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  什么是CCD傳感器?
  CCD(ChargeCoupledDevice),å³â€œé›»è·è€¦åˆå™¨ä»¶â€ï¼Œå®ƒæ˜¯æ•¸å—和機器視覺相機ä¸ç”¨äºŽæ•æ‰éœæ¢å’Œç§»å‹•物體的一種傳感器,以百è¬åƒç´ 為單ä½ã€‚æ•¸ç¢¼ç›¸æ©Ÿè¦æ ¼ä¸çš„多少百è¬åƒç´ ,指的就是CCD的分辨率。CCD是一種感光åŠå°Žé«”èŠ¯ç‰‡ï¼Œç”¨äºŽæ•æ‰åœ–形,廣泛é‹ç”¨äºŽæŽƒæå„€ã€å¾©å°æ©Ÿä»¥åŠç„¡è† 片相機ç‰è¨å‚™ã€‚èˆ‡è† å·çš„原ç†ç›¸ä¼¼ï¼Œå…‰ç·šç©¿éŽä¸€å€‹é¡é ï¼Œå°‡åœ–å½¢ä¿¡æ¯æŠ•å°„åˆ°CCDä¸Šã€‚ä½†èˆ‡è† å·ä¸åŒçš„æ˜¯ï¼ŒCCD既沒有能力記錄圖形數據,也沒有能力永久ä¿å˜ä¸‹ä¾†ï¼Œç”šè‡³ä¸å…·å‚™â€œæ›å…‰â€èƒ½åŠ›ã€‚æ‰€æœ‰åœ–å½¢æ•¸æ“šéƒ½æœƒä¸åœç•™åœ°é€å…¥ä¸€å€‹â€œæ¨¡-數â€è½‰æ›å™¨ï¼Œä¸€å€‹ä¿¡è™Ÿè™•ç†å™¨ä»¥åŠä¸€å€‹å˜å„²è¨å‚™(比如內å˜èŠ¯ç‰‡æˆ–å…§å˜å¡)。在CMOS圖åƒå‚³æ„Ÿå™¨å¼•入之å‰ï¼ŒCCDå‚³æ„Ÿå™¨è¢«å·¥æ¥æ©Ÿå™¨è¦–è¦ºç³»çµ±å»£æ³›ç”¨äºŽè³ªé‡æª¢æŸ¥ï¼Œæª¢æŸ¥å’ŒæŽ§åˆ¶ã€‚
  什么是CMOSæˆåƒå‚³æ„Ÿå™¨?
  CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor),å³â€œäº’補金屬氧化物åŠå°Žé«”â€ï¼Œé€™æ˜¯ä¸€ç¨®ç‚ºé›†æˆé›»è·¯ä¾›é›»çš„æŠ€è¡“。它是計算機系統內一種é‡è¦çš„芯片,ä¿å˜äº†ç³»çµ±å¼•導所需的大é‡è³‡æ–™ã€‚CMOS型圖åƒå‚³æ„Ÿå™¨åŠäº’è£œé‡‘å±¬æ°§åŒ–ç‰©å ´æ•ˆæ‡‰ç®¡ã€‚å…¶å·¥ä½œåŽŸç†æ˜¯ï¼Œå¤–界光照射到åƒç´ 陣列åŽï¼Œç™¼ç”Ÿå…‰é›»æ•ˆæ‡‰ï¼Œåœ¨åƒç´ 單元內產生相應的電è·ï¼Œæœ€åŽè½‰æ›æˆæ•¸å—圖åƒè¼¸å‡ºã€‚ CMOS技術為當今的許多電åè¨å‚™æä¾›å‹•åŠ›ï¼ŒåŒ…æ‹¬é›»æ± ï¼Œå¾®è™•ç†å™¨ï¼Œæ•¸å—和智能手機相機。 與CCD傳感器ä¸åŒï¼ŒCMOS傳感器ä¸éœ€è¦ç‰¹æ®Šçš„åˆ¶é€ æŠ€è¡“ã€‚
ã€€ã€€ç”±äºŽäºŒè€…çµæ§‹çš„ä¸åŒï¼Œå°Žè‡´å…©è€…在性能方é¢ä¹Ÿå„有所長
  CMOS:響應快,功耗低,噪點高,ä¸å‡å‹»ï¼Œç•«è³ªå—噪è²å½±éŸ¿å¤šï¼ŒISO較å°
  CCD:響應慢,功耗高,噪點低,å‡å‹»ï¼Œç•«è³ªé«˜ï¼ŒISO較高
  與較新的CMOS傳感器ä¸åŒï¼ŒCCD傳感器需è¦ç‰¹æ®Šçš„åˆ¶é€ ï¼Œè€Œé€™é€šå¸¸æ›´æ˜‚è²´ã€‚ å› æ¤ï¼ŒCCD傳感器通常具有éžå¸¸é«˜çš„質é‡å’Œå…‰æ•æ„Ÿæ€§ï¼Œèƒ½å¤ ä»¥è¼ƒä½Žçš„å™ªéŸ³æä¾›æ¸…晰的圖åƒã€‚
  CMOSå‚³æ„Ÿå™¨åˆ¶é€ å’Œä½¿ç”¨å¤§å¤šæ•¸å¾®è™•ç†å™¨ä½¿ç”¨çš„å‚³çµ±åˆ¶é€ æŠ€è¡“ä¾¿å®œã€‚ 他們也被èªç‚ºæ˜¯æ›´å¥½çš„èƒ½æºæ•ˆçŽ‡ã€‚ æ ¹æ“šJacob Fraden的“ç¾ä»£å‚³æ„Ÿå™¨æ‰‹å†Šâ€ï¼ŒCCD傳感器å¯ä»¥æ¶ˆè€—高é”100å€çš„相å°CMOS圖åƒå‚³æ„Ÿå™¨çš„功率。
  1.ä¿¡æ¯è®€å–æ–¹å¼ï¼šCCDé›»è·è€¦åˆå™¨å˜å„²çš„é›»è·ä¿¡æ¯ï¼Œéœ€åœ¨åŒæ¥ä¿¡è™ŸæŽ§åˆ¶ä¸‹ä¸€ä½ä¸€ä½åœ°å¯¦æ–½è½‰ç§»åŽè®€å–,電è·ä¿¡æ¯è½‰ç§»å’Œè®€å–è¼¸å‡ºéœ€è¦æœ‰æ™‚é˜æŽ§åˆ¶é›»è·¯å’Œä¸‰çµ„ä¸åŒçš„é›»æºç›¸é…åˆï¼Œæ•´å€‹é›»è·¯è¼ƒç‚ºå¾©é›œã€‚CMOS光電傳感器經光電轉æ›åŽç›´æŽ¥ç”¢ç”Ÿé›»æµ(或電壓)信號,信號讀å–å分簡單。
  2.速度:CCDé›»è·è€¦åˆå™¨éœ€åœ¨åŒæ¥æ™‚é˜çš„æŽ§åˆ¶ä¸‹ï¼Œä»¥è¡Œç‚ºå–®ä½ä¸€ä½ä¸€ä½åœ°è¼¸å‡ºä¿¡æ¯ï¼Œé€Ÿåº¦è¼ƒæ…¢;而CMOSå…‰é›»å‚³æ„Ÿå™¨é‡‡é›†å…‰ä¿¡è™Ÿçš„åŒæ™‚å°±å¯ä»¥å–å‡ºé›»ä¿¡è™Ÿï¼Œé‚„èƒ½åŒæ™‚處ç†å„單元的圖åƒä¿¡æ¯ï¼Œé€Ÿåº¦æ¯”CCDé›»è·è€¦åˆå™¨å¿«å¾ˆå¤šã€‚
  3.é›»æºåŠè€—é›»é‡ï¼šCCDé›»è·è€¦åˆå™¨å¤§å¤šéœ€è¦ä¸‰çµ„é›»æºä¾›é›»ï¼Œè€—é›»é‡è¼ƒå¤§;CMOS光電傳感器åªéœ€ä½¿ç”¨ä¸€å€‹é›»æºï¼Œè€—é›»é‡éžå¸¸å°ï¼Œåƒ…為CCDé›»è·è€¦åˆå™¨çš„1/8到1/10,CMOS光電傳感器在節能方é¢å…·æœ‰å¾ˆå¤§å„ªå‹¢ã€‚
  4.æˆåƒè³ªé‡ï¼šCCDé›»è·è€¦åˆå™¨åˆ¶ä½œæŠ€è¡“èµ·æ¥æ—©ï¼ŒæŠ€è¡“æˆç†Ÿï¼Œé‡‡ç”¨PNçµæˆ–二氧化硅(SiO2)隔離層隔離噪è²ï¼Œæˆåƒè³ªé‡ç›¸å°CMOS光電傳感器有一定優勢。由于CMOS光電傳感器集æˆåº¦é«˜ï¼Œå„光電傳感元件ã€é›»è·¯ä¹‹é–“è·é›¢å¾ˆè¿‘,相互之間的光ã€é›»ã€ç£å¹²æ“¾è¼ƒåš´é‡ï¼Œå™ªè²å°åœ–åƒè³ªé‡å½±éŸ¿å¾ˆå¤§ï¼Œä½¿CMOS光電傳感器很長一段時間無法進入實用。近年,隨著CMOSé›»è·¯æ¶ˆå™ªæŠ€è¡“çš„ä¸æ–·ç™¼å±•,為生產高密度優質的CMOS圖åƒå‚³æ„Ÿå™¨æä¾›äº†è‰¯å¥½çš„æ¢ä»¶ã€‚
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