為改善過去采用矽(Si)材料開發的功率元件無法耐高溫環境、低承受電壓值等缺陷，快捷半導體(Fairchild)已改用碳化矽(SiC)材料量產雙極接面電晶體(BJT)，且持續開發出新一代產品，準備大舉插旗太陽能裝置、風能、輕軌牽引(RailTraction)等大功率轉換應用版圖。
iCBJT未來或將在大功率轉換應用的電源管理扮演舉足輕重的角色。快捷半導體資深技術正在開發的新一代SiCBJT產品中，1,200伏特元件將涵蓋使用工業三相線路電壓供應440交流電壓(VAC)的應用，甚至可支援超過500伏特的較高線路電壓，和中大規模太陽能裝置中高達1,000∼1,500伏特電壓運作的逆變器(Inverter)，以及同樣需要較高電壓和電流的風力發電和輕軌牽引。至于1,700伏特或更高額定電壓SiCBJT元件，將較采用矽開發的絕緣閘雙極電晶體(IGBT)具有更高轉換效率優勢，且具備更高的阻隔電壓，因此可減緩電力損耗。
據了解，快捷半導體系藉由收購TranSiC掌握SiCBJT技術能量，并已發布首批產品，將積極在產品線推陳出新，以擴大在大功率轉換應用的市占。
不同于矽功率元件，SiC功率元件需要完全不同的制程；此外，SiC功率元件的晶圓更小(目前為4寸)，且缺陷密度比矽功率元件高出許多。目前該公司已克服上述技術難題，并開發出高良率的制程，可減少SiC基板中缺陷的影響。
相較于矽功率元件，SiC功率元件可減少約50%的電力損耗，且在相似的損耗條件下，可實現最高四倍的頻率提升，也因此，對于需要最佳性能和功率密度的系統而言，SiC功率元件(包含BJT)將為首選方案，特別適用于鉆井、太陽能/風力系統逆變器、電動/混合動力車、工業馬達、不斷電系統(UPS)等大功率轉換應用。
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