新型固體LBCAST JFET圖åƒå‚³æ„Ÿå™¨
時間:2006-06-22 15:27:00來æºï¼š0
導語:?尼康公å¸çš„D2H單忕¸å—相機ä¸ä½¿ç”¨äº†ä¸€ç¨®æ–°åž‹çš„固體圖åƒå‚³æ„Ÿå™¨LBCAST JFET。
摘è¦ï¼šå°¼åº·å…¬å¸çš„D2H單忕¸å—相機ä¸ä½¿ç”¨äº†ä¸€ç¨®æ–°åž‹çš„固體圖åƒå‚³æ„Ÿå™¨LBCAST JFET。該器件在讀數方å¼ã€å…§éƒ¨çµæ§‹ç‰æ–¹é¢æœ‰äº†è¼ƒå¤§æ”¹é€²ï¼Œèˆ‡CCDã€CMOS圖åƒå‚³æ„Ÿå™¨æ¯”較具有瞬時啟動ã€é«˜éˆæ•度ã€é«˜åˆ†è¾¨çއã€ä½Žèƒ½è€—ã€æˆå“率高和低噪è²ç‰ç‰¹è‰²ã€‚
é—œéµè©žï¼šLBCAST JFET 圖åƒå‚³æ„Ÿå™¨ X-Yå°‹å€ åƒç´ é–‹é—œ é¡è‰²åˆ†é›¢ 噪è²
引言
在2003年底以å‰ï¼Œå›ºé«”圖åƒå‚³æ„Ÿå™¨é‚„分為CCD型和CMOS型,但是2003å¹´åº•æ—¥æœ¬çš„å°¼åº·å…¬å¸æ”¹å¯«äº†é€™å€‹æ·å²ï¼Œåœ¨å…¶2003å¹´7月發布的D2Hé¡é 轉æ›å¼å單數å—相機ä¸ä½¿ç”¨äº†ä¸€ç¨®æ–°åž‹çš„固體LBCAST JFET圖åƒå‚³æ„Ÿå™¨ï¼ˆLateral Buried Charge Accumulator and Sensing Transistor array Junction Field Effect Transistor)。å¯ä»¥èªªæ˜¯CCD與CMOS技術優勢èžåˆçš„產物,充分體ç¾äº†CMOS低耗電é‡å’ŒCCD高速數據讀å–的優勢,尺寸為23.3mm×15.5mm,å°è§’ç·šé•·28.4mm,總åƒç´ 數為426è¬ï¼ˆ2560×1664),有效åƒç´ 數為410è¬ï¼Œåƒç´ 間隔為9.4μm。
1 JFETå’ŒMOSFET
å ´æ•ˆæ‡‰ç®¡ä¸»è¦æœ‰çµåž‹å ´æ•ˆæ‡‰ç®¡ï¼ˆJFETï¼‰å’Œçµ•ç·£æŸµåž‹å ´æ•ˆæ‡‰ç®¡ï¼ˆIGFETï¼Œç”±äºŽå…¶æŸµæ¥µç‚ºé‡‘å±¬é‹æ•…通常åˆç¨±ç‚ºMOSFET),具有輸入阻抗高ã€å™ªè²ä½Žã€åŠŸè€—ä½Žã€ç†±ç©©å®šæ€§é«˜ã€æŠ—輻射能力強ç‰å„ªé»žã€‚它們的å€åˆ¥åœ¨äºŽå°Žé›»æ©Ÿæ§‹å’Œé›»æµæŽ§åˆ¶åŽŸç†æ ¹æœ¬ä¸åŒï¼ŒJFET是利用耗盡å€çš„寬度變化來改變導電æºé“çš„å¯¬çª„ä»¥æŽ§åˆ¶æ¼æ¥µé›»æµï¼›MOSFET則是用åŠå°Žé«”表é¢çš„é›»å ´æ•ˆæ‡‰ã€é›»æ„Ÿæ‡‰é›»è·çš„多少去改變導電æºä¾†æŽ§åˆ¶é›»æµã€‚它們性質的差異是:JFET往往é‹ç”¨åœ¨åŠŸæ”¾è¼¸å…¥ç´šï¼ˆå‰ç´šï¼‰ï¼ŒMOSFET則用在功放末級(輸出級)。但是在有些工作æ¢ä»¶ä¸‹ï¼ŒMOSFET的輸入電阻ä¸å¤ é«˜ï¼Œé›£ä»¥æ»¿è¶³è¦æ±‚ï¼Œè€Œä¸”åœ¨é«˜æº«å·¥ä½œæ™‚ï¼Œå› PNçµåå‘é›»æµå¢žå¤§ï¼Œå…¶é˜»å€¼æœƒé¡¯è‘—下é™ï¼Œæ¼æ¥µé›»æµä¹Ÿè¼ƒå¤§ã€‚

2 LBCAST JFET的特點
在追求高帶寬ã€ä½ŽåŠŸè€—çš„åœ–åƒå‚³æ„Ÿå™¨ç«¶çˆä¸ï¼ŒCMOS圖åƒå‚³æ„Ÿå™¨åœ¨è¨è¨ˆä¸å±•ç¾å‡ºæ¯”CCD更優勢的特點:尺寸å°ã€ç³»çµ±æˆæœ¬ä½Žï¼Œåœ¨ç¢ºä½•產å“å“è³ªçš„å‰æä¸‹åŠŸè€—ä¹Ÿä½Žã€‚ä½†å™ªè²æˆç‚ºCMOSæˆåŠŸè·¯ä¸Šæœ€å¤§çš„éšœç¤™ï¼Œå°‡å°Žè‡´åœ–åƒè³ªé‡çš„下é™ã€‚這也是噪è²å•é¡Œå¿…é ˆå¾—ä»¥è§£æ±ºçš„åŽŸå› ä¹‹ä¸€ã€‚è€ŒLBCAST JFET有著眾多優點,這除了與放大器采用JFETæœ‰é—œå¤–ï¼Œé‚„èˆ‡å…¶å…§éƒ¨çµæ§‹åŠå·¥ä½œç‰¹é»žæœ‰é—œã€‚
2.1 LBCAST JFET的讀數方å¼
ç›®å‰CCDå’ŒCMOS常用的讀數方å¼ï¼šé †åºé›»è·è½‰ç§»æ–¹å¼èˆ‡X-Yå°Žå€å’Œå‚³è¼¸æ–¹å¼ã€‚圖1(a)為傳統Interline CCD圖åƒå‚³æ„Ÿå™¨é€šå¸¸é‡‡ç”¨çš„é †åºé›»è·è½‰ç§»æ–¹å¼ç”±å…‰ä¿¡è™Ÿè½‰æ›æˆçš„電信號首先被傳é€åˆ°åˆ—轉移寄å˜å™¨ï¼Œæœ€åŽå†è¼¸å‡ºåˆ°åœ–åƒè™•ç†å–®å…ƒï¼Œå› æ¤é€Ÿåº¦å—到é™åˆ¶ã€‚æ¤å¤–從ç†è«–ä¸Šè¬›ï¼Œç”±äºŽé †åºé›»è·è½‰ç§»æ–¹å¼éœ€è¦é€£çºŒã€é«˜é€Ÿçš„驅動轉æ›å¯„å˜å™¨ï¼Œé€™å°±éœ€è¦è¼ƒå¤šçš„電功率。圖1(b)為CMOS圖åƒå‚³æ„Ÿå™¨é€šå¸¸ä½¿ç”¨çš„X-Yå°‹å€å’Œå‚³è¼¸æ–¹å¼ï¼Œåœ¨é€™ç¨®æ–¹å¼ä¸ï¼Œæ¯ä¸€å€‹åƒç´ 都有自己的放大器,通éŽåˆ—掃æå’Œè¡ŒæŽƒæä¾†å‚³éžä¿¡è™Ÿï¼Œå¹¶è¼¸å‡ºçµ¦åœ–åƒè™•ç†å–®å…ƒã€‚它有ç¨ç«‹çš„æ•¸æ“šå‚³è¼¸ç·šè·¯ï¼Œå› æ¤èƒ½é”到很高的速度,但是如果仔細觀察其輸出圖åƒï¼Œå°±èƒ½å¤ 發ç¾åœ¨åˆ†é–‹çš„線上容易出ç¾åœ–åƒå¤±çœŸã€‚

JFET圖åƒå‚³æ„Ÿå™¨äº¦é‡‡ç”¨X-Yå°‹å€å’Œå‚³è¼¸æ–¹å¼ï¼Œæ•¸æ“šé€šéŽå…©æ¢ä¿¡è™Ÿç·šæŒ‰ä¸åŒçš„é¡è‰²è®€å‡ºï¼Œé€™æ¨£ä¸€ä¾†è®€å–圖åƒçš„é€Ÿåº¦æ›´å¿«ï¼ŒåŒæ™‚具有å¯ä»¥éš¨æ„æå–高密度åƒç´ 數據的優點。JFET圖åƒå‚³æ„Ÿå™¨çš„æ•¸æ“šåˆ†é…線用é¡è‰²çš„æ–¹æ³•ï¼ˆç¶ ã€è—和紅)代替了用å€åŸŸçš„æ–¹å¼ï¼Œåœ¨æé«˜æ“ä½œé€Ÿåº¦çš„åŒæ™‚也æé«˜äº†åœ–åƒè³ªé‡ï¼Œè§£æ±ºäº†è¼¸å‡ºåœ–åƒåœ¨åˆ†é–‹çš„線上容易å†ç¾å¤±çœŸé€™ä¸€å•題。
JFET圖åƒå‚³æ„Ÿå™¨æ ¹æ“šé¡è‰²åˆ†é›¢ä¿¡è™Ÿæºï¼›æ‰€æœ‰çš„ç¶ è‰²ä¿¡è™Ÿé€šéŽä¸€æ¢ç·šè¼¸å‡ºï¼Œè€Œæ‰€æœ‰çš„è—色和紅色信號通éŽå¦å¤–一æ¢ç·šè¼¸å‡ºï¼Œé€™æ¨£å¯ä»¥ä½¿åœ–åƒä¸å—輸出放大器波動的影響,確ä¿äº†åœ–åƒè³ªé‡ã€‚由于人眼å°ç¶ è‰²ç‰¹åˆ¥æ•æ„Ÿï¼Œå› æ¤ç¶ 色信號線åªè™•ç†ç¶ 色信號,而且在圖åƒéŠ³åŒ–å’Œè¨ç½®åœ–åƒå°æ¯”åº¦çš„ç¶ è‰²ä¹Ÿç‰¹åˆ¥é‡è¦ã€‚在讀第一行數據時,應用列左邊的數據線(上é¢è¼¸å‡ºG信號,下é¢è¼¸å‡ºBä¿¡è™Ÿï¼‰ï¼Œå†æŽ¥è‘—è®€ç¬¬äºŒè¡Œæ•¸æ“šï¼Œæ¤æ™‚應用列å³é‚Šçš„æ•¸æ“šç·šï¼ˆä¸Šé¢è¼¸å‡ºG信號,下é¢è¼¸å‡ºRä¿¡è™Ÿï¼‰ï¼Œä¾æ¬¡ç¹¼çºŒé€²è¡Œï¼ˆåœ–2),那么å¯ä»¥çœ‹åˆ°R:G:B比率是1:2:1,通常彩色濾波器的比率也是基于這個原ç†è¨è¨ˆçš„。
2.2 JFET的功能
LBCAST JFET䏿å–åƒç´ 數據的晶體管是JFET,且æ¯å€‹åƒç´ ä¸éƒ½åŒ…å«ä¸€å°é›»è·ç©ç´¯éƒ¨åˆ†ï¼ˆå³æ„Ÿå…‰å…ƒä»¶ï¼‰èˆ‡æª¢æ¸¬æ”¾å¤§ç”¨çš„JFET晶體管,å¯å¯¦ç¾å…‰é›»è½‰æ›ã€å˜å„²å’Œæ”¾å¤§ã€‚而CMOS圖åƒå‚³æ„Ÿå™¨ä¸çš„æ”¾å¤§å™¨æ˜¯MOSFETæ”¾å¤§å™¨ã€‚åœ¨ç…§ç›¸æ©Ÿå¿«é–€é—œé–‰æ˜¯ä¸€å‰Žæ‰€å…‰æŽ¥æ”¶çµæŸï¼Œç”¨äºŽè½‰ç§»çš„MOSFETæŸµæ¥µæ‰“é–‹ï¼ŒåŒæ™‚所有å˜å„²çš„é›»è·è¢«è½‰ç§»åˆ°JFET柵極。æ¤å¤–,JFETæŸµæ¥µå°±ç›¸ç•¶äºŽé‡æ¯ï¼Œé€šéŽJFETå¯ä»¥è®€å‡ºæœ‰å¤šå°‘å…‰è·è¢«è½‰ç§»åˆ°é€™å€‹â€œæ¯åâ€ä¸ã€‚JFET柵極電壓隨著從光電二極管轉移來的電è·è€Œå‡é«˜ã€‚æ¤æ™‚JFET使得信號電壓相應å‡é«˜ï¼Œå¹¶å°‡å…¶ä½œç‚ºåˆ—信號線讀å–的數據輸出。在圖åƒä¿¡è™Ÿè®€å‡ºä»¥åŽï¼ŒJFET柵極會é€é›»è·çµ¦MOSFET使其復ä½ï¼Œé€™æ¨£å°±å¯ä»¥æŽ§åˆ¶JFET柵極的開與關。æ›å¥è©±èªªï¼ŒJFET的功能就好比是åƒç´ 開關,當需è¦è®€å–信號時將其閉åˆå³å¯ã€‚與CMOS圖åƒå‚³æ„Ÿå™¨ç›¸æ¯”,JFET的路徑簡化很多,這樣使使得速度極大æé«˜ã€å¯é æ€§å¢žå¼·ã€æ¬¡å“率é™ä½Žã€‚

2.3 å…§éƒ¨çµæ§‹ç‰¹é»žåˆ†æž
在LBCAST JFETä¸ï¼Œç”±äºŽé›»è·ç©ç´¯éƒ¨åˆ†é‡‡ç”¨æ©«å‘嵌入方å¼ï¼Œå› æ¤ï¼ŒJFETæˆç‚ºå¤¾åœ¨Gate(開關)當ä¸çš„é€šé“æ§‹é€ ,æˆç‚ºç†æƒ³çš„增幅放大元件,和CMOSç›¸æ¯”å…·æœ‰æ›´é«˜çš„éˆæ•度和更低的噪è²ã€‚
首先,å°äºŽä¸€å€‹çµ¦å®šçš„信號,LBCASTä½¿ç”¨é‡æ¯é›–然較å°ï¼Œå»æä¾›äº†ä¸€å€‹æ¯”較大的電壓增é‡å’Œé«˜çš„分辨率。其次,在CMOS圖åƒå‚³æ„Ÿå™¨ä¸ï¼Œä¿¡è™Ÿæ˜¯ç¶“éŽæºé“到硅的表é¢ï¼›è€Œåœ¨LBCASTä¸ï¼Œä¿¡è™Ÿçš„傳輸是通éŽå…§éƒ¨æºé“ï¼Œå› æ¤å¤§å™ªè²å¹¾ä¹Žé™ä½Žåˆ°ä»¥å‰æ°´å¹³çš„1/3ï¼ŒåŒæ™‚æš—é›»æµç‰¹åˆ¥å°ï¼Œå¯ä»¥æœ‰æ•ˆæŠ‘制暗噪è²ã€‚å¦ä¸€æ–¹é¢ï¼Œåƒç´ 信號雙通é“åŒæ™‚æå–,å¯ä»¥å¯¦ç¾é«˜é€Ÿè™•ç†ã€‚åœ¨çµæ§‹æ–¹é¢ï¼ŒLBCASTæ”åƒåƒç´ çš„å¸ƒç·šæ§‹é€ æ¯”CMOSå°‘ä¸€å€‹é‡‘å±¬å±¤ï¼ŒåŒæ™‚布線密度也比較低,層間連接å”也比較少。由æ¤å¯¦ç¾äº†çµæ§‹ç°¡å–®ã€åˆ¶é€ æ•…éšœå°‘ã€æˆå“率高ç‰ç›®æ¨™ã€‚
JFET傳感器åƒç´ 鏿“‡é–‹é—œç”±3個晶體管組æˆï¼šè½‰ç§»ã€JFET和復ä½ã€‚而CMOS傳感器則由4個晶體管組æˆï¼Œç¬¬4個晶體管用åšåƒç´ 鏿“‡ã€‚å› æ¤LBCAST有著比CMOSç°¡å–®çš„çµæ§‹ï¼Œè¼ƒé«˜çš„æ•ˆçŽ‡ï¼Œå¹¶ä¸”å› ç‚ºå–®ä½é¢ç©çš„光電二極管å¯ä»¥å¢žåŠ ï¼Œä¹Ÿå°±æé«˜äº†å…¶åŠŸèƒ½æ€§ã€‚å…§éƒ¨é€£ç·šï¼ˆåŒ…æ‹¬éžé€æ˜Žå±¤ï¼‰çµæ§‹ä¹Ÿå¾ˆç°¡å–®ï¼Œé©åˆäºŽä¸€å€‹å¤šæ™¶ç¡…層和2å€‹ææ–™å±¤ã€‚而CMOS在組æˆä¸Šçš„è¨è¨ˆå»åŒ…括四層。需è¦çš„層數越少,光電二極管與微é€é¡çš„è·é›¢å°±è¶ŠçŸï¼Œé€šéŽBPD(Burie d PhotoDiode)ã€å…§éƒ¨FPN(Fixed Pattern Noiseï¼‰ç‰æŠ€è¡“ï¼ŒLBCCASTå‚³æ„Ÿå™¨å¯æœ‰æ•ˆé™ä½Žæš—å…‰ç·šä¸‹æ‹æ”的圖åƒå™ªè²ã€‚它類似于CMOS的雙通é“è®€å–æ–¹å¼å¯æé«˜æ•¸æ“šè®€å‡ºé€ŸçŽ‡ï¼Œéžå¸¸è²¼è¿‘å…‰æ•單元的微é€é¡åœ¨æé«˜å…‰æ•ˆçŽ‡åŒæ™‚有效改善了畫é¢ä¸å¤®å’Œé‚Šè§’的一致性。LBCAST JFETåƒç´ çµæ§‹åœ–如圖3所示,LBCAST JFETåƒç´ 剖é¢åœ–如圖4所示。
3 çµæŸèªž
新開發的LBCAST JFET傳感器的主è¦ç›®æ¨™æ˜¯é‡è¦–“速度â€ã€‚它的總åƒç´ å¹¶éžå¾ˆé«˜ï¼Œåƒ…有400è¬ã€‚å› æ¤Nikon將應用于LBCAST JFET圖åƒå‚³æ„Ÿå™¨çš„D2H照相機定ä½äºŽæ–°èžå ±é“與體育æ”å½±ç‰æ–¹é¢ã€‚
LBCASTå’ŒCMOSç›¸æ¯”å…·æœ‰æ›´é«˜éˆæ•åº¦å’Œä½Žå™ªéŸ³æ•ˆæžœï¼Œå¹¶ä¸”çµæ§‹ç°¡å–®ã€åˆ¶é€ æ•…éšœå°‘ã€æˆå“çŽ‡é«˜ã€‚ç”±äºŽå®ƒçµæ§‹ç°¡å–®ï¼Œå› æ¤å¯ä»¥é‡‡ç”¨èˆ‡CMOS相åŒçš„åˆ¶é€ å·¥è—,é è¨ˆå°‡ä¾†åˆ¶é€ æˆæœ¬å¯ä»¥å¤§å¹…度é™ä½Žï¼Œæ‡‰ç”¨å‰æ™¯å分看好。