鐵電存儲器（FRAM，或FeRAM）在1990年代中期被認為將成為主流技術，但至今仍與其他眾多新存儲器技術一樣，并沒有如預期般迅速崛起。FRAM的內部運作原理類似DRAM，有媲美SRAM的高速度以及如同快閃存儲器的非揮發性；在1980年代首個成功的FRAM電路問世，其通用功能就被認為可以在許多應用中取代DRAM、SRAM與EEPROM。

“那樣的情況就是沒有發生，”半導體產業分析師JimHandy（來自ObjectiveAnalysis）在Cypress收購FRAM供應商Ramtron時表示：“該技術總是比生產傳統存儲器更昂貴。”自1980年代晚期，FRAM開發商因為對鐵店材料的物理特性了解有限，而遭遇了各種問題；其中有很多與其他具潛力的、開發中的非揮發性存儲器所面臨之問題類似，例如磁阻式存儲器（MRAM）、電阻式存儲器（RRAM）以及相變化存儲器（PCM）。

盡管一路顛簸，FRAM目前已經商業化量產，有適合多種應用的不同產品線。Handy在最近表示，有人觀察到：“FRAM是未來的技術，而且注定要維持那樣的模式；FRAM在某一段時間在某些方面是有潛力的，但還沒有真正走向主流。”

如同所有的存儲器技術，成本是開拓市場的一大障礙；FRAM需要一層沉積在標準矽基板上的鈣鈦礦（Perovskite）晶體，鈣鈦礦晶體內含的元素會干擾矽電晶體，因此需要一個障礙層隔離鈣鈦礦與下方的矽基板。Handy表示，這種結構提高了FRAM元件的制造成本。

市場對FRAM確實有一些需求；根據ResearchandMarkets約一年前發布的市場研究報告預測，全球FRAM市場在2013~2018年間可達到16.4%的復合平均年成長率（CAGR），其低功耗特性是推動市場成長的關鍵力量。

FRAM供應商包括現在歸屬于Cypress的Ramtrom、德州儀器（TI）以及富士通半導體（Fujitsu），各家業者都擴大了在FRAM硬件與軟件方面的研發投資，因此提升了FRAM的性能與效益，也擴展了其應用領域。。

雞生蛋還是蛋生雞的難題

富士通在2014年底最新發表的FRAM產品MB85RDP16LX是一款超低功耗元件，整合了二進位功能，能對節省能源有所貢獻；該公司新產品鎖定的目標市場是工業自動化應用，包括旋轉編碼器（rotaryencoders）、馬達控制器以及傳感器。為符合工業自動化市場需求，該元件支援-40~105°C運作溫度，保證10年無資料流失風險。

收購了FRAM領導供應商Ramtron的Cypress，一直致力以與SRAM相同的方式推廣該技術；該公司不久前發表了一系列4Mb串列式FRAM，根據Cypress非揮發性產品部門副總裁RainerHoehler表示，新產品的目標應用是針對需要連續、頻繁高速資料讀寫，而且對安全性敏感的應用，包括工業控制與自動化、工業讀表、多功能印表機、量測設備，以及醫療用可穿戴式裝置。

Hoehler指出，上述系統需要高密度、高可靠性、高耐久性以及省電的非揮發性存儲器，其他非揮發性技術如EEPROM與MRAM，性能皆無法與FRAM匹敵；他表示，FRAM的功耗僅有最先進的EEPROM方案的30%，而且讀寫耐久性可達1億次。

Handy則表示，FRAM與許多存儲器技術一樣，面臨“雞生蛋還是蛋生雞”的難題，更大的市場需求量才能讓制造成本降低，但是若要激勵需求，需要更低價格的FRAM。但盡管面臨這些挑戰，他認為仍有一個可行的市場，讓供應商們能專注于開發FRAM的各種應用。

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