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低成本襯底上快熱CVD法制備晶體硅薄膜電池

發布時間：2009/4/26 17:03:00

文件類型：rar

資料大小：196.70KB

提供者：中國傳動網

【低成本襯底上快熱CVD法制備晶體硅薄膜電池】

資料介紹
以RTCVD方法在低成本襯底——顆粒硅帶（SSP）上制備了外延晶體硅薄膜電池.在20×20mm2上得到的最高轉換效率為7.4%,開路電壓488mV,短路電流21.91mA/cm2,填充因子0.697.外延晶體硅薄膜電池暗特性表明:晶體硅薄膜電池具有較高的飽和暗電流I02和片并聯阻Rp.

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