中國上海，2015年6月15日–上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會（PCIMAsia2015）將于2015年6月24日至26日在上海世博展覽館舉辦。日本半導體制造商株式會社東芝（Toshiba）旗下東芝半導體&存儲產品公司將以其“HumanSmartCommunitybylifenology-thetechnologyliferequires（智社會，人為本，以科技應人類之求）”的企業理念，于4號廳A18展位展示多款電力領域節能環保的功能器件與專利技術，展出產品包括其IEGT（InjectionEnhancedGateTransistor）專利產品、MOSFET、光耦產品以及IPD+MCU電機驅動方案等。

隨著能源危機制約著現代社會的發展，開發和利用可再生能源是人類立早自身解決能源問題的重要舉措之一。東芝作為能源領域引領者，自1875年創始之際堅信使命，秉持“HumanSmartCommunity（智社會人為本）”企業理念：以創新的科技服務于社會，并為創造一個舒適美好的人類生活環境而不懈努力。目前，“能源”（包含能源生成及再利用、輸配電等）已成為了東芝三大支柱產業之一，以期面對全球化亟待解決的復雜課題。

在本次2015年PCIMAsia展覽上，IEGT作為東芝半導體的專利產品參展。其通過采取“注入增強結構（IE：InjectionEnhanced）”實現了低通態電壓，有效地實現了大功率變頻器的節能，且其優勢隨著電力市場項目功率等級和電壓等級的不斷提高，逐步得到了體現和認可。目前，東芝半導體的IEGT主要應用于柔性高壓直流輸電（HVDC）、新能源、牽引、中高壓變頻器等特大功率電力領域。現在國內市場上已經有以東芝的IEGT作為核心器件成功運行項目。并且，為了更好的滿足不同應用領域的具體需求，東芝半導體專門推出了不同封裝的IEGT產品，適用于高速EMU的3.3kVPMI封裝（塑封模塊）的IEGT、適用于重型EL的4.5kVPMI封裝的IEGT、適用于電力機車驅動要求尺寸小、重量輕并節能降耗的3.3kV/1.5kV碳化硅混合模塊封裝IEGT以及適用于大功率節能的4.5kV/3.3kVPPI封裝（壓接式封裝）的IEGT。

在光耦方面，東芝半導體將展出應用于IGBT/MOSFET柵極驅動的光耦，其可以保證高達40kV/μs的共模抑制（CMR）。這些光耦非常適合應用于像逆變器和伺服器等在電噪聲環境中的安裝應用。

東芝半導體在MOSFET方面已擁有十余年的開發與生產經驗，能夠提供具有各種電路結構和封裝的低VDSS和中/高VDSSMOSFET廣泛產品組合，并采用最新的工藝技術提高開關電源的功率。

在本次展覽上，東芝半導體還將展出智能模塊IPD與專用驅動芯片MCD相結合的BLDC馬達解決方案——具有良好的系統穩定性和豐富的系統保護功能，并能夠實現零速和順逆風啟動。

2015年，東芝公司即將迎來創建140周年紀念，在“智社會人為本”的全新企業理念指引下，東芝將繼續以領先的技術、產品和高品質服務，推動節能環保與可持續發展事業，為人類打造安心、安全、舒適的智能社會，持續為推動社會進步做出貢獻。