引言

LT8609、LT8609A、LT8609B和LT8609S是具有3V至42V寬輸入電壓范圍的同步、單片式、降壓型穩壓器。該器件系列專為那些需要低EMI、高效率和小尺寸解決方案的應用而優化，適合于要求嚴苛的汽車、工業、計算和通信應用。該系列中的所有穩壓器均擁有相同的2A連續、3A瞬態(<1秒)負載電流能力。它們的特性匯總于表1。

LT8609、LT8609A和LT8609S具有2.5μA的超低靜態電流，這一點對于電池供電型系統至關重要。這些穩壓器憑借集成的頂端和底端N溝道MOSFET實現了出色的輕負載效率。LT8609B僅工作于脈沖跳躍模式，雖然靜態電流高于其他幾款器件，但是它在輕負載運行期間產生的輸出紋波較低。

該系列的所有器件均達到CISPR255類輻射EMI規則要求，這是針對汽車設備的最嚴格EMI標準。此外，LT8609、LT8609A和LT8609S還擁有擴展頻譜頻率運行功能，以降低EMI峰值。在此產品系列中，LT8609S具備最引人注目的EMI性能，如下文所述，這基于其專有的SilentSwitcher?2技術。

圖1.超低EMI輻射LT8609S12V至5V同步降壓型轉換器

5.5V至42V輸入、低EMI、高效率5V、2A電源

圖1示出了一款5.5V至42V輸入，5V/2A輸出電源的解決方案。該解決方案采用了一個16引腳LT8609S穩壓器，

該穩壓器具有2MHz開關頻率。構成這款完整的解決方案僅需少量的組件，包括電感器L1和幾個無源組件。如圖2所示，此解決方案能實現92.9%的峰值效率。

突發模式以改善輕負載效率

對于電池供電型應用來說，在輕負載運行和無負載待用模式期間，高效率和低閑置電流是很重要的特性。LT8609、LT8609A和LT8609S在突發模式(BurstMode?)工作中具有2.5μA的低靜態電流。在輕負載和無負載情況下，逐漸地降低開關頻率，從而在保持輸出電壓紋波相對較低的同時極大地減少功耗。圖2顯示：輕負載效率保持在85%以上，而功耗在極小負載情況下接近于零。

圖2.基于LT8609/LT8609A/LT8609S的12VIN至5VOUT降壓型轉換器的效率與負載電流關系曲線

高開關頻率以及超低EMI輻射和改善的熱性能

在汽車系統等諸多環境中，EMI兼容性是一個引人關注的問題。憑借集成化MOSFET、先進的工藝技術、和高達2.2MHz工作頻率，該系列的所有器件均可實現小尺寸的解決方案，并滿足最嚴苛的EMI標準。除了LT8609B之外，其他幾款器件都提供了可降低EMI峰值的擴展頻譜頻率運行功能。此外，LT8609S采用了SilentSwitcher2技術。SilentSwitcher2器件具有集成型熱環路和暖環路電容器，以使EMI性能不容易受到電路板布局和電路板層數的影響。可采用層數較少的電路板以降低制造成本，并且不犧牲EMI和熱性能。

如圖2所示，LT8609S在該器件系列中擁有最佳峰值和滿負載效率。圖3和圖4顯示了圖1所示解決方案采用2層和4層電路板時的CISPR25EMI性能對比和熱性能對比。

圖3.圖1所示電路采用2層和4層電路板時的CISPR25輻射EMI性能比較

圖4.圖1所示電路采用2層和4層電路板時的熱性能比較

結論

LT8609系列中的器件是簡單易用的單片式降壓型穩壓器，具有集成功率MOSFET和內置補償電路。這些器件專門針對那些需要寬輸入電壓范圍和低EMI噪聲的應用而優化。2.5μA的低靜態電流和突發模式工作功能使得它們成為卓越的電池供電降壓型轉換器解決方案。200kHz至2.2MHz的開關頻率范圍使其適合大多數低功耗及微功耗應用。集成的MOSFET和高達2.2MHz的開關頻率能力最大限度減小了解決方案尺寸。CISPR25掃描結果顯示了該解決方案符合最嚴格的EMI標準。LT8609S所采用的SilentSwitcher2技術使其性能不會受到電路板布局和層數變化的影響，從而極大地降低了開發和制造成本。