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背腐蝕在晶體硅太陽電池生產中的應用

發布時間：2009/4/26 17:17:00

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資料大小：202.13KB

提供者：中國傳動網

【背腐蝕在晶體硅太陽電池生產中的應用】

資料介紹

背腐蝕可以用來代替生產中通常使用的等離子刻蝕將擴散后正面和背面的p-n結分開。本文中背腐蝕使用了HF—HNO3體系，沒有表面保護。用掃描電鏡（SEM）觀察了背腐蝕和等離子刻蝕后的表面形貌以及硅／鋁界面情況，分析了背反射和內量子效應IQE。用背腐蝕代替等離子刻蝕后晶體硅太陽電池的ISC、VOC和電池效率都得到了提高。

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