日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，持續擴充其vPolyTan的T55系列表面貼裝聚合物鉭式電容器家族產品，陸續推出A、B和T(低高度B外形的最大高度為1.2mm)外形尺寸，有8種新性能規格的該系列器件。VishayPolytechT55系列充分利用Vishay領先的封裝技術和近期在鉭聚合物技術上的投入成果，電容顯著提高，ESR大大降低，可用于計算機、通信和工業應用。
2.5V電壓下，B外形電容器的電容高達470μF，ESR為25mΩ，電容為330μF的電容器的ESR也較低，為25mΩ。6.3V電壓下，A和T外形尺寸的器件改善了ESR，100μF器件的ESR為70mΩ，33μF和220μF的B外形器件的ESR分別為40mΩ和35mΩ。10V電壓時，47μF的B外形尺寸器件的ESR低至70mΩ。
T55電容器的低ESR要歸功于其聚合物負極，這種負極使電容器的性能遠優于采用二氧化錳材料的器件。另外，這些器件具有高達2.28AIRMS的紋波電流和低內阻，可提高充電和放電特性。電容器適用于計算機、平板電腦、智能手機、無線數據卡和固態硬盤里的電源管理、電池解耦和儲能。
T55系列有J、P、A、B和T等5種小外形尺寸，電容從3.3μF到470μF，電壓等級從2.5V到10V，電容公差為±20%。器件在+25℃和100kHz下具有500mΩ～25mΩ的超低ESR，可在-55℃～+105℃溫度范圍內工作，溫度超過+85℃時需要電壓降額。
T55系列電容器采用無鉛端接，符合RoHS和Vishay綠色標準，無鹵素。器件適合高速自動拾放設備，潮濕敏感度等級(MSL)為3。
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