9月23日，全世界最大的半導體制造商之一韓國三星電子的研發團隊與全球頂尖的科研學府哈佛大學共同發表了一篇研究論文。在論文中，他們提出了一種新的方法，能夠將人類大腦的神經元“復制粘貼”到芯片上，使之成為擁有接近大腦獨特計算特征的存儲芯片。

　　該論文提出了一種突破性納米電極陣列復制大腦神經元連接圖的方法，并將該圖粘貼到固態存儲器的高密度三維網絡上。通過這種復制和粘貼的方法，作者設想創造出一種記憶芯片，接近大腦獨特的計算特征：低功耗、便捷的學習、對環境的適應，甚至自主和認知。這些都是目前的技術所不能達到的。

　　人類的大腦包括不計其數的神經元，神經元之間有著復雜的網絡連接，這個網絡實現了大腦的功能。因此，如果要對人類大腦進行反向工程研究，則首先必須搞清楚神經元網絡連接圖。

　　這項研究提出了一種回歸大腦反向工程的原始神經形態目標的方法。納米電極陣列可以有效地進入大量的神經元，因此它可以以高靈敏度記錄它們的電信號。這些大規模并行的細胞內記錄為神經元的網絡連接圖提供了信息，表明了神經元相互連接的位置以及這些連接的強度。因此，從這些提示性的記錄中，可以提取或“復制”神經元的網絡連接圖。

　　然后，復制的神經元圖可以被“粘貼”到非易失性存儲器的網絡中，例如我們日常生活中使用的固態硬盤(SSD)中的商用閃存，或者 “新”存儲器，例如電阻式隨機存取存儲器(RRAM)。通過對每個存儲器進行編程，使其電導率代表復制圖中每個神經元連接的強度。

　　該論文更進一步，提出了一種將神經元布線圖快速“粘貼”到記憶網絡上的策略。當由細胞內記錄的信號直接驅動時，一個專門設計的非易失性存儲器網絡可以學習和表達神經元連接圖。這是一個直接將大腦的神經元連接圖下載到存儲芯片上的方案。

　　由于人腦估計有1000億左右的神經元，以及1000倍左右的突觸連接，最終的神經形態芯片將需要100萬億左右的記憶。在單個芯片上整合如此龐大數量的存儲器將通過存儲器的三維整合成為可能，三星公司領導的技術為存儲器行業開辟了一個新時代。

　　利用其在芯片制造方面的領先經驗，三星正計劃繼續研究神經形態工程，以擴大三星在下一代人工智能半導體領域的領先地位，推動機器智能、神經科學和半導體技術的發展。