4大NAND Flash廠50奈米制程全都原地踏步, 制程瓶頸歷時1季未獲改善 供不應求恐比預期更嚴重 全球4大NAND型快閃存儲器（Flash）制造廠三星電子（Samsung Electronics）、東芝（Toshiba）、海力士（Hynix）及IM Flash等，盡管已想盡辦法全力解決50奈米世代制程轉換不順、新制程良率偏低問題，但經過逾1季至今仍是原地踏步，良率可說是絲毫未有提升，加上全球NAND Flash市場已進入需求旺季，下游客戶端已提出警訊，未來6個月4大廠產能加總，扣除給予蘋果（Apple）需求后，幾乎可確定NAND Flash市場將出現比預期更嚴重的供不應求。 近3個月來，包括三星、東芝、海力士及IM Flash等NAND Flash制造廠，均卯足勁設法提升50奈米世代先進程制良率，而存儲器業者如此積極搶進新制程技術，最主要原因系看準一波波市場需求成長，為進一步藉由新制程技術提高產能，并增進NAND Flash產品線獲利。不過，4大NAND Flash廠卻遭遇到50奈米世代制程轉換瓶頸，尤其至今已經過逾1季的全力改善，卻仍無法將良率有效提升，可說是陷入原地踏步的窘境。 值得注意的是，全球NAND Flash總產出量無法快速拉升，如今又將進入市場需求旺季，尤其蘋果iPhone及iPod對于NAND Flash需求與日俱增，以及年底圣誕節采購旺季跟著來到，全球NAND Flash需求在未來幾個月內只增不減，供貨缺口恐將愈益擴大。 存儲器業者便大膽預期，未來幾個月全球NAND Flash市場將因4大NAND Flash廠產能無法有效開出，在市場需求卻是源源不絕開出情況下，勢必將出現比預期還要嚴重的供不應求，而這亦促使多家市調機構近期紛預測，未來NAND Flash合約價將持續走揚，現貨市場亦將因供應量明顯萎縮，出現易漲難跌情況。 事實上，過去NAND Flash大廠在新世代制程技術轉換時，都會發生整體產能明顯下降狀況，不過，依照過去業者轉換制程經驗來看，要將新世代制程良率調到正常水平所需花費時間，頂多是1個多月左右，如今這4大NAND Flash制造廠卻已花上逾1季時間，但生產線良率依然處于原地踏步階段，難怪所有下游NAND Flash卡制造商均感到憂心忡忡，擔心未來價格恐將逐步墊高。 此外，存儲器業者亦透露，除因新制程技術轉換不順、導致良率無法提高，進而影響到整體產出外，另一方面，由于新產出的NAND Flash顆粒屬于新世代制程技術產品，下游NAND Flash控制IC廠至今亦仍無法有效供應新制程技術顆粒所需要的控制IC，這更進一步限制下游記憶卡廠商未來出貨量能，并恐將形成另一個市場成長瓶頸。