6月11日晚17：36分，由國網智能電網研究院研制的基于壓接型IGBT的串聯型電壓源換流閥穩定運行在±10千伏電壓水平，開關頻率1050赫茲，系統工作性能良好，試驗成功，標志著該單位成為世界第二家掌握壓接型IGBT串聯型換流器關鍵技術、世界第一家全面掌握MMC型和串聯型換流器關鍵技術的研究機構。

串聯型換流器技術屬于世界性難題。自上個世紀90年代開始，國際上大量高校、研究所和公司開始了IGBT串聯技術的研究，但一直鮮有突破，僅ABB公司一家掌握該技術。世界上已經投運的柔性直流輸電工程中絕大部分采用串聯型換流器技術，如果能突破這項技術壟斷，無疑將促進我國新一代換流器向更高電壓等級、更大容量、更加緊湊、更高經濟和技術性能的提升。

面對前所未有的技術挑戰與風險，經過多年的努力，國網智研院電力電子研究所科研團隊憑借扎實的理論功底和豐富的工程經驗努力摸索，大膽創新，在IGBT串聯均壓技術、控制保護技術等方面實現全面創新與優化，攻克了IGBT串聯這一世界性難題。試驗效果證明，在高壓高頻強電磁干擾的試驗環境中，由該團隊完全自主研發的、世界上第一款基于全模擬技術的驅動保護電路具有良好的擾電磁干擾能力和靈敏穩定的保護能力，所研制的串聯閥達到20千伏電壓水平。試驗的圓滿成功，意味著國網智研院打破了ABB在該領域的獨家技術壟斷，向電網高端裝備的“中國夢”又邁出了堅實的一步，也為國家電網公司“全球能源互聯網”、“一特三大”等戰略構想提供有力的技術儲備與技術支持。

背景介紹：絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT)是應用于柔性直流輸電和靈活交流輸電的核心器件。受限于半導體器件行業制造水平，IGBT器件單管耐壓較低，而電力系統應用場景具有高電壓、大容量的特殊要求，所以現在主要采用IGBT串聯和模塊多電平(MMC型)兩條技術路線。

IGBT器件直接串聯將使主電路結構大為簡化，控制復雜性大幅降低，所需器件大為減少，從而使得裝置更加緊湊，重量更輕，尤其適用于海上風電接入、大型城市電網改造等對環境、體積、重量、維護等要求較高的場合。

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