高性能氧化鋅é¿é›·å™¨åŠå…¶æ‡‰ç”¨
時間:2008-11-18 10:47:00來æºï¼šfenghy
導語:?介紹作為高性能氧化鋅é¿é›·å™¨çš„é«˜é›»ä½æ¢¯åº¦æ°§åŒ–é‹…é¿é›·å™¨åŠå…¶æ‡‰ç”¨ã€‚它用于GIS,有助于GISå°åž‹åŒ–ã€‚åŒæ™‚介紹戶外é¿é›·å™¨å°çµ•緣的改進
[摘 è¦ï¼½ä»‹ç´¹ä½œç‚ºé«˜æ€§èƒ½æ°§åŒ–é‹…é¿é›·å™¨çš„é«˜é›»ä½æ¢¯åº¦æ°§åŒ–é‹…é¿é›·å™¨åŠå…¶æ‡‰ç”¨ã€‚它用于GIS,有助于GISå°åž‹åŒ–ã€‚åŒæ™‚介紹戶外é¿é›·å™¨å°çµ•緣的改進。
[關éµè©žï¼½æ°§åŒ–é‹…é¿é›·å™¨ã€€ã€€é«˜é›»ä½æ¢¯åº¦ZnO元件  金屬å°é–‰é–‹é—œè¨å‚™GIS 外絕緣
  氧化鋅é¿é›·å™¨ZnO的開發是éŽé›»å£“ä¿è·è£ç½®çš„一次çªç ´ã€‚特別是最新高性能ZnO元件用于å°é‡‘屬閉å¼é–‹é—œè¨å‚™GIS,é™ä½Žäº†é›·é›»æ²–擊水平,使GISåŠçµ•緣尺寸大大減å°ï¼Œå¸¶ä¾†å·¨å¤§çš„æŠ€è¡“經濟效益。舉例來說,日本在新開發的550kV單斷å£GISä¸ï¼Œä½¿ç”¨äº†é«˜æ€§èƒ½çš„SF6é¿é›·å™¨ï¼Œä½¿GIS的雷電沖擊è€å—æ°´å¹³LIWV從1800kVé™è‡³1425kV。新開發的1100kV雙斷å£GIS,由于使用了高性能的ZnOé¿é›·å™¨ï¼Œé›–ç„¶é‹è¡Œé›»å£“æé«˜äº†ä¸€å€ï¼Œä½†GIS的雷電沖擊水平僅為1.5å€ï¼Œå³2250kVã€‚å› æ¤ï¼Œé«˜æ€§èƒ½ZnOé¿é›·å™¨çš„開發å°é™ä½Žé«˜å£“è¨å‚™çš„雷電沖擊è€å—能力éžå¸¸æœ‰æ•ˆã€‚
1.高性能ZnOé¿é›·å™¨
  傳統ZnO元件的基準電壓約為200V/mm,用控制晶粒大å°çš„æ–¹æ³•å°±å¯æé«˜åŸºæº–é›»å£“ã€‚æ–°ç ”åˆ¶çš„é«˜é›»ä½æ¢¯åº¦ZnO元件的基準電壓約為普通型的二å€ã€‚普通型ZnO元件的基準電壓約為200V/mmï¼Œè€Œé«˜é›»ä½æ¢¯åº¦ZnO元件的基準電壓約為400V/mmã€‚åŒæ™‚é‚„å¯çœ‹åˆ°ZnOçš„æ™¶ç²’åœ¨é«˜é›»ä½æ¢¯åº¦ZnO元件ä¸å¤§å¤§åœ°ç´°åŒ–了。
  日本三è±ã€æ±èŠã€æ—¥ç«‹ç‰å…¬å¸åœ¨ç ”制高性能ZnO元件方é¢éƒ½ä»˜å‡ºäº†åŠªåŠ›ï¼Œå¹¶å¯ŒäºŽæˆæ•ˆã€‚æé«˜ZnO元件電壓é¡å®šå€¼ä¸»è¦æ˜¯æ”¹é€²åˆ¶é€ å·¥è—å’Œå¾®è§€çµæ§‹ã€‚在新型ZnO元件ä¸ï¼Œå¾®è§€çµæ§‹ç·Šå¯†ã€‚
2.æ–°åž‹ZnOé¿é›·å™¨çš„æ‡‰ç”¨
  新型å³é«˜æ€§èƒ½æˆ–é«˜é›»ä½æ¢¯åº¦ZnOé¿é›·å™¨çš„æ‡‰ç”¨ï¼Œå¸¶ä¾†å·¨å¤§çš„æŠ€è¡“經濟效益,ä¸åƒ…大大æé«˜äº†é›·é›»å’Œæ“作沖擊éŽé›»å£“ä¿è·ç‰¹æ€§ï¼Œæœ‰æ•ˆåœ°é™ä½Žäº†è¼¸é…é›»è¨å‚™é›·é›»ä¿è·æ°´å¹³ï¼Œè€Œä¸”顯著地減å°äº†é¿é›·å™¨çš„尺寸。相比è€åž‹ï¼Œæ–°åž‹çš„高度減為60%,寬度減為92%。
  å°äºŽæ›´é«˜é›»å£“和更大電æµé¡å®šå€¼ï¼Œå¯ç”±ZnO電阻串并è¯è€Œæˆã€‚
  ZnOé¿é›·å™¨çš„å…¸åž‹çµæ§‹æœ‰å…©ç¨®ï¼šä¸€ç‚ºæ”¯æŸ±å¼ï¼Œå¦ä¸€ç‚ºGIS型ç½å¼çµæ§‹ã€€ã€‚支柱å¼ZnOé¿é›·å™¨å¯å–®ç¨è£è¨ä½¿ç”¨ï¼Œè€Œç½å¼çµæ§‹è£äºŽGIS內。支柱å¼çš„外殼經æ·äº†ç“·çµ•緣——EPDMä¸‰å…ƒä¹™ä¸™è† â€”â€”ç¡…æ©¡è† ã€‚ç½å¼å°ºå¯¸çš„æ¸›å°‘有助于縮å°GIS。
3.支柱å¼ZnOé¿é›·å™¨
  自從80年代末和90年代åˆä»¥ä¾†ï¼ŒZnOé¿é›·å™¨çš„使用和被用戶普éèªå¯ï¼Œå¤§å¤§æ¸›å°‘了電力系統的ä¿è·å•é¡Œã€‚åœ¨åˆæœŸçš„çµæ§‹ä¸ï¼ŒZnO元件è£åœ¨ç“·å¥—內,而且端部å°è£ä¸€è† è¦ç”¨O型密å°åœˆåР以坆å°ã€‚隨著時間的推移,特別在惡劣的環境ä¸ï¼Œå¯†å°åœˆå®¹æ˜“劣化而讓潮氣侵入。80年代,èšåˆç‰©æ®¼é«”é¿é›·å™¨å•世,英國Bowthorpe EMPå…¬å¸åˆ¶é€ 出一整個系列èšåˆç‰©æ®¼é«”é¿é›·å™¨ï¼Œé›»å£“直到400kV。在è¨è¨ˆæ™‚,ZnO元件柱的表é¢è¢«çŽ»çº–å¢žå¼·çš„æ¨¹è„‚å‡å‹»åœ°åŒ…å°ã€‚é€™ç¨®çµæ§‹ç„¡æ°£å”,機械強度高,而且在ZnO柱的表é¢å½¢æˆå‡å‹»çš„ä»‹é›»å¼·åº¦ã€‚é€™ç¨®æ®¼é«”çš„ææ–™ç‚ºEPDMî—¤ä¸‰å…ƒä¹™ä¸™è† ã€€ã€‚å®ƒæŠ—é›»ç—•ï¼Œç‰¹åˆ¥é©ç”¨äºŽæ±¡ç©¢åœ°å€ã€‚圖5示出Bowthorpe EMPå…¬å¸èšåˆç‰©æ®¼é«”çš„ZnOé¿é›·å™¨ã€‚ZnO元件由起散熱作用的散熱æ¿éš”開。å°äºŽæ›´é«˜é›»å£“和更大電æµï¼Œå¯ç”±å¤šå€‹ZnO元件串一并è¯è€Œæˆæ¨¡å¡Šå¼çµæ§‹ã€‚
  繼EPDMèšåˆç‰©ä¹‹åŽï¼Œå‡ºç¾äº†ç¡…åƒè† æ®¼é«”ï¼Œç¡…æ©¡è† æ®¼é«”ç›¸æ¯”EPDM殼體,具有明顯的優勢,這特別表ç¾åœ¨ï¼š1.ç¡…æ©¡è† çš„ä¸»åŒ–å¸éµä¸Šä¸å«ç¢³æ°®åŒ–åˆç‰©ï¼Œä½¿ä¹‹å…·æœ‰é«˜åº¦æŠ—è¡¨é¢æ±¡æŸ“力和防æ¢ç¢³åŒ–泄æ¼é€šé“時的形æˆï¼›2.硅原上了附著許多CH3ä½¿ä¹‹å…·æœ‰ç–æ°´æ€§ï¼Œè‹¥è¡¨é¢æ²‰ç©æ±¡ç©¢å±¤ï¼Œç¡…èƒ½å°‡å®ƒçš„ç–æ°´æ€§è½‰ç§»åˆ°é™„著膜上,這就是說,低分åé‡çš„ç¡…æ²¹èƒ½å¤ å¾žæœ¬é«”è½‰ç§»åˆ°è¡¨é¢ï¼Œé€™å°±å«ä½Žæ¿ƒåº¦ç¡…é·ç§»ï¼›3.ç¡…æ©¡è† ä¸ç¡…æ°§éµæ˜¯ä¸€å€‹å¾ˆå¼·çš„化å¸éµï¼Œå› 之硅åƒè‚¡èƒ½å—ç’°å¢ƒçš„å½±éŸ¿è«¸å¦‚è‡æ°§ã€ç´«å¤–線輻射或溫度極端波動。
4.ç¡…æ©¡è† å¤–æ®¼åœ¨å…§éƒ¨å‡ºç¾éŽå£“åŠ›æ™‚ï¼Œå®ƒä¸æœƒåƒç“·é‚£æ¨£çˆ†ç‚¸ï¼Œå¹¶æœ‰ç¢Žç‰‡é£›å‡ºï¼Œå±åŠäººèº«åŠè¨å‚™å®‰å…¨ï¼Œç¡…æ©¡è† åƒ…å½¢æˆå°æ´žï¼Œå°‡å£“力排出。
5.ç¡…åƒè† é‹è¼¸æ–¹ä¾¿ï¼Œå®‰è£å®¹æ˜“。
ã€€ã€€ç¡…æ©¡è† ç›¸æ¯”ç“·çµ•ç·£æ¸›è¼•é‡é‡ç´„50%,減å°é•·åº¦25%。
ã€€ã€€ç”±äºŽç¡…æ©¡è† å…·æœ‰ä»¥ä¸Šå„ªç•°æ€§èƒ½ï¼Œè¶Šä¾†è¶Šå¤šçš„åˆ¶é€ å…¬å¸åœ¨é¿é›·å™¨ä¸Šç”¨ç¡…æ©¡è† å–代瓷絕緣。如ABBå…¬å¸ç›®å‰æä¾›çš„ä¸å£“é¿é›·å™¨ï¼Œ80%ç‚ºç¡…æ©¡è† é¿é›·å™¨ã€‚
6.ç½å¼æ–°åž‹é¿é›·å™¨
  將é¿é›·å™¨ä½œæˆç½å¼çµæ§‹ï¼Œå»£æ³›åœ°ç”¨äºŽSF6å°é–‰å¼çµ„åˆé›»å™¨GISä¸ã€‚é«˜é›»ä½æ¢¯åº¦ZnO元件的使用,大大é™ä½Žäº†é¿é›·å™¨çš„高度。圖6示出220kVGISé¿é›·å™¨çš„å…§éƒ¨çµæ§‹æ¯”較。由圖å¯è¦‹ï¼Œæ™®é€šZnO元件é¿é›·å™¨é«˜åº¦ç‚º470mmï¼Œè€Œé«˜é›»ä½æ¢¯åº¦ZnO元件é¿é›·å™¨é«˜åº¦åƒ…為250mm。其高度約為普通å¼çš„一åŠï¼Œé€™æœ‰åŠ©äºŽæ¸›å°GISçš„å°ºå¯¸ã€‚é‡‡ç”¨é«˜é›»ä½æ¢¯åº¦ZnO元件,å¯ä½¿é¿é›·å™¨å‘ˆå–®æŸ±å¼ï¼Œè€Œä¸éœ€è¦æŸ±é–“引線。這就減å°äº†ç½å¼é¿é›·å™¨çš„å…§éƒ¨é›»æ„Ÿã€‚é«˜é›»ä½æ¢¯åº¦ZnO元件的單個通訊能力亦好于普通的ZnO元件。
  日立公å¸å·²ç‚º765kVé›»åŠ›ç³»çµ±æ–°ç ”åˆ¶å‡ºä½¿ç”¨ä¸»é›»ä½æ¢¯åº¦ZnO元件的垂直安è£åž‹é¿é›·å™¨ã€‚由于é™ä½Žäº†ä¸²è¯ZnO元件的高度,使é¿é›·å™¨çš„è¨è¨ˆç·Šæ¹Šã€‚é«˜é›»ä½æ¢¯åº¦ZnO元件的固有電容å°ï¼Œæ™¶ç²’細化,這å°å…ƒä»¶çš„é›»ä½åˆ†å¸ƒè‡³ç‚ºé‡è¦ã€‚在SF6絕緣的ç½å¼é¿é›·å™¨ä¸ï¼Œé‡‡ç”¨é©ç•¶çš„é›»å ´åŒè»¸å±è”½ï¼Œå°±å¯ä½¿ZnO元件之間的電ä½åˆ†å¸ƒå°äºŽ1.1。
7.çµèªž
  é¿é›·å™¨æŠ€è¡“的進æ¥ï¼Œå°è®Šé›»ç«™è¨å‚™çš„雷電沖擊è€å—水平有著直接的影響。特別是é¿é›·å™¨å¾žSICåŠ ç«èŠ±é–“éš™èµ°å‘無間隙的ZnOé¿é›·å™¨ï¼Œé€™æ˜¯æŠ€è¡“上一次çªç ´ã€‚ZnOé¿é›·å™¨ä¹Ÿåœ¨ä¸æ–·ç™¼å±•。日本為550kVå’Œ1100kVGISç ”åˆ¶å‡ºäº†æ–°åž‹é«˜æ€§èƒ½é¿é›·å™¨ï¼Œé€™ç¨®é¿é›·å™¨è¢«ç¨±ä¹‹ç‚ºé«˜é›»ä½æ¢¯åº¦ZnOé¿é›·å™¨ï¼Œå®ƒä½¿550kVGIS的雷電沖擊è€å—水平從1800kVé™ç‚º1425kV,使1100kVGIS的雷電沖擊è€å—æ°´å¹³åƒ…å¢žåŠ ç‚º1.5å€ã€‚這使GIS的性能æé«˜ä¸”é«”ç©å¤§å¤§ç¸®å°ã€‚在支柱å¼é¿é›·å™¨æ–¹é¢ï¼Œçµ•ç·£å¤–æ®¼ä¹Ÿä¸æ–·åœ°åœ¨æ”¹é€²ï¼Œå¾žåŽŸä¾†çš„ç“·çµ•ç·£æ”¹ç‚ºEPDMèšåˆç‰©çµ•ç·£ç›´åˆ°ä»Šå¤©çš„ç¡…æ©¡è† çµ•ç·£ã€‚çµ•ç·£çš„æ”¹é€²ä½¿æ”¯æŸ±å¼é¿é›·å™¨çš„æ©Ÿæ¢°çµ•ç·£å¼·åº¦å’Œä»‹é›»å¼·åº¦æ›´å¥½ç‰¹åˆ¥æ˜¯ç¡…æ©¡è† çµ•ç·£ä½¿ä¹‹è¡¨é¢å…·æœ‰ç–æ°´æ€§ã€æŠ—æ±¡ç©¢æ€§ã€èƒ½è€å—環境的影響,而且相比瓷絕緣減輕é‡é‡ç´„50%。
  åƒè€ƒæ–‡ç»
1î™…S.Shirakawaç‰.Appliation of High Voltage Gradient Zinc Oxide Elemnets to SF6 Gas Insulated Surge Arresters for 22kV~765kV Power System.IEEE Transactions on power Delivery.1999.Vol14.N2î–„419~924
2î™… Toshiba.Surge Arrester RVCQ SERIES ç”¢å“æ¨£æœ¬
3î™… Walter Schmidt POLINæ–°ä¸€ä»£ç¡…æ©¡è† çµ•ç·£ä¸å£“é¿é›·å™¨ï¼ŒABB樣本
4î™… E.Ruffelç‰.High Voltage Engineering:Fundamentals第二版,Newnes出版社,瑞士皇家工å¸é™¢
5î™… æŽå»ºåŸº.高ä¸å£“é–‹é—œè¨å‚™å¯¦ç”¨æŠ€è¡“.機械工æ¥å‡ºç‰ˆç¤¾ï¼šåŒ—京,2001å¹´
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