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納米晶體硅量子點場發射冷陰極的研究

發布時間：2009/4/26 17:02:00

文件類型：rar

資料大小：279.71KB

提供者：中國傳動網

【納米晶體硅量子點場發射冷陰極的研究】

資料介紹

在n-Si（4～5Ω·cm）襯底上淀積了400nm厚的納米晶體硅（nc-Si）量子點薄膜,將其制備成場致發射的冷陰極.介紹了nc-Si量子點冷陰極的制備,場致發射特性的測試,解釋了nc-Si量子點冷陰極的工作模型及電子彈道發射的原理.透射電子顯微鏡（TEM）對樣片的結構分析證實樣片中的nc-Si量子點具有很好的單晶結構。

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