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Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET具有極低導通電阻

時間：2013-09-06

來源：VISHAY 威世電子

導語：2,013 年 9 月5日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴充其采用超小PowerPAK? SC-70封裝的TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。

TrenchFET? Gen III P

賓夕法尼亞、MALVERN —2013年9月5日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，擴充其采用超小PowerPAK® SC-70封裝的TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是為在便攜式電子產品中節省空間及提高效率而設計的，占位面積只有2mm x 2mm，在-4.5V和-10V柵極驅動下的導通電阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。

對于電源管理中的負載和電池開關，以及智能手機、平板電腦、移動計算設備、硬盤驅動器和固態驅動的同步降壓轉換應用里的控制開關，-12 V SiA467EDJ提供了13m?(-4.5V)的極低導通電阻。-20V SiA437DJ的導通電阻為14.5m?(-4.5V)，-30V SiA449DJ和SiA483DJ的導通電阻分別只有20m?(-10V)和21m?(-10V)。另外，SiA437DJ和SiA467EDJ的電流等級高達30A，承受很大的涌入電流，可用于負載開關。

器件的低導通電阻使設計者能在其電路中實現更低的壓降，更有效地使用電能，并延長電池壽命，同時這些器件的超小PowerPAK SC-70封裝可以節省寶貴的電路板空間。對于小型負載點(POL)DC/DC和其他同步降壓應用，MOSFET的P溝道技術不需要使用電平轉換電路或“自舉”器件，簡化了柵極驅動的設計。
SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ進行了100%的Rg測試。這些MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規定，符合RoHS指令2011/65/EU。

器件規格表：

編號

VDS (V)

VGS (V)

RDS(ON) (m?) @

−10 V

−4.5 V

−2.5 V

−1.8 V

−1.5 V

SiA467EDJ

-12

8

-

13

19.5

40

-

SiA437DJ

-20

8

-

14.5

20.5

33.0

65.0

SiA449DJ

-30

12

20

24

38

-

-

SiA483DJ

-30

20

21

30

-

-

-

SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。

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