晶體管加速電路將是下述內容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對它的相關情況以及信息有所認識和了解，詳細內容如下。

　　一、晶體管加速電路

　　晶體管加速電路?是通過特定的電路設計和技術手段，以提高晶體管的開關速度和性能的電路。這些電路通常采用以下幾種方法來實現加速效果：

　　1、?使用加速電容?：通過在基極限流電阻上并聯一個小容量的電容(一般pF級別)，當輸入信號上升或下降時，這個電容能夠瞬間旁路限流電阻并提供基極電流，從而在晶體管由導通狀態變化到截止狀態時能夠迅速從基區取出電子，消除開關的時間滯后，提高開關速度。加速電容的最佳值需要根據實際電路的開關波形來確定。

　　2、?肖特基鉗位?：在基極與集電極之間接入肖特基二極管，這種二極管由金屬與半導體接觸形成，具有開關速度快、正向壓降小的特點。肖特基鉗位能夠改變晶體管的工作點，減小電荷存儲效應的影響，從而提高開關速度。與接入加速電容相比，肖特基鉗位電路不會降低電路的輸入阻抗。

　　3、?減小基極電阻?：通過減小基極限流電阻的值，可以加快輸出波形的上升速度，這是一種與減小電阻值等效的提高開關速度的方法。減小電阻值可以使低通濾波器的截止頻率升高，從而加快開關速度。

　　這些加速電路的設計旨在提高晶體管在高速開關應用中的性能，如數字邏輯電路和高速電子設備中，其中晶體管的快速響應對于系統的整體性能至關重要。通過上述方法，可以有效提升晶體管的開關速度，進而提升整個電路系統的運行效率和響應速度?。

　　二、幾款常見的晶體管加速電路

　　為了改善晶體管的開關特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅動電路的設計上會采取一些加速措施。如下：

　　在加速電路一中，并聯在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數值一般在1nf~3.3nf。當Nb上端產生一個正的驅動電壓時，由于電容兩端電壓不能突變，上電瞬間電容如同短路，因此可認為為VT1提供了很大的正向基極電流，使晶體管迅速導通。之后，電容CB被充電至激勵電壓的峰值而進入穩態。當晶體管的驅動電壓突變為0時，還是因為電容電壓不能突變，CB兩端的電壓加到VT1的發射結上，可以形成很大的反向基極抽取電流，使VT1迅速關閉并進入問題。

　　在加速電路二中，高速開關二極管IN4148與電阻R1的作用是當晶體管VT1截止時，為反向基極電流提供一個低阻抗的通路。

　　在加速電路三中，并聯在基極電阻RB兩端的高速開關二極管IN4148的作用是當晶體管VT1截止時，為反向基極電流提供通路，迅速釋放基極與發射極間電容儲存的電量，加快晶體管的關閉。