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國家半導體技術工程化 研究平臺落戶廊坊

時間：2014-08-06

來源：網絡轉載

導語：半導體技術工程化研究平臺項目總建筑面積24343平方米，總投資13540萬元，其中國家安排投資6600萬元。

6月19日，國家發改委文件批復，同意中國科學院半導體技術工程化研究平臺建設項目的可行性研究報告，批準項目建設地點為廊坊市經濟技術開發區科技谷園區，可進入項目設計和實施階段，三年內完成建設。

半導體技術工程化研究平臺項目總建筑面積24343平方米，總投資13540萬元，其中國家安排投資6600萬元。建設內容包括半導體材料工程化平臺、光電子器件工程化平臺、半導體集成技術公共研發平臺、半導體芯片及系統工程化平臺等試驗和研究平臺及相關輔助設施的建設。

半導體技術工程化研究平臺建成后，將為國家提供急需的高性能半導體材料、光電器件、光電系統等先進工程化技術，推動我國在半導體優質材料、半導體傳感器、半導體激光器、半導體照明、高頻高速器件和電路、激光器的系統工程應用、半導體自旋電子技術等方面的發展。同時，該平臺也將加速相關技術的實用化、產業化進程，為研發中試成果在廊坊轉化落地提供可靠的技術保障。

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