在許多半導體元器件的制造中，整個制程的環節緊緊相扣, 每一個步驟對于良率的生產起到一定的作用。這里主要介紹半導體其中的清洗設備——半導體濕法腐蝕機。清洗設備必須保證優質的清洗效果，無交叉感染的風險，準確地供給化學藥液，可廣泛應用于不同種晶圓的清洗工藝。

　　半導體清洗設備: 半導體濕法腐蝕機

　　生產半導體器件專用清洗設備，需要檢測清洗液的高低液位。因清洗液具有強酸或強堿的腐蝕性，所以需要非接觸方式檢測。

　　清洗液多為強酸，有時也會有強堿，清洗槽材質為聚乙烯(PE)或聚四氟乙烯(PTFE)。

　　由于不直接接觸腐蝕性的液體, 避免因為接觸造成表面殼體腐蝕, 進而影響到使用壽命, 因此伊瑪的電容式傳感器本身必須具備優良的穿透能力，即使容器壁厚10mm, 也能輕松穿透, 感應到容器內的液體。

　　用戶以前使用投入式差壓液位計，對傳感器耐腐蝕性要求很高，成本也較高。伊瑪的應用工程師推薦使用M30電容接近開關CB0006，并做了一些應用工藝的升級，替客戶大大降低了成本。

　　該用戶在外部安裝架上的精巧設計，具備長槽，可以很方便地調整電容傳感器的高度，且不用考慮產品腐蝕問題。

　　伊瑪電容式接近傳感器

　　伊瑪M30電容接近開關CB0006具有以下特點：

　　? 非接觸式安裝;

　　? 另有防腐蝕材質, 也能直接接觸介質;

　　? 可穿透非金屬的容器，如塑料、玻璃，無須接觸到容器內的腐蝕性液體;

　　? 多種尺寸可選：M18/M30/?34/扁平式;

　　? 偵測物可包括：液體、固體、粉體;

　　? 可視為液位傳感器：適用于高低位的液位檢測。

伊瑪電容接近開關

　　半導體的清洗工藝主要用于去除芯片制造中上一道工序所遺留的超微細顆粒污染物、金屬殘留、有機物殘留物， 去除光阻掩膜或殘留，也可根據需要進行硅氧化膜、氮化硅或金屬等薄膜材料的濕法腐蝕，為下一步工序準備好良好的表面條件。清洗一般采用化學和物理作用力相結合的方法實現，在清洗時既要有很好的腐蝕選擇性，高效地去除超微細顆粒物及各種殘留物的能力，又不能對芯片表面的精細圖形結構造成損傷。濕法腐蝕速率，腐蝕均勻性，晶圓正、反面交叉污染的控制，清洗效率等都是至關重要的工藝要素。目前市場上可提供多種類型的單片清洗設備和槽式清洗設備， 并已被廣泛應用于半導體、集成電路、先進封裝、微機電系統、電力電子、化合物和功率器件等領域。