淺談斷路器電容器介質損耗問題
時間:2008-03-19 10:40:00來源:lijuan
導語:?通過對斷路器電容器特點及其損耗產生的分析,解釋了斷路器電容器常見的低場強下損耗角正切tanδ易于偏大以及隨著時間的增加tanδ增長的現象
摘 要:通過對斷路器電容器特點及其損耗產生的分析,解釋了斷路器電容器常見的低場強下損耗角正切tanδ易于偏大以及隨著時間的增加tanδ增長的現象,并提出解決措施。
關鍵詞:斷路器電容器 損耗角正切tanδ 雜質 離子損耗
1 前言
斷路器電容器(又稱均壓電容器),主要并聯接于斷路器的斷口上,從而使各斷口間的電壓均勻。高壓斷路器的滅弧室常由幾個斷口串聯而成,由于對地雜散電容C0常大于斷口電容C1、C2,C1斷口上承受絕大部分電壓,電壓是極不均勻的。
而在每個斷口上并聯了等容的均壓電容Cs后,由于Cs>>C0>>C1、C2,所以分壓比得到了很大的改善,n近似等于1(約1.02~1.05),使得斷口間的電壓分布均勻以利開斷,并且避免在斷口開斷后因電壓分布不均勻而造成損壞。
斷路器電容器的基本結構與耦合電容器相似,通常采用瓷套外殼,元件全部串聯,內部帶補償浸漬劑隨運行溫度變化而體積變化的金屬波紋管。它的材料、工藝及質量與其它電容器基本相同,但斷路器電容器常出現損耗角正切tanδ偏大的現象,而這種情況在其它類型電容器中卻并不突出,因此,本文就斷路器電容器 tanδ值偏大的原因以及一些改善的方法進行一些探討。
2 斷路器電容器損耗的產生及tanδ值易于偏大的原因
電容器浸漬劑中含有的雜質,尤其是離子雜質,影響著tanδ的大小。介質在電壓作用下的能量損耗是由極化損耗(如偶極子極化,夾層介質界面極化等)和電導損耗引起的。由于目前電容器用浸漬劑均為弱極性液體介質(相對介電常數為2.2~2.6),極化損耗極小,因此,浸漬劑的損耗主要由電導損耗決定。
正常工作狀態的液體介質中構成電導的因素主要有兩種:一種由液體本身的分子和雜質的分子解離為離子,構成離子電導;另一種是液體中的膠體質點(如浸漬劑中懸浮的小水滴)吸附電荷后,形成帶電質點,構成電泳電導。由于電容器采用真空浸漬工藝,邊抽真空邊注油,脫氣、脫水效果可以得到保證。因此我們著重分析離子電導對斷路器電容器損耗的影響。電容器元件極板間被各層固體介質(膜或電容器紙)分隔出若干個區域,浸漬劑中的離子充斥在各個區域內,當沒有外電場時,正負離子雜亂無章地分布,并不消耗能量。當施加電壓時,沿著電場方向,油中離子隨電場方向的交替改變在狹窄的空間來回運動,產生損耗。
在工頻電源下,當施加較低電壓UA時,在一個周波內,離子從極板E出發,還未到達固體介質D,就隨著電場交變又回到極板E。當升高電壓到UB時,離子在一個周波中,剛好從極板E到固體介質D,又從D回E。此時損耗隨電壓的增加而增加。當電壓仍然上升,由于帶電粒子無法穿越介質層,到達E或D時受阻,只能在E與D狹小空間內來回運動,這時損耗不再增加,而無功功率Q隨著電壓的增加而增加,損耗角正切等于有功功率除以無功功率,因此tanδ隨著電壓的上升而下降。當電壓超過額定電壓繼續上升,在高場強的作用下,液體中由于解離或碰撞電離等產生帶電粒子增加使電導率變大,引起泄漏電流增大,發熱增多,損耗的增加遠大于無功功率的增長,從而tanδ值增加。在進一步的強電場下,除了電導損耗外,還有介質孔隙中氣體電離所引起的損耗。當油分解出氣體形成氣泡,氣泡中的場強Eg為油中場強Eo的εr倍,而氣體的擊穿場強比油低得多,所以氣泡先開始電離,這又使氣泡溫度升高,體積膨脹,擴大氣體通道,最后發生擊穿, tanδ也就急劇地上升。在斷路器電容器的使用或試驗中,電壓不會無限制地超過額定電壓Un,因此圖3中C區域并不為我們關注。
斷路器電容器的額定電壓一般為40~360kV,隨著斷路器斷口開斷能力提高,斷路器電容器的額定電壓不斷增高,但用戶很少有條件能在產品的額定工作電壓下測量損耗,大多在10kV電壓下測量,這時的tanδ值在圖3中A區域,以上的分析提示我們低場強下tanδ值并不能真實地表明產品額定電壓下運行時的 tanδ,它必大于額定電壓時tanδ。
此外,斷路器電容器的電容值特別小,也決定了它的tanδ值易于偏大。由于斷路器電容器電氣聯接為元件全串(如110kV絕緣水平的產品元件個數約100~140個),電容值極小,因此斷路器電容器的無功功率Q較小,當有功功率P稍有增加時,斷路器電容器的損耗角正切將明顯增大。
斷路器電容器還有一個常見的現象,就是隨著時間的增加,tanδ值逐漸變大。這是由于極性雜質的存在造成的。斷路器電容器的金屬波紋管、瓷套等零部件上附著的雜質以及裝配過程中混入的雜質,這些雜質慢慢溶于或懸浮于液體中,尤其是橡膠墊圈,它的雜質溶解過程更加漫長。隨著時間的推移,雜質由元件外部浸漬入元件介質間,在狹窄空間的雜質帶電粒子不斷增多,介質的損耗不斷增加,使tanδ值越來越大。
3 解決措施
綜合上述對斷路器電容器損耗問題的分析,我們可以知道,增加產品清潔程度,最大限度地降低離子雜質含量可以改善tanδ較大以及隨時間越變越大的問題,具體可采用:
①加強金屬波紋管等零部件的清洗,最好使用安全的有機溶劑。金屬波紋管等含有的雜質如油污以及其它焊劑如松香等,極易溶于有機溶劑。國外曾采用三氯乙烯等有機溶劑,后因三氯乙烯有毒性,而改用三氯甲烷等有機劑來清洗零部件,使雜質無法殘留在零部件表面上。
②對密封墊圈可采用前處理方法。斷路器電容器采用硅橡膠墊圈與蓋子密封。而電容器油(二芳基乙烷、芐基甲苯等)本身就是有機溶劑,可將橡膠上的雜質(填充劑、顏料、潤滑劑、硫化劑等)溶于油中,造成tanδ上升。國外有使用氟膠材料做密封墊圈,如杜邦公司Viton膠,效果非常好,但價格昂貴,無法接受??刹捎们疤幚砣芙夥椒ǎ远蓟彝闉槔?,將成形的硅橡膠密封墊圈,在100°C熱二芳基乙烷中預先處理10~12小時后使用,可以得到二芳基乙烷的tanδ上升接近零。
③此外,在裝配過程中應盡可能地減少雜質混入產品的可能。比如,在有油裝配、無法戴手套時,操作者手中的汗水就有可能混入溶劑中,汗水中的離子雜質對介質損耗的影響比空調過濾的灰塵(SiO2、Al2O3等非離子)的影響要大得多。汗水這些不被人注意的雜質就有可能為產品tanδ的變大留下隱患。
桂林電力電容器總廠制造的JAM180-0.0012H型斷路器電容器的tanδ與U的關系曲線,它驗證了對斷路器電容器損耗的分析,同時也表明桂林電力電容器總廠利用高壓試驗大廳的優勢(750kV試驗變壓器,800kV標準電容器),可以在額定電壓下進行電容器損耗的測量。同時,采用較先進的工藝水平及行之有效的措施,減少雜質含量,即使產品在低場強下的tanδ(0.066%)也遠遠低于國標規定在額定電壓額定頻率下tanδ≤2%的要求。
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