為了研究不同襯底條件對(duì)MEMS壓阻傳感器性能的影響，采用3種摻雜條件的襯底進(jìn)行實(shí)驗(yàn)測(cè)試．在各步驟熱過程后，對(duì)3種襯底條件下壓阻區(qū)、引出區(qū)和保護(hù)框的方塊電阻進(jìn)行了測(cè)量和分析．通過對(duì)各部分方塊電阻的測(cè)量可以看出，對(duì)于壓阻區(qū)（P︿-區(qū)），A#和B#的方塊電阻在開始注入擴(kuò)散時(shí)相差很小，而由于注入雜質(zhì)在高溫下進(jìn)一步擴(kuò)散.