單管。KDG25N120W產品在100℃環境下的耐壓值高于1200V，電流標稱為25A。KDG40N120W產品在100℃環境下的耐壓值高于1200V，電流標稱為40A。
KDG40N120H1單管產品
主要針對變頻領域(變頻器等)研制的芯片，封裝形式為TO-247單管。KDG40N120H1產品在100℃環境下的耐壓值高于1200V，電流標稱為40A。
KDG25R12KE3、KDG40R12KT3模塊
主要針對7.5KW以下的小功率變頻器領域，整體性能達到世界一流水平。科達半導體經過6年的發展，產品在技術研發、市場開拓上都積累了豐富的經驗，總結這些年的發展歷程和取得的成果，確定出了后期產品技術路線和市場定位的三大方向：一方面，快速實現新一代產品：溝槽式——場截止(Trench-Fs)IGBT芯片的量產化；另一方面，由單一化的單管IGBT產品模式升級為全方位多層次涵蓋IGBT單管，IGBT模塊，IGBT產品應用方案提供商;同時，市場開拓上要兩手抓，同步推進民用市場與工業市場。
IGBT芯片是功率半導體的技術前沿，2007年科達半導體研制出了1200V15A/20A/30A的IGBT芯片及單管產品，打破了國外壟斷，填補了國內空白，肩負起振興民族工業、強化自主品牌的重任。這次新品的推出，不僅豐富了科達的產品種類，而且滿足了客戶對不同產品的需求。
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