時間:2024-09-25 17:46:38來æºï¼š21icé›»åç¶²
ã€€ã€€é›¢ç·šé–‹é—œé›»æº (SMPS) æ˜¯æ ¹æ“šçµ‚ç«¯è² è¼‰å°‡é›»ç¶²é›»æºè½‰æ›ç‚ºç›´æµé›»æºçš„經典產å“。通常,這種開關電æºåŒ…å«å…©å€‹è½‰æ›ç´šï¼Œç‚ºäº†å¯¦ç¾æ›´é«˜çš„æ•ˆçŽ‡ï¼Œéœ€è¦é‡‡ç”¨æ€§èƒ½æ›´å¥½çš„é›»æºé–‹é—œæˆ–實施ä¸åŒçš„æŽ§åˆ¶ç–略。æ¤å¤–ï¼Œæ ¹æ“šå…·é«”æƒ…æ³é¸æ“‡æ›´åˆé©çš„æ‹“撲也很é‡è¦ã€‚本系統方案指å—將介紹有關離線 SMPS 的基礎知è˜ï¼Œä»¥åŠå®‰æ£®ç¾Ž (onsemi)的精é¸ç”¢å“和解決方案。本文為第一部分,將é‡é»žä»‹ç´¹ç³»çµ±ç”¨é€”ã€ç³»çµ±å¯¦ç¾ã€ç³»çµ±æè¿°ã€å¸‚å ´ä¿¡æ¯å’Œè¶¨å‹¢ã€‚
ã€€ã€€é›¢ç·šé–‹é—œé›»æº (SMPS) æ˜¯æ ¹æ“šçµ‚ç«¯è² è¼‰å°‡é›»ç¶²é›»æºè½‰æ›ç‚ºç›´æµé›»æºçš„經典產å“。通常,這種開關電æºåŒ…å«å…©å€‹è½‰æ›ç´šï¼Œç‚ºäº†å¯¦ç¾æ›´é«˜çš„æ•ˆçŽ‡ï¼Œéœ€è¦é‡‡ç”¨æ€§èƒ½æ›´å¥½çš„é›»æºé–‹é—œæˆ–實施ä¸åŒçš„æŽ§åˆ¶ç–略。æ¤å¤–ï¼Œæ ¹æ“šå…·é«”æƒ…æ³é¸æ“‡æ›´åˆé©çš„æ‹“撲也很é‡è¦ã€‚本系統方案指å—將介紹有關離線 SMPS 的基礎知è˜ï¼Œä»¥åŠå®‰æ£®ç¾Ž (onsemi)的精é¸ç”¢å“和解決方案。本文為第一部分,將é‡é»žä»‹ç´¹ç³»çµ±ç”¨é€”ã€ç³»çµ±å¯¦ç¾ã€ç³»çµ±æè¿°ã€å¸‚å ´ä¿¡æ¯å’Œè¶¨å‹¢ã€‚
  系統用途
  自上個世紀以來,離線 SMPS 一直備å—çŸšç›®ï¼Œç›¸é—œç ”ç©¶å±¤è¦‹è¿å‡ºï¼Œå¹¶å»£æ³›æ‡‰ç”¨åœ¨æ—¥å¸¸ç”Ÿæ´»çš„æ–¹æ–¹é¢é¢ã€‚離線 SMPS 一般是指帶有隔離變壓器并由電網供電的開關電æºï¼Œé©ç”¨èŒƒåœæ¶µè“‹ 從65W çš„ç†è¨˜æœ¬é›»è…¦é›»æ± 充電器,到數åƒç“¦çš„æ•¸æ“šä¸å¿ƒæœå‹™å™¨é›»æºè£ç½®ã€‚
  寬ç¦å¸¶åŠå°Žé«”產å“層出ä¸çª®ï¼Œé€™è®“å» å•†å¯ä»¥æ ¹æ“šå¯¦éš›æƒ…æ³è‡ªè¡Œé‡‡ç”¨æ–°çš„æ‹“撲來優化效率ã€å°ºå¯¸å’Œé›†æˆæ°´å¹³ã€‚æ–°è¨è¨ˆçš„æŽ§åˆ¶å™¨é‚„有助于æé«˜ç³»çµ±å®‰å…¨æ€§ã€é™ä½ŽåŠŸè€—å¹¶æ”¹å–„æ€§èƒ½ã€‚
  為了實ç¾å…¨çƒâ€œé›¶ç¢³â€ç›®æ¨™ï¼ŒSMPS å¿…é ˆæ»¿è¶³æ›´åš´æ ¼çš„æ•ˆçŽ‡æ¨™æº–ï¼Œç›¡å¯èƒ½åœ°é™ä½Žèƒ½æºæ¶ˆè€—和碳排放。例如,為促進節能減排,æç›ŸåŸ·è¡Œå§”員會新發布的 CoC V5 和美國能æºéƒ¨çš„ DoE VI å°æ»¿è¼‰å’Œè¼•載/空載時的功率æè€—與效率æå‡ºäº†æ˜Žç¢ºçš„è¦æ±‚。
  系統實ç¾
  3kw 圖騰柱 PFC+LLC PSU åƒè€ƒè¨è¨ˆ
  典型的離線 SMPS
  系統æè¿°
  1. 標準
  目å‰ä¸»è¦æœ‰ä¸‰é¡žæ¨™æº–,其ä¸åŒ…æ‹¬å®‰å…¨æ¨™æº–å’Œè¼»å°„æ¨™æº–ã€‚ç›®å‰æœ€æ–°ä¿®è¨‚çš„ IEC 62368-1 ç¬¬äºŒç‰ˆå°±å±¬äºŽå®‰å…¨æ¨™æº–ï¼Œå…¶ä¸æ˜Žç¢ºäº†çµ•ç·£ã€éš”離ã€é›»æ°£é–“éš™ã€çˆ¬é›»è·é›¢ç‰æ¦‚念的定義。而 IEC 61000-3-2 å‰‡æ˜¯ä¸€é …åœ‹éš›è¼»å°„æ¨™æº–ï¼Œé€šéŽè¦å®šå¾žç¬¬ 2 次諧波到 40 æ¬¡è«§æ³¢çš„è«§æ³¢é›»æµæœ€å¤§å€¼ä¾†é™åˆ¶é›»æºé›»å£“失真。這個標準é©ç”¨äºŽé¡å®šé›»æµä¸è¶…éŽ 16A çš„è¨å‚™ï¼Œé¡å®šé›»æµå¤§äºŽ 16A çš„è¨å‚™æ‡‰éµå¾ª IEC 61000-3-12。
  為了促進節能減排,世界å„åœ°éƒ½åˆ¶å®šäº†ç›¸é—œçš„æ³•è¦æ¨™æº–ï¼Œä¾‹å¦‚ç¾Žåœ‹åŠ å·žèƒ½æºå§”員會制定的法è¦ã€èƒ½æºä¹‹æ˜Ÿèªè‰ä»¥åŠæç›Ÿçš„ç¯€èƒ½ç›¸é—œç”¢å“ (ErP) 指令ç‰ã€‚美國能æºéƒ¨ (DoE) é‡å°å£æŽ›å¼æˆ–桌é¢å¼å¤–部電æºç™¼å¸ƒäº†ä¸€å¥—åˆ†ç´šæ¨™æº–ï¼Œå…¶ä¸ Level VI æ˜¯æœ€æ–°ä¸”æœ€åš´æ ¼çš„æ¨™æº–;åŒæ™‚ææ´²å§”員會的科å¸å’ŒçŸ¥è˜æœå‹™æ©Ÿæ§‹â€œè¯åˆç ”ç©¶ä¸å¿ƒâ€åˆ¶å®šäº†ä¸€å¥—æç›Ÿå¤–部電æºä¾›æ‡‰å™¨ (EPS) 行為準則 (CoC)。
  æ¤å¤–還有 80 PLUS? 計劃,該計劃致力于推動在 20% 至 100% è² è¼‰æ¢ä»¶ä¸‹å¯¦ç¾ 80% 或更高的效率,并在 100% è² è¼‰æ¢ä»¶ä¸‹å¯¦ç¾ 0.9 æˆ–æ›´é«˜çš„åŠŸçŽ‡å› æ•¸ï¼Œå…¶æœ€é«˜ç‰ç´š(å³â€œ80+ éˆ¦é‡‘â€æ¨™æº–)è¦å®šï¼Œåœ¨ 20% è² è¼‰æ™‚æ•ˆçŽ‡è‡³å°‘è¦é”到 92%,在 100% è² è¼‰æ™‚æ•ˆçŽ‡è‡³å°‘è¦é”到 94%。
  2. åŠŸçŽ‡å› æ•¸æ ¡æ£
  PFC(åŠŸçŽ‡å› æ•¸æ ¡æ£)是離線電æºçš„é—œéµçµ„æˆéƒ¨åˆ†ã€‚PFC 的主è¦ä»»å‹™æ˜¯å°è¼¸å…¥é›»æµé€²è¡Œæ•´å½¢å¹¶é™ä½Žé«˜é »è«§æ³¢é›»æµï¼Œå‰è€…å¯ä»¥æé«˜å¾žä¸»é›»æºç²å–的實際功率,而åŽè€…èƒ½å¤ æ¸›å°‘èˆ‡é…é›»ã€ç™¼é›»åŠéŽç¨‹ä¸é‡è¦è¨å‚™ç›¸é—œçš„æè€—å’Œæˆæœ¬ã€‚THD(總諧波失真)是確定系統ä¸ç·šè·¯é›»æµè³ªé‡çš„é‡è¦æ–¹æ³•ï¼Œç¶“å¸¸ä½œç‚ºåŠŸçŽ‡å› æ•¸çš„æ›¿ä»£æŒ‡æ¨™ä¾†ä½¿ç”¨ã€‚PFC ç´šçš„å¦ä¸€å€‹é‡è¦åƒ¹å€¼åœ¨äºŽèƒ½æä¾›ç©©å®šçš„ç›´æµè¼¸å‡ºé›»å£“,這樣便能為åŽçºŒçš„éš”é›¢å¼ DC-DC 轉æ›å™¨æä¾›èŒƒåœè¼ƒçª„的直æµè¼¸å…¥ï¼Œå¾žè€Œå„ªåŒ–æ•´é«”è¨è¨ˆã€‚
  3. DC-DC 級
  DC-DC 級的作用是通éŽéš”離變壓器和 PWM 或諧振轉æ›å™¨ï¼Œå°‡ä¸€å®šèŒƒåœçš„輸入電壓轉æ›ç‚ºæ‰€éœ€çš„ç›´æµè¼¸å‡ºé›»å£“和電æµã€‚DC-DC ç´šçš„é—œéµæŒ‘戰在于ç£å…ƒä»¶çš„è¨è¨ˆã€‚ä¾‹å¦‚ï¼Œè¶¨è†šæ•ˆæ‡‰å’Œé„°è¿‘æ•ˆæ‡‰æœƒå°Žè‡´é«˜é »è®Šå£“å™¨å‡ºç¾æ¸¦æµï¼Œå½±éŸ¿ç£èŠ¯ææ–™çš„鏿“‡ï¼Œå¼•èµ·ç£èНæè€—和銅æç‰ã€‚
  4. é›»æµæŽ§åˆ¶æ¨¡å¼
  這里有必è¦å›žé¡§ä¸€ä¸‹ç¶“典工作模å¼ï¼Œå› 為工作模å¼ä¸åƒ…å½±éŸ¿æ‹“æ’²çš„é¸æ“‡ï¼Œé‚„會影響整個系統的è¨è¨ˆã€‚CCM(連續導通模å¼)æä¾›è¶…低的峰值和 rms é›»æµï¼Œå› æ¤æ›´å¤šåœ°ç”¨äºŽåŠŸçŽ‡æ°´å¹³è¼ƒé«˜çš„æ‡‰ç”¨ã€‚åœ¨ CCM 下,電感電æµç´‹æ³¢è¼ƒå°ï¼Œä½† MOSFET 會在å‡å£“二極管導通時接通。所以我們需使用低 trr 二極管來é¿å… MOSFET 導通時產生éŽå¤§çš„æè€—和應力。CrM(臨界導通模å¼)éžå¸¸é©åˆä½ŽåŠŸè€—æ‡‰ç”¨ã€‚
ã€€ã€€åœ¨æ¤æ¨¡å¼ä¸‹ï¼Œé›»æ„Ÿé›»æµæœƒåœ¨é”到零åŽé–‹å§‹ä¸‹ä¸€å€‹å‘¨æœŸï¼Œå¹¶ä¸”é »çŽ‡æœƒéš¨ç·šè·¯é›»å£“å’Œè² è¼‰æ¢ä»¶çš„變化而變化。CrM 的一大優點在于電æµç’°è·¯æœ¬è³ªä¸Šæ¯”較穩定且ä¸éœ€è¦æ–œå¡è£œå„Ÿã€‚æ¤å¤–,電感電æµåœ¨æ¯å€‹å‘¨æœŸéƒ½æœƒé™è‡³é›¶ï¼Œæ‰€ä»¥é—œæ–·æ™‚äºŒæ¥µç®¡ä¸æœƒç”¢ç”Ÿå呿¢å¾©æè€—,就算使用較便宜的å‡å£“äºŒæ¥µç®¡ä¹Ÿä¸æœƒæœ‰ææ€§èƒ½ã€‚åŒæ¨£ï¼ŒMOSFET å¯ä»¥åœ¨ä½Žé›»å£“下導通,從而é™ä½Žé–‹é—œæè€—。
  通常在系統處于輕載時,CrM/CCM切æ›åˆ°DCM(斷續導通模å¼),以確ä¿è¼ƒé«˜çš„åŠŸçŽ‡å› æ•¸ï¼Œå¹¶æŠ‘åˆ¶å› é »çŽ‡åœ¨éŽé›¶é»žé™„近大幅å‡é«˜è€Œç”¢ç”Ÿ EMI。
  FCCrM(é »çŽ‡ç®ä½è‡¨ç•Œå°Žé€šæ¨¡å¼)是安森美æå‡ºçš„一種方法,用于é™åˆ¶ CrM é›»è·¯çš„é–‹é—œé »çŽ‡æ“´å±•ã€‚ç•¶è½‰æ›å™¨åœ¨è¼•載和/或線路電壓éŽé›¶é»žé™„è¿‘é‹è¡Œæ™‚ï¼Œæœ€å¤§é »çŽ‡ç®ä½æœƒå¼·åˆ¶ç³»çµ±åˆ‡æ›åˆ° DCM。如果ä¸é‡‡ç”¨é€™æ¨£çš„電路,CrM é–‹é—œé »çŽ‡å°‡è¶…éŽç®ä½ä¸Šé™ï¼Œå°Žè‡´é–‹é—œæè€—å¢žåŠ ã€‚æ¤æ™‚é‚„éœ€æ·»åŠ ä¸€å€‹é›»è·¯ä¾†è£œå„Ÿ DCM 產生的æ»å€æ™‚間,使線路電æµä¿æŒæ£ç¢ºçš„æ³¢å½¢ã€‚
  1. 寬ç¦å¸¶åŠå°Žé«”
  寬ç¦å¸¶å™¨ä»¶æ£åœ¨æ‰¹é‡åŒ–生產,許多公å¸ä¹Ÿéš¨ä¹‹æŽ¨å‡º(或å³å°‡æŽ¨å‡º)基于 SiC/GaN çš„ SMPS。SiC/GaN ææ–™å…¼å…·å呿¢å¾©æ€§èƒ½å„ªç•°ã€ç†±æ€§èƒ½å‡ºè‰²ã€å·¥ä½œé›»å£“åŠæº«åº¦è¼ƒé«˜ç‰è«¸å¤šå„ªå‹¢ç‰¹æ€§ï¼Œå¯ä»¥è®“新系統æé«˜é »çŽ‡å¹¶ç¸®å° PCB å°ºå¯¸ï¼Œç”šè‡³ç„¡éœ€æ•£ç†±ç‰‡æˆ–é€²è¡Œå¼·åˆ¶æ•£ç†±ã€‚ä½†é«˜é »çŽ‡å¯èƒ½æœƒå¸¶ä¾†è¼»å°„ã€éŽæ²–ç‰æ½›åœ¨å•é¡Œï¼Œæ‰€ä»¥æˆ‘å€‘å¿…é ˆç ”ç™¼æ–°çš„è¨è¨ˆã€‚
  2. 集æˆ
  å¯ä»¥ç¯€çœ PCB 空間并減少外部無æºå…ƒä»¶ï¼Œå¾žè€Œèƒ½å¤ æé«˜åŠŸçŽ‡å¯†åº¦å’Œå®‰è£éˆæ´»æ€§ã€‚例如,GaN HEMT 是ä¸ä½ŽåŠŸçŽ‡é›»æº(Pout<1500W)çš„ç†±é–€é¸æ“‡ï¼Œå¯å¤§å¹…æ¸›å°æœ€çµ‚產å“的尺寸。在 dv/dt å¯èƒ½è¶…éŽ 100V/ns æ™‚ï¼Œæˆ‘å€‘éœ€è¦æ¸›å°å¯„生電感。將 GaN HEMT 和驅動器集æˆåœ¨åŒä¸€å°è£ä¸å¯ä»¥é™ä½Žå¼•ç·šå’Œ PCB 引起的電感,從而ç²å¾—更好的開關性能。
  3. æ–°æ‹“æ’²å¯æé«˜æ•ˆçŽ‡
  圖騰柱PFC é™ä½Žç”±æ•´æµæ©‹é€ æˆçš„æè€—ï¼Œå› è€Œåœ¨é«˜åŠŸçŽ‡å¯†åº¦ç”¢å“ä¸ï¼Œå®ƒæ˜¯æ¯”å–®å‡å£“更好的 PFC 拓撲。如今,LLC 憑借更寬的軟開關范åœã€æ•´å€‹è² 載變化éŽç¨‹ä¸è¼ƒçª„çš„é »çŽ‡èŒƒåœä»¥åŠè¼ƒå°çš„循環電æµï¼Œæˆç‚ºä¸é«˜åŠŸçŽ‡æ‡‰ç”¨çš„å„ªé¸ DC-DC 拓撲。寬ç¦å¸¶åŠå°Žé«”在這些新拓撲ä¸ç™¼æ®è‘—é—œéµä½œç”¨ï¼Œè€Œæ™ºèƒ½ä½ŽåŠŸè€—æŽ§åˆ¶å™¨æ˜¯é—œä¹Žé«˜æ•ˆçŽ‡çš„å¦ä¸€å€‹é‡è¦å› ç´ ã€‚
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