摘 要：MOSFET的輸出電容COSS具有非線性。在射頻震蕩器中，電容的這一非線性會影響振蕩器的諧波分量。本文選取不同直流電源電壓和輸出電壓, 對在不同工作狀態下振蕩器的輸出諧波分量進行了Matlab數值分析。實驗結果驗證了數值分析的結論。 關鍵詞：輸出電容;非線性;諧波分量 一 引言 　　場效應晶體管（MOSFET）制造技術的發展為大功率射頻放大器和振蕩器的設計制造奠定了堅實的基礎。目前，在C類工作狀態下，采用單個功率MOSFET可以設計出功率大于100W、頻率高于10MHZ的射頻放大器和振蕩器。但隨設計頻率的升高，MOSFET存在的寄生電阻、寄生電容、寄生電感等引起的寄生效應會嚴重影響所達到的性能指標。非線性寄生參數對振蕩器指標的影響就更加復雜。例如，MOSFET漏源間寄生電容（輸出電容）COSS的非線性會影響振蕩器的輸出諧波分量。在不同的工作狀態下，輸出諧波分量也會有所變化。本文選取不同直流電源電壓Vdc和輸出電壓V0,對在不同工作狀態下振蕩器的輸出諧波分量進行了Matlab數值分析。實驗結果驗證了數值分析的結論。 　　詳情請點擊下載：MOSFET輸出電容的非線性對振蕩諧波的影響