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半導體所等在二維半導體異質結研究中取得新進展

時間：2013-10-15

來源：網絡轉載

導語：由于構成異質結的兩種半導體材料擁有不同的禁帶寬度、電子親和能、介電常數、吸收系數等物理參數，異質結將表現出許多不同于單一半導體材料的性質。

近日，中科院半導體所超晶格國家重點實驗室博士生康俊，在李京波研究員、李樹深院士和夏建白院士的研究團隊中，與美國勞倫斯伯克利國家實驗室（LBNL）汪林望博士研究組合作，在二維半導體異質結的基礎研究中取得新進展。

半導體異質結是由不同半導體材料接觸形成的結構。由于構成異質結的兩種半導體材料擁有不同的禁帶寬度、電子親和能、介電常數、吸收系數等物理參數，異質結將表現出許多不同于單一半導體材料的性質。在傳統半導體領域，以半導體異質結為核心制作的電子器件，如光電探測器、發光二極管、太陽能電池、激光器等，往往擁有比單一半導體材料制作的同類器件更加優越的性能。

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