時間:2023-08-07 15:13:39來æºï¼šOFweek太陽能光ä¼ç¶²
HJT異質çµé›»æ± é¡›è¦†äº†å‚³çµ±çš„é›»æ± çµæ§‹ï¼Œå…·æœ‰è½‰æ›æ•ˆçŽ‡é«˜ã€åˆ¶é€ å·¥è—ç°¡å–®ã€è–„ç¡…ç‰‡æ‡‰ç”¨ã€æº«åº¦ç³»æ•¸ä½Žã€ç„¡å…‰è‡´è¡°æ¸›å’Œé›»ä½è¡°æ¸›ã€å¯é›™é¢ç™¼é›»ç‰å„ªå‹¢ï¼Œè€Œç•°è³ªçµçµ„ä»¶åœ¨è½‰æ›æ•ˆçއå˜åœ¨çš„優勢,顯著超éŽäº†PERC。PERC比異質çµè¼¸å‡ºæ•ˆçŽ‡ä½Ž10%,æ„å‘³è‘—åŒæ¨£åŠŸçŽ‡æŒ‡æ¨™çš„é›»æ± çµ„ä»¶ï¼Œåœ¨æ•´å€‹ç™¼é›»å‘¨æœŸï¼Œç•°è³ªçµå°‡æ¯”PERC多發10%的電。
  異質çµé›»æ± (HJTé›»æ± )的特點和優勢
  1ã€ç„¡PIDç¾è±¡ï¼šç”±äºŽé›»æ± 上表é¢ç‚ºTCO,電è·ä¸æœƒåœ¨é›»æ± 表é¢çš„TCO上產生極化ç¾è±¡ï¼Œç„¡PIDç¾è±¡ã€‚åŒæ™‚實測數據也è‰å¯¦äº†é€™ä¸€é»žã€‚異質çµå¤ªé™½èƒ½é›»æ± çš„æŠ€è¡“æ‡‰ç”¨èˆ‡å‰æ™¯
  2ã€ä½Žæº«åˆ¶é€ å·¥è—:HJTé›»æ± æ‰€æœ‰åˆ¶ç¨‹çš„åŠ å·¥æº«åº¦å‡ä½ŽäºŽ250,é¿å…äº†ç”Ÿç”¢æ•ˆçŽ‡ä½Žè€Œæˆæœ¬é«˜çš„高溫擴散制çµçš„éŽç¨‹ï¼Œè€Œä¸”低溫工è—使得a-Si薄膜的光å¸å¸¶éš™ã€æ²‰ç©é€Ÿçއã€å¸æ”¶ç³»æ•¸ä»¥åŠæ°«å«é‡å¾—到較精確的控制,也å¯é¿å…å› é«˜æº«å°Žè‡´çš„ç†±æ‡‰åŠ›ç‰ä¸è‰¯å½±éŸ¿ã€‚
  3ã€é«˜æ•ˆçŽ‡ï¼šHJTé›»æ± ä¸€ç›´åœ¨åˆ·æ–°è‘—é‡ç”¢çš„é›»æ± è½‰æ›æ•ˆçŽ‡çš„ä¸–ç•Œç´€éŒ„ã€‚HJTé›»æ± çš„æ•ˆçŽ‡æ¯”Påž‹å–®æ™¶ç¡…é›»æ± é«˜1-2%,而且之間的差異在慢慢增大。
  4ã€é«˜å…‰ç…§ç©©å®šæ€§ç•°è³ªçµå¤ªé™½èƒ½é›»æ± çš„æŠ€è¡“æ‡‰ç”¨èˆ‡å‰æ™¯ï¼šåœ¨HJTå¤ªé™½èƒ½é›»æ± ä¸ä¸æœƒå‡ºç¾éžæ™¶ç¡…å¤ªé™½èƒ½é›»æ± ä¸å¸¸è¦‹çš„Staebler-Wronskiæ•ˆæ‡‰ã€‚åŒæ™‚HJTé›»æ± é‡‡ç”¨çš„N型硅片,摻雜劑為磷,幾乎無光致衰減ç¾è±¡ã€‚
  5ã€å¯å‘薄型化發展:HJTé›»æ± çš„åˆ¶ç¨‹æº«åº¦ä½Žï¼Œä¸Šä¸‹è¡¨é¢çµæ§‹å°ç¨±ï¼Œç„¡æ©Ÿæ¢°æ‡‰åŠ›ç”¢ç”Ÿï¼Œå¯ä»¥é †åˆ©å¯¦ç¾è–„型化;å¦å¤–ç¶“ç ”ç©¶ï¼Œå°äºŽå°‘å壽命較高(SRV<100cm/s)çš„N型硅基底,片åè¶Šè–„å¯ä»¥å¾—到越高的開路電壓。
  雖然異質çµå¤ªé™½èƒ½é›»æ± 的技術那么好,但目å‰é‚„æ²’æœ‰å¾—åˆ°å»£æ³›çš„å¸‚å ´æ‡‰ç”¨ï¼Œä¸»è¦åŽŸå› é‚„æ˜¯æˆæœ¬å› ç´ ï¼Œä¸€æ˜¯ç”Ÿç”¢è¨å‚™åƒ¹æ ¼é«˜ï¼ŒäºŒæ˜¯è€—æè²´ã€‚
  光ä¼çµ„件的功率ç‰äºŽçµ„件䏿œ‰æ•ˆçš„é›»æ± ç‰‡é¢ç©ã€å¤ªé™½è¼»å°„強度以åŠé›»æ± 效率之ç©ã€‚å› æ¤æœªä¾†å°‡ç•°è³ªçµé›»æ± 替代PERCé›»æ± æ™‚å°‡é€ å°±æ›´å¤§åŠŸçŽ‡çš„çµ„ä»¶ï¼Œå¾žè€Œç‚ºé›»åŠ›æŠ•è³‡å•†å¸¶ä¾†æ›´ä½Žçš„å–®ç“¦æˆæœ¬å’Œåº¦é›»æˆæœ¬ã€‚
ä¸Šä¸€ç¯‡ï¼šå–®æ™¶ç¡…æ˜¯ä»€ä¹ˆææ–™?單晶硅的主...
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