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首個3-D結構晶體管問世

時間:2013-08-27

來源:網絡轉載

導語:更多的控制可以使晶體管在“開”的狀態下讓盡可能多的電流通過,而在“關”的狀態下盡可能讓電流接近零,同時還能在兩種狀態之間迅速切換。

3-D結構的晶體管首次問世。該公司推出的三柵極(Tri-Gate)3-D晶體管設計成功實現了22納米制程技術的突破,從而推翻了摩爾定律即將走到盡頭的判斷。

據英特爾技術與制造事業部亞洲區發言人柯必杰介紹,這款3-D三柵極晶體管代表著從2-D平面晶體管結構的根本性轉變,同時也為摩爾定律注入了新的活力。

他表示,要在22納米制程時代延續摩爾定律,是一項非常復雜的技術。經過十幾年的努力,通過采用3-D結構,英特爾終于在這項技術上取得了突破。對于22納米三柵極晶體管的大小,他舉了兩個形象的例子:一個針頭上就可以容納超過1億個22納米三柵極晶體管;而要想用肉眼看到它,人們必須把一塊芯片放大到比房子還大。

對于這項成果,英特爾創始人之一、摩爾定律的提出者戈登˙摩爾的評價是:“在多年的探索中,我們已經看到晶體管尺寸縮小所面臨的極限。今天這種在基本結構層面上的改變,是一種真正革命性的突破,它能夠讓摩爾定律以及創新的歷史步伐繼續保持活力。”

記者在發布會現場看到,與3-D三柵極晶體管相比,傳統“扁平”的2-D平面柵極被從硅基體垂直豎起的3-D硅鰭狀物所代替。鰭狀物的每一面都安裝了一個柵極,而不是像2-D平面晶體管那樣,只在頂部有一個柵極。更多的控制可以使晶體管在“開”的狀態下讓盡可能多的電流通過,而在“關”的狀態下盡可能讓電流接近零,同時還能在兩種狀態之間迅速切換。

據悉,與之前的32納米平面晶體管相比,22納米3-D三柵極晶體管在低電壓下可將性能提高37%,在相同性能的情況下電量消耗將減少50%,而其造價僅提高2%~3%。

當天,英特爾還向記者展示了全球首個研發代號為IvyBridge的22納米微處理器。這款處理器的適用范圍可小到手機、平板電腦等手持式設備,大到臺式機、服務器等大型設備。據悉,基于IvyBridge的英特爾酷睿系列處理器將是首批采用3-D三柵極晶體管進行批量生產的芯片。IvyBridge預計將在年底前投入批量生產。

柯必杰還向記者透露,下一步英特爾將著力突破14納米制程技術,屆時,有可能繼續采用3-D結構的設計,也有可能再度進行革命性的創新。

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