時間:2023-03-13 17:57:51來æºï¼šé‰…大LARGE
  鋰離åé›»æ± ä¿è·èŠ¯ç‰‡åŽŸç†ï¼Œé‹°é›»ä¿è·èŠ¯ç‰‡çš„åŠŸèƒ½ã€‚é‹°é›¢åé›»æ± ä¹‹æ‰€ä»¥è¦ä¿è·æ˜¯ç”±å®ƒæœ¬èº«ç‰¹æ€§æ±ºå®šçš„,由于鋰離åé›»æ± æœ¬èº«çš„ææ–™æ±ºå®šäº†å®ƒä¸èƒ½è¢«éŽå……ã€éŽæ”¾ã€éŽæµã€çŸè·¯åŠè¶…é«˜æº«å……æ”¾é›»ï¼Œå› æ¤é‹°é›¢åé›»æ± é‹°é›»çµ„ä»¶ç¸½æœƒè·Ÿè‘—ä¸€å¡Šç²¾è‡´çš„ä¿è·æ¿å’Œä¸€ç‰‡é›»æµä¿éšªå™¨å‡ºç¾ã€‚下é¢ç”±é‹°é›¢åé›»æ± ç”Ÿç”¢å» å®¶è§£æžé‹°é›¢åé›»æ± ä¿è·èŠ¯ç‰‡åŽŸç†ï¼Œé‹°é›»ä¿è·èŠ¯ç‰‡çš„åŠŸèƒ½ã€‚
  鋰離åé›»æ± çš„ä¿è·åŠŸèƒ½é€šå¸¸ç”±ä¿è·é›»è·¯æ¿å’ŒPTCç‰é›»æµå™¨ä»¶å”åŒå®Œæˆï¼Œä¿è·æ¿æ˜¯ç”±é›»å電路組æˆï¼Œåœ¨-40℃至+85℃的環境下時刻準確的監視電芯的電壓和充放回路的電æµï¼ŒåŠæ™‚控制電æµå›žè·¯çš„通斷;PTC在高溫環境下防æ¢é›»æ± 發生惡劣的æå£žã€‚
  鋰離åé›»æ± ä¿è·èŠ¯ç‰‡åŽŸç†
  1ã€ä¿è·èŠ¯ç‰‡å·¥ä½œåŽŸç†ä¸çš„é‡è¦å…ƒå™¨ä»¶çš„介紹:IC:它是ä¿è·èŠ¯ç‰‡çš„æ ¸å¿ƒï¼Œé¦–å…ˆå–æ¨£é›»æ± 電壓,然åŽé€šéŽåˆ¤æ–·ç™¼å‡ºå„種指令。MOS管:它é‡è¦èµ·é–‹é—œç”¨é€”
  2ã€ä¿è·èŠ¯ç‰‡æ£å¸¸å·¥ä½œï¼šä¿è·èŠ¯ç‰‡ä¸ŠMOS管剛開始å¯èƒ½è™•äºŽé—œæ–·ç‹€æ…‹ï¼Œé›»æ± æŽ¥ä¸Šä¿è·èŠ¯ç‰‡åŽå¿…é ˆå…ˆè§¸ç™¼MOS管,P+與P-ç«¯æ‰æœ‰è¼¸å‡ºé›»å£“,觸發常用方法——用導線把B-與P-çŸæŽ¥ã€‚
  3ã€ä¿è·èŠ¯ç‰‡éŽæ”¾ä¿è·ï¼šåœ¨P+與P-上接上一åˆé©çš„è² è¼‰åŽï¼Œé‹°é›¢åé›»æ± çµ„é–‹å§‹æ”¾é›»ï¼Œé›»æµå¾žé›»æ± çš„æ£æ¥µç¶“è² è¼‰ã€D2ã€MOS1åˆ°é›»æ± çš„è² æ¥µ;ç•¶é›»æ± æ”¾é›»åˆ°2.5v時IC采樣并發出指令,讓MOS1截æ¢ï¼Œå›žè·¯æ–·é–‹ï¼Œé›»æ± 被ä¿è·äº†ã€‚
  5ã€éŽæµä¿è·ï¼šåœ¨P+與P-上接上一åˆé©çš„è² è¼‰åŽï¼Œé›»æ± é–‹å§‹æ”¾é›»å…¶é›»æµæ–¹å‘如I2,電æµå¾žé›»æ± çš„æ£æ¥µç¶“è² è¼‰ã€D2ã€MOS1åˆ°é›»æ± çš„è² æ¥µï¼Œç•¶è² è¼‰çªç„¶æ¸›å°ï¼ŒIC通éŽVM引腳采樣到çªç„¶å¢žå¤§é›»æµè€Œå‡ºç¾çš„電壓這時IC采樣并發出指令,讓MOS1截æ¢ï¼Œå›žè·¯æ–·é–‹ï¼Œé›»æ± 被ä¿è·äº†ã€‚
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  鋰電ä¿è·èŠ¯ç‰‡çš„åŠŸèƒ½
  æ£å¸¸ç‹€æ…‹ï¼šç•¶æ‰€æœ‰é‹°é›»é›»å£“都在éŽå……æª¢æ¸¬é›»å£“å’ŒéŽæ”¾æª¢æ¸¬é›»å£“ä¹‹é–“ï¼Œä¸”é›»å£“åœ¨éŽæµæª¢æ¸¬é›»å£“和異常充電檢測電壓之間則處于æ£å¸¸å·¥ä½œç‹€æ…‹ã€‚
  éŽå……電狀態:æ£å¸¸ç‹€æ…‹ä¸‹ï¼Œä»»æ„ç•°ç•Œé›»æ± é›»å£“é«˜äºŽéŽå……檢測電壓,且超éŽéŽå……ä¿è·å»¶é²æ™‚間,輸出高阻態關斷充電進入éŽå……ä¿è·ç‹€æ…‹;在éŽå……ä¿è·å»¶æ™‚æ™‚é–“å…§ï¼Œè‹¥æª¢æ¸¬çš„é›»æ± é›»å£“ä½ŽäºŽéŽå……檢測電壓的時間超éŽéŽå……é‡ç½®å»¶æ™‚,則éŽå……ç©ç´¯çš„延鲿™‚間會被é‡ç½®ï¼Œå¦å‰‡ï¼Œé›»æ± 電壓的下é™å°±æœƒè¢«èªç‚ºæ˜¯ç„¡é—œçš„干擾從而被å±è”½ã€‚
ã€€ã€€éŽæ”¾é›»ç‹€æ…‹ï¼šæ£å¸¸ç‹€æ…‹ä¸‹ä»»æ„ç•°ç•Œé›»æ± é›»å£“ä½ŽäºŽéŽæ”¾ä¿è·é›»å£“,且超éŽéŽæ”¾ä¿è·å»¶é²æ™‚é–“ï¼Œè¼¸å‡ºä½Žé›»å¹³é—œæ–·æ”¾é›»é€²å…¥éŽæ”¾ä¿è·ç‹€æ…‹ï¼ŒåŒæ™‚輸出高阻態,關斷充電。
  鋰離åé›»æ± å…·æœ‰æ”¾é›»æ”¾é›»é›»æµå¤§ã€å…§é˜»ä½Žã€å£½å‘½é•·ã€ç„¡è¨˜æ†¶æ•ˆæ‡‰ç‰è¢«äººå€‘廣泛使用,鋰離åé›»æ± åœ¨ä½¿ç”¨ä¸åš´ç¦éŽå……é›»ã€éŽæ”¾é›»ã€çŸè·¯ï¼Œå¦å‰‡å°‡æœƒä½¿é›»æ± èµ·ç«ã€çˆ†ç‚¸ã€ç‰è‡´å‘½ç¼ºé»žï¼Œæ‰€ä»¥åœ¨ä½¿ç”¨å¯å……鋰離åé›»æ± éƒ½æœƒå¸¶ä¸€å¡Šä¿è·æ¿ä¾†ä¿è·é›»èŠ¯çš„å®‰å…¨ï¼Œé‹°é›¢åé›»æ± ä¿è·æ¿é‡è¦ç”±éŽå£“ä¿è·å’ŒéŽæµä¿è·æ§‹æˆï¼Œæ˜¯ç”¨ä¾†ä¿è·é‹°é›¢åé›»æ± é›»èŠ¯å®‰å…¨çš„å™¨ä»¶
  除了控制IC外,電路ä¸é‚„有一個é‡è¦å…ƒä»¶ï¼Œå°±æ˜¯MOSFET,它在電路ä¸èµ·è‘—é–‹é—œçš„ç”¨é€”ï¼Œç”±äºŽå®ƒç›´æŽ¥ä¸²æŽ¥åœ¨é›»æ± èˆ‡å¤–éƒ¨è² è¼‰ä¹‹é–“ï¼Œå› æ¤å®ƒçš„導通阻抗å°é›»æ± 的性能有影響。除了控制IC外,電路ä¸é‚„有一個é‡è¦å…ƒä»¶ï¼Œå°±æ˜¯MOSFET,它在電路ä¸èµ·è‘—é–‹é—œçš„ç”¨é€”ï¼Œç”±äºŽå®ƒç›´æŽ¥ä¸²æŽ¥åœ¨é›»æ± èˆ‡å¤–éƒ¨è² è¼‰ä¹‹é–“ï¼Œå› æ¤å®ƒçš„導通阻抗å°é›»æ± 的性能有影響。
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