摘要:針對6kv/loookw高壓變頻器中集成門極換流晶閘管（IntegnatedGateCommutationThyristor，簡稱IGCT）的串聯緩沖電路進行了設計。在分析串聯緩沖電路的同時，計算了吸收電容和吸收電阻的取值范圍。而后，對緩沖電路進行了PSIM仿真和試驗，通過仿真和試驗波形的比較，驗證了緩沖電路的工作效果。結果表明，吸收電容和吸收電阻的取值合適，能夠對IGCT起到很好的保護。 關鍵詞:變頻器;仿真/集成門極換流晶閘管;緩沖電路 1 引言 集成門極換流晶閘管（IGCT）是一種在GTO基礎上改進而成的新型半導體器件，主要用于巨型電力電子成套裝置，它具有電流大，電壓高，開關頻率高，可靠性高，結構緊湊，損耗低等優點，而且制造成本低，成品率高。因此，目前正在逐漸取代GTO和IGBT，成為高壓大功率變頻器的優選器件。目前，我國的高壓、大功率電動機以6kV等級為主，而投入市場的單只IGCT最高的耐壓水平僅為4.skv，在采用三電平結構后，依舊不能滿足輸出電壓6kV的要求。因此，在三電平結構的6kv高壓變頻器中，需采用兩只IGCT串聯，以獲得更高的耐壓等級。然而，在器件串聯使用時，由于其特性的差異會產生暫態電壓分配不均衡，導致個別器件上產生過電壓而威脅器件的安全。鑒于IGCT器件性能完好與否關乎變頻器設備的安全運行，因此為ICCT器件設計串聯緩沖吸收電路顯得非常重要。在此，對6kW1000kW高壓變頻器的IGCT串聯緩沖電路進行了設計、PSIM仿真和實驗研究。 [b]2 IGCT串聯緩沖電路的分析 2.1 di/dt限制電路的分析與參數值的選取[/b] [b][align=center]詳細內容請點擊： 高壓IGCT緩沖電路的仿真與實驗研究[/align][/b]