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采用薄型低電感封裝的IGBT模塊

時間:2012-10-23 15:12:26來源:袁磊

導語:?IGBT模塊已經廣泛的應用于電力電子行業,現在系統越來越要求功率電子器件具有更高的功率密度,更優化的電學性能,更高可靠性及簡單的安裝方法。現有的產品上進行優化,兼容的同時保證高的可靠性,以(已)成為功率模塊開發的目標. 關鍵詞:薄型封裝,低電感,IGBT模塊,可靠性

1. 前言

20年來,基板94*34mm封裝的IGBT模塊已經成為行業類的標準,從此各大公司在兼容這個標準的同時不斷出自己的封裝形式,現在南京銀茂微電子兼容標準封裝基板的條件推出了34mm簿型低電感的模塊(下文稱T1封裝),其中增加新的設計,新型的材料,工藝,載上新型的芯片技術,使得傳統標準的功率模塊有了更高的可靠性,更優化的電學性能。

 

圖1      T1封裝與傳統封裝的外形比較

2. 材料

T1封裝模塊的外殼采用高強度材料,端子嚴格電鍍工藝 ,保證模塊在長期高溫條件下使用時外殼的牢固,并配有獨特的蓋板設計保證了使用過程中的安全。

3. Rohs工藝

新型模塊的生產工藝使用了無鉛工藝,端子和DBC采用無焊機工藝,是符合了RoHs要求的綠色產品。

4. 端子無焊接工藝

      

 

    

 

5. 功率循環能力

圖4  不同TC變化下模塊功率循環能力

6. 新型低電感功率端子設計

圖5    T1端子和傳統端子比較

T1新型的端子不需要使用焊接與DBC相連,不需要考慮應力,所以去除傳統的S型設計,把端子的長度減少了1/3,從而減少了模塊本身的寄生電感和端子的電阻。相比傳統34mm封裝的端子,電感降低了30%,大大優化了關斷特性,同時也降低了使用過程中在端子上所產生的功耗,銅端子表面鍍鎳保證了(防止)在長期使用過程中(端子的氧化)不容易產生氧化。

圖6    新型端子的安裝

采用新型端子設計可以減少內部安裝的空間。因為不需要釬焊,有效的節省的DBC上芯片布局空間,使得芯片空間布局更加優化,模塊電流密度更高,平衡了線路的設計。信號端子采用DBC走線和鍵合工藝,優化了信號的對稱型,相比傳統的飛線焊接,減小了門極寄生電感和電阻。

 

7. 開關特性

南京銀茂微電子利用新的T1封裝設計推出了低損耗,快速,標準等IGBT模塊,適用于變頻器,電機控制,焊機和UPS等不同要求的系統,通過在高溫下測試模塊的動態特性,發現新的薄型端子無焊機的封裝設計大大提高了器件的開關損耗,RBSOA等特性及關斷時的電壓變化率。

       

GL90HF120T1-turn off                           BSM75GB120DLC-turn off

 

圖7  T1封裝與標準的封裝關斷特性波形比較(Tj=125℃)

上圖是在相同的測試裝置和測試條件下測得2種器件的關斷波形,由圖可以得出T1的電壓變化率

△Vc1=180V;DLC的電壓變化率△Vc2=220V 所以計算得出:

T1封裝模塊;

di/dt=72A/0.386us=187A/us

△Vc1=L1*di/dt

L1=△Vc1/di/dt=180V/187A/us=960nH

DLC標準封裝:

di/dt=72/0.320us=225A/us

△Vc2=L2*di/dt

L2=△Vc2/di/dt=220V/225A/us=978nH

相同的裝置的電感是相同的,所以兩種模塊產生的電感不同,差值為:

△L=978-960=18nH

過流關斷特性(RBSOA)

          

GL90HF120T1-RBSOA                               BSM75GB120DLC-RBSOA

圖8    RBSOA特性比較(Tj=125℃,Ic=2*Ic*nom;Vcc=600V)

頻率特性

薄型低電感封裝設計降低了模塊的開關損耗,優化的芯片空間布局減小熱阻特性,保證模塊具有很好的頻率特性。

圖9   不同頻率下輸出電流的比較

8. 新型封裝更適用于高頻快速型IGBT模塊

通常在開關頻率超過20kHz的應用領域,一般要求功率器件具有優異的開關性能,然而由于這些功率器件所使用系統的不同,主電路和控制方法也隨之變化,很多時候不僅需要模塊搭載上的高速芯片,同時也需要在高頻下封裝與設計的最優化,所以T1封裝的優勢在高頻器件上表現的尤其突出,為醫療設備和逆變焊機的使用提供了更大空間。

       

GF75HF120T1-turn on                             GF75HF120T1-turn off

圖10 1200V/75A快速型IGBT開通關斷特性(Tj=125℃)

通過測試GF75HF120T1在高溫下的開關損耗可以得出,在Vcc=600V,IC=75A時Eon=6.8mJ,Eoff=3.2mJ,總的開關損耗只有10mJ。損耗大大降低,使器件在高頻時表現更好的動態特性。

9. 優化安裝空間

為了使模塊能向更好地散熱,基板與散熱器之間應有良好的接觸, 基板經機械處理后形成曲面,將模塊基板安裝在散熱器上時產生的壓力保證了這一接觸,標準的孔距80mm可以使用戶不需要更改散熱器的安裝孔,直接安裝模塊。薄型的外殼高度只要21.5mm,為客戶系統設計降低模塊安裝的高度,縮短了功率端子使用的連接線和銅排。與傳統的安裝方式并沒有發生更多的變化,新的無焊接端子要求安裝時力更小和均勻,必須認真精心的操作。

結論:

隨著功率市場的發展,越來越要求各種系統如變頻器,逆變焊機和UPS小型化,功率密度高,這必然要求新的功率器件往小型化方向發展。南京銀茂微電子開發的T1薄型封裝模塊,大大減小內部電感和熱應力,給系統設計者節省了空間,搭載上新的芯片技術,將會在功率市場發揮更大的潛力,對傳統封裝模塊的器件來說也是大的提高。

        

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