時間:2024-12-19 13:25:01來æºï¼š21icé›»åç¶²
  由于æœå‹™å™¨å°äºŽè™•ç†æ•¸æ“šé€šä¿¡è‡³é—œé‡è¦ï¼Œå› æ¤æœå‹™å™¨è¡Œæ¥èˆ‡äº’è¯ç¶²åŒæ¥å‘ˆæŒ‡æ•¸ç´šå¢žé•·ã€‚盡管æœå‹™å™¨å–®å…ƒæœ€åˆæ˜¯åŸºäºŽPC架構的,但æœå‹™å™¨ç³»çµ±å¿…é ˆèƒ½å¤ è™•ç†æ—¥ç›Šå¢žé•·çš„網絡主機數é‡å’Œå¾©é›œæ€§ã€‚
  顯示了數據ä¸å¿ƒä¸å…¸åž‹çš„æ©Ÿæž¶æœå‹™å™¨ç³»çµ±ä»¥åŠæœå‹™å™¨ç³»çµ±çš„æ¡†åœ–。電æºè£ç½® (PSU) 是æœå‹™å™¨ç³»çµ±çš„æ ¸å¿ƒï¼Œéœ€è¦å¾©é›œçš„ç³»çµ±æž¶æ§‹ã€‚æœ¬æ–‡å°‡ç ”ç©¶äº”ç¨®æœå‹™å™¨ PSU è¨è¨ˆè¶¨å‹¢ï¼šåŠŸçŽ‡é ç®—ã€å†—ä½™ã€æ•ˆçއã€å·¥ä½œæº«åº¦ä»¥åŠé€šä¿¡å’ŒæŽ§åˆ¶ã€‚
  1. 功率é ç®—
  在21世紀åˆï¼Œæ©Ÿæž¶æˆ–刀片æœå‹™å™¨ PSU 的功率é 算在 200 W 至 300 W 范åœå…§ã€‚當時,æ¯å€‹ä¸å¤®è™•ç†å–®å…ƒ (CPU) 的功耗在 30 W 至 50 W 范åœå…§ã€‚
  如今,æœå‹™å™¨ CPU 的功耗約為 200 W,熱è¨è¨ˆåŠŸè€—æŽ¥è¿‘ 300 W,這使得æœå‹™å™¨ PSU 的功率é ç®—å¤§å¤§å¢žåŠ è‡³ 800 W 至 2,000 W。為了支æŒè¶Šä¾†è¶Šå¤šçš„æœå‹™å™¨è¨ˆç®—éœ€æ±‚ï¼Œä¾‹å¦‚äº’è¯ç¶²ä¸Šçš„云計算和人工智能 (AI) 計算,æœå‹™å™¨å¯ä»¥åŒ…å«åœ–形處ç†å–®å…ƒ (GPU) 與 CPU 一起工作。這一ç´å…¥å¯èƒ½æœƒåœ¨äº”å¹´å…§å°‡æœå‹™å™¨çš„åŠŸçŽ‡éœ€æ±‚å¢žåŠ åˆ° 3,000 W 以上。然而,由于大多數機架或刀片æœå‹™å™¨ PSU ä»ç„¶ä½¿ç”¨é¡å®šé›»æµé«˜é” 16A 的交æµå…¥å£ï¼Œå› æ¤å®ƒå€‘的功率é 算有é™ï¼šè€ƒæ…®åˆ°è½‰æ›å™¨æ•ˆçŽ‡ï¼Œ 240V交æµè¼¸å…¥æ™‚功率é 算約為 3,600Wã€‚å› æ¤ï¼ŒçŸæœŸå…§ 3,600 W ä»å°‡æ˜¯æœå‹™å™¨æ©Ÿæž¶ PSU 的功率é™åˆ¶ã€‚
  å°äºŽæ•¸æ“šä¸å¿ƒé›»æºæž¶ï¼Œæœå‹™å™¨ PSU è¨è¨ˆäººå“¡å»£æ³›æ‡‰ç”¨åœ‹éš›é›»å·¥å§”員會 (IEC) 60320 C20 é¡å®šé›»æµç‚º 20A 的交æµé›»æºæ’座。 PSU 功率é ç®—å—到其交æµå…¥å£é¡å®šé›»æµçš„é™åˆ¶ï¼Œåœ¨ç•¶ä»Šçš„æ•¸æ“šä¸å¿ƒ PSU ä¸å…許大約 3,000 W;但在ä¸ä¹…的將來,數據ä¸å¿ƒ PSU 的功率水平å¯èƒ½æœƒå¢žåŠ åˆ° 5,000 W 以上。為了å…許æ¯å€‹ PSU 具有更高的功率é ç®—å¹¶å¯¦ç¾æ›´é«˜çš„功率密度,您還å¯ä»¥åœ¨äº¤æµå…¥å£è™•使用æ¯ç·šä¾†å¢žåŠ è¼¸å…¥é›»æµé¡å®šå€¼ã€‚
  1. 冗余
  æœå‹™å™¨ç³»çµ±ä¸å¯é 性和å¯ç”¨æ€§çš„é‡è¦æ€§éœ€è¦å†—ä½™ PSU。如果一個或多個 PSU 發生故障,系統ä¸çš„å…¶ä»– PSU å¯ä»¥æŽ¥ç®¡ä¾›é›»ã€‚
  一個簡單的æœå‹™å™¨ç³»çµ±å¯ä»¥å…·æœ‰1+1冗余,這æ„å‘³è‘—ç³»çµ±ä¸æœ‰ä¸€å€‹æ´»å‹•é›»æºå–®å…ƒå’Œä¸€å€‹å†—余電æºå–®å…ƒã€‚復雜的æœå‹™å™¨ç³»çµ±å¯èƒ½å…·æœ‰ N+1 或 N+N (N>2) å†—ä½™ï¼Œå…·é«”å–æ±ºäºŽç³»çµ±å¯é æ€§å’Œæˆæœ¬è€ƒæ…®ã€‚ç‚ºäº†åœ¨éœ€è¦æ›´æ›PSUæ™‚ä¿æŒç³»çµ±æ£å¸¸é‹è¡Œï¼Œç³»çµ±éœ€è¦ç†±æ’æ‹”(ORing控制)技術。由于 N+1 或 N+N 系統ä¸å¤šå€‹ PSU åŒæ™‚ä¾›é›»ï¼Œå› æ¤æœå‹™å™¨ PSU 還需è¦å‡æµæŠ€è¡“。
  å³ä½¿ PSU 處于待機模å¼(ä¸å¾žå…¶ä¸»é›»æºè»Œå‘輸出供電),ä»ç„¶éœ€è¦åœ¨ç†±æ’拔事件åŽç«‹å³æä¾›å…¨åŠŸçŽ‡ï¼Œå› æ¤éœ€è¦ä¸æ–·æ¿€æ´»åŠŸçŽ‡ç´šã€‚ç‚ºäº†é™ä½Žå†—余電æºåœ¨å¾…機模å¼ä¸‹çš„功耗,“冷冗余â€åŠŸèƒ½æ£åœ¨æˆç‚ºä¸€ç¨®è¶¨å‹¢ã€‚冷冗余的目的是關閉主電æºé‹è¡Œæˆ–以çªç™¼æ¨¡å¼é‹è¡Œï¼Œä½¿å†—ä½™PSUèƒ½å¤ æœ€å¤§é™åº¦åœ°æ¸›å°‘待機功耗。
  1. 效率
  2000 å¹´ä»£åˆæœŸçš„æ•ˆçŽ‡è¦æ ¼ç•¥é«˜äºŽ 65%;當時,æœå‹™å™¨ PSU è¨è¨ˆè€…并沒有優先考慮效率。傳統轉æ›å™¨æ‹“æ’²å¯ä»¥è¼•æ¾æ»¿è¶³ 65% 的效率目標。但由于æœå‹™å™¨éœ€è¦æŒçºŒé‹è¡Œï¼Œæ›´é«˜çš„æ•ˆçއå¯ä»¥å¤§å¤§é™ä½Žç¸½é«”æ“æœ‰æˆæœ¬ã€‚
  自2004年以來,80 Plus標準為PCå’Œæœå‹™å™¨PSU系統æä¾›äº†å¯å¯¦ç¾80%以上效率的èªè‰ã€‚ç›®å‰é‡ç”¢çš„æœå‹™å™¨é›»æºå¤§å¤šé”到80 Plus Gold(>92%效率)è¦æ±‚,有些甚至å¯ä»¥é”到80 Plus Platinum(>94%效率)。
ã€€ã€€ç›®å‰æ£åœ¨é–‹ç™¼çš„æœå‹™å™¨ PSU 主è¦é‡å°æ›´é«˜çš„ 80 Plus Titanium è¦æ ¼ï¼Œè©²è¦æ ¼è¦æ±‚åŠè² è¼‰æ™‚å³°å€¼æ•ˆçŽ‡è¶…éŽ 96%。æ¤å¤–ï¼Œæ ¹æ“šæ•¸æ“šä¸å¿ƒ PSU éµå¾ªçš„é–‹æ”¾è¨ˆç®—é …ç›® (OCP) é–‹æ”¾å¼æ©Ÿæž¶è¦èŒƒï¼ŒPSU 需è¦å¯¦ç¾è¶…éŽ 97.5% çš„å³°å€¼æ•ˆçŽ‡ã€‚å› æ¤ï¼Œç„¡æ©‹åŠŸçŽ‡å› æ•¸æ ¡æ£ (PFC) 和軟開關轉æ›å™¨ç‰æ–°æ‹“撲,以åŠç¢³åŒ–ç¡… (SiC) 和氮化鎵 (GaN) ç‰å¯¬å¸¶éš™æŠ€è¡“å¯ä»¥å¹«åŠ© PSU å¯¦ç¾ 80 Plus Titanium 和開放計算效率目標。
  1. 工作溫度
  在æœå‹™å™¨ PSU ç†±ç®¡ç†æ–¹é¢ï¼Œè¨è¨ˆäººå“¡å°‡ PSU AC å…¥å£(風扇所在ä½ç½®)的環境溫度定義為æœå‹™å™¨ PSU 工作溫度。 2000 年代åˆï¼Œå·¥ä½œæº«åº¦æœ€é«˜ç‚º 45°C,如今é”到最高 55°Cï¼Œå…·é«”å–æ±ºäºŽæœå‹™å™¨æ©Ÿæˆ¿çš„冷å»ç³»çµ±ã€‚
  較高的工作溫度å¯é™ä½Žæœå‹™å™¨å†·å»ç³»çµ±çš„èƒ½æºæˆæœ¬ã€‚與數據ä¸å¿ƒçš„資本支出(例如硬件è¨å‚™)相比,隨著時間的推移,作為é‹ç‡Ÿæ”¯å‡ºçš„èƒ½æºæˆæœ¬é è¨ˆå°‡é«˜äºŽè³‡æœ¬æ”¯å‡ºã€‚æ ¹æ“šé›»åŠ›ä½¿ç”¨æ•ˆçŽ‡(PUE)標準:
  PUE = 數據ä¸å¿ƒç¸½åŠŸçŽ‡/實際 IT 功率
  PUE值越低æ„味著數據ä¸å¿ƒæ•ˆçŽ‡è¶Šé«˜ã€‚ä¸åŒå·¥ä½œæº«åº¦ä¸‹PUE值的估算。例如,PUE 為 1.25 的數據ä¸å¿ƒåªèƒ½å…許其冷å»ç³»çµ±æ¶ˆè€—總功耗的 10%。這æ„味著æœå‹™å™¨ PSU éœ€è¦æ›´é«˜çš„工作溫度。
  1. 通訊與控制
  多年來,通信和控制在æœå‹™å™¨é›»æºä¸ç™¼æ®è‘—é‡è¦ä½œç”¨ã€‚ 2000年代åˆï¼ŒPSU的內部信æ¯é€šéŽç³»çµ±ç®¡ç†ç¸½ç·šæŽ¥å£å‚³è¼¸åˆ°ç³»çµ±å´ã€‚ 2007年,電æºç®¡ç†ç¸½ç·š(PMBus)接å£å¢žåŠ äº†åŠŸèƒ½ï¼ŒåŒ…æ‹¬é…ç½®ã€æŽ§åˆ¶ã€ç›£æŽ§å’Œæ•…障管ç†ã€è¼¸å…¥/輸出電æµå’ŒåŠŸçŽ‡ã€æ¿æº«åº¦ã€é¢¨æ‰‡é€Ÿåº¦æŽ§åˆ¶ã€å¯¦æ™‚更新代碼ã€éŽå£“(é›»æµã€æº«åº¦)å’Œä¿è·ã€‚隨åŽï¼Œç‚ºäº†æ»¿è¶³æ•¸æ“šä¸å¿ƒé›»æºæž¶æ—¥ç›Šå¢žé•·çš„需求,控制器局域網總線 (CANBus) æˆç‚ºæœå‹™å™¨é›»æºé€šä¿¡çš„一部分。
  電æºç®¡ç†æŽ§åˆ¶å™¨ä¹Ÿéš¨è‘—通信總線的發展而發展。在 2000 å¹´ä»£åˆæœŸï¼Œæ¨¡æ“¬æŽ§åˆ¶å™¨ä¸»è¦æŽ§åˆ¶æœå‹™å™¨ PSUã€‚éš¨è‘—è¶Šä¾†è¶Šå¤šçš„æŽ§åˆ¶éœ€æ±‚å¢žåŠ äº†é€šä¿¡éœ€æ±‚ï¼Œä½¿ç”¨æ•¸å—æŽ§åˆ¶å™¨å¯¦ç¾é€™äº›éœ€æ±‚è®Šå¾—æ›´åŠ å®¹æ˜“ã€‚ä½¿ç”¨æ•¸å—æŽ§åˆ¶é‚„å¯ä»¥æ¸›å°‘硬件工程師的調試工作é‡ï¼Œå¾žè€Œæœ‰å¯èƒ½é™ä½Ž PSU è¨è¨ˆå’Œé©—è‰éšŽæ®µçš„å‹žå‹•åŠ›æˆæœ¬ã€‚
  æœå‹™å™¨é›»æºæœªä¾†ç™¼å±•趨勢
  隨著æœå‹™å™¨åŠŸçŽ‡é 算的增長而容é‡ä¿æŒä¸è®Šï¼ŒåŠŸçŽ‡å¯†åº¦è¦æ±‚å°‡è®Šå¾—æ›´åŠ åš´æ ¼ã€‚æ–°é–‹ç™¼çš„æœå‹™å™¨ PSU 的功率密度已從 2000 年代åˆçš„個使•¸å¢žåŠ åˆ°è¿‘ 100 W/in 3 ã€‚é€šéŽæ‹“撲和組件技術的發展來æé«˜è½‰æ›å™¨æ•ˆçŽ‡æ˜¯å¯¦ç¾é«˜åŠŸçŽ‡å¯†åº¦çš„è§£æ±ºæ–¹æ¡ˆã€‚
  與電æµã€åŠŸçŽ‡å’Œæ•ˆçŽ‡è¶¨å‹¢ä¸€æ¨£ï¼Œç†æƒ³çš„二極管/ORing 控制器需è¦åœ¨å°åž‹å°è£ä¸æä¾›é«˜é›»æµã€‚ç†æƒ³çš„二極管/ORing æŽ§åˆ¶å™¨é‚„å¿…é ˆé›†æˆç›£æŽ§ã€æ•…障處ç†å’Œçž¬æ…‹è™•ç†ç‰åŠŸèƒ½ï¼Œä»¥æ¸›å°‘å¯¦ç¾é€™äº›åŠŸèƒ½æ‰€éœ€çš„ç¸½é«”çµ„ä»¶æ•¸é‡å’Œ PCB é¢ç©ã€‚
  例如,æœå‹™å™¨ PSU ä¸çš„ PFC é›»è·¯å·²å¾žç„¡æº PFC ç™¼å±•åˆ°æœ‰æºæ©‹ PFC,å†åˆ°æœ‰æºç„¡æ©‹ PFCã€‚éš”é›¢å¼ DC/DC 轉æ›å™¨å·²å¾žç¡¬é–‹é—œåæ¿€å¼å’Œæ£æ¿€å¼è½‰æ›å™¨ç™¼å±•到軟開關電感-電感-電容諧振和相移全橋轉æ›å™¨ã€‚éžéš”é›¢å¼ DC/DC 轉æ›å™¨å·²å¾žç·šæ€§ç©©å£“å™¨å’Œç£æ”¾å¤§å™¨ç™¼å±•åˆ°å…·æœ‰åŒæ¥æ•´æµå™¨çš„é™å£“轉æ›å™¨ã€‚éš¨åŽæ•´é«”效率的æé«˜æ¸›å°‘了內部功耗和解決熱å•題所需的工作。
  é©ç”¨äºŽæœå‹™å™¨ PSU çš„çµ„ä»¶æŠ€è¡“ä¹Ÿä¸æ–·ç™¼å±•,從 IGBT 和硅 MOSFET 發展到碳化硅 MOSFET 和氮化鎵 FET ç‰å¯¬å¸¶éš™å™¨ä»¶ã€‚ IGBT 和硅 MOSFET çš„éžç†æƒ³é–‹é—œç‰¹æ€§å°‡é–‹é—œé »çއé™åˆ¶åœ¨ 200 kHz ä»¥ä¸‹ã€‚é›–ç„¶å¯¬å¸¶éš™å™¨ä»¶çš„é–‹é—œç‰¹æ€§æ›´æŽ¥è¿‘ç†æƒ³é–‹é—œï¼Œä½†ä½¿ç”¨å¯¬å¸¶éš™å™¨ä»¶å¯ä»¥å¯¦ç¾æ›´é«˜çš„é–‹é—œé »çŽ‡ï¼Œå¾žè€Œæœ‰åŠ©äºŽæ¸›å°‘ PSU ä¸ä½¿ç”¨çš„ç£æ€§çµ„件的數é‡ã€‚
  隨著工作溫度的å‡é«˜ï¼Œæœå‹™å™¨ PSU ä¸çš„çµ„ä»¶éœ€è¦æ‰¿å—æ›´é«˜çš„ç†±æ‡‰åŠ›ï¼Œé€™ä¹ŸæŽ¨å‹•äº†é›»è·¯çš„ç™¼å±•ã€‚ä¾‹å¦‚ï¼Œå‚³çµ±çš„å¯¦ç¾æ–¹å¼æ˜¯å°‡æ©Ÿæ¢°ç¹¼é›»å™¨èˆ‡é›»é˜»å™¨å¹¶è¯ï¼Œä»¥æŠ‘制啟動期間的輸入浪涌電æµã€‚但由于其體ç©é¾å¤§ã€å¯é 性å•題和較低的é¡å®šæº«åº¦ï¼Œå›ºæ…‹ç¹¼é›»å™¨ç¾åœ¨æ£åœ¨å–代æœå‹™å™¨ PSU ä¸çš„æ©Ÿæ¢°ç¹¼é›»å™¨ã€‚
  3.6kW 單相圖騰柱無橋 PFC è¨è¨ˆå…·æœ‰ >180W/in 3功率密度,3kW 相移全橋采用有æºé‰—ä½è¨è¨ˆï¼Œå…·æœ‰ >270W/in 3功率密度,旨在滿足常見的æœå‹™å™¨ä¸çš„冗余電æºè¦æ ¼ã€‚
  在 3.6 kW PFC è¨è¨ˆä¸ï¼Œå›ºæ…‹ç¹¼é›»å™¨å¯é©æ‡‰é«˜å·¥ä½œæº«åº¦ã€‚æ¤è™•,LMG3522R030 GaN FET 支æŒä½¿ç”¨ç„¡æ©‹åœ–騰柱 PFC 拓撲。 “嬰兒å‡å£“â€æ¸›å°‘了大容é‡é›»å®¹å™¨çš„é«”ç©ï¼Œä»¥ç²å¾—更高的功率密度。
  在 3kW 相移全橋è¨è¨ˆä¸ï¼ŒLMG3522R030 GaN FET 有助于é™ä½Žå¾ªç’°é›»æµï¼Œå¹¶å¯å¯¦ç¾è»Ÿé–‹é—œã€‚有æºé‰—ä½é›»è·¯å……ç•¶ç„¡æç·©æ²–器,å¯å¯¦ç¾æ›´é«˜çš„轉æ›å™¨æ•ˆçŽ‡å’Œæ›´ä½Žçš„åŒæ¥æ•´æµå™¨é›»å£“æ‡‰åŠ›ã€‚ä¸Šè¿°æ‰€æœ‰æŽ§åˆ¶è¦æ±‚å‡é€šéŽC2000å–®ç‰‡æ©Ÿä½œç‚ºæ•¸å—æŽ§åˆ¶è™•ç†å™¨ä¾†å¯¦ç¾ã€‚
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