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ST為三相電源應用中的低功耗開關電源設計提高ESBT®額定電壓

時間:2008-05-23

來源:意法半導體(ST)

導語:電源應用的世界領先企業意法半導體(紐約證券交易所代碼:STM)宣布推出STC03DE220HV ESBT(發射極開關雙極晶體管)功率開關

編者按:意法半導體(ST)為三相電源應用中的低功耗開關電源設計提高ESBT®額定電壓,新產品使設計工程師能夠提高單相和三相應用輔助開關電源的能效,降低產品的成本、組件數量和尺寸。 中國,2008年5月21日 — 電源應用的世界領先企業意法半導體(紐約證券交易所代碼:STM)宣布推出STC03DE220HV ESBT(發射極開關雙極晶體管)功率開關,新產品使設計工程師能夠提高單相和三相應用輔助開關電源的能效,降低產品的成本、組件數量和尺寸。 STC03DE220HV是額定擊穿電壓2200V的ST ESBT新系列的首款產品。在電源電壓90V AC到690V AC的通用輸入轉換器中,新產品讓設計工程師采用單功率開關的反激式拓撲。使用一個通用的硬件平臺,再配合適合的控制器如L6565,ST完整的ESBT產品讓設計工程師能夠開發最大功率達到250W的準諧振轉換器。
高效開關頻率高達150kHz,最大額定電流3A,STC03DE220HV可用于各種輔助開關電源,包括商用電表、感應電機逆變器、電焊設備和不間斷電源(UPS)。強化的TO247-4L封裝是新產品的另一個亮點,8.9mm的爬電距離超出了IEC664-1在最大2200V工作電壓下的絕緣要求。
集通態損耗低、來自傳統MOSFET的開關頻率高、柵驅動設計簡易等三大優點于一身,STC03DE220HV利用ESBT技術優化了標準雙極晶體管和高壓MOSFET。從集電極到源極,STC03DE220HV達到了0.33 歐姆的等效導通電阻,同時還實現了150kHz 的最大開關頻率,如此高的工作頻率允許設計使用尺寸更小的濾波器。此外,整個裸片尺寸小于同級別電壓的高壓MOSFET*,產品本身就實現了節省成本的目的。ESBT的正方形安全工作區(SOA)還有助于簡化電源設計,確保電源在各種環境中都有可靠的性能表現。 STC03DE220HV現已量產。 詳情請訪問 www.stmicroelectronics.com.cn/esbt 關于意法半導體(ST)公司 意法半導體,是微電子應用領域中開發供應半導體解決方案的世界級主導廠商。硅片與系統技術的完美結合,雄厚的制造實力,廣泛的知識產權組合(IP),以及強大的戰略合作伙伴關系,使意法半導體在系統級芯片(SoC)技術方面居最前沿地位。在今天實現技術一體化的發展趨勢中,ST的產品扮演了一個重要的角色。公司股票分別在紐約股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米蘭股票交易所上市。2007年,公司凈收入100億美元,詳情請訪問ST網站:www.st.com 或ST中文網站www.stmicroelectronics.com.cn。
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